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"8.트랜지스터" 검색결과 541-560 / 4,942건

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    [부산대학교 응용전기전자실험2] mosfet 예비보고서
    가능하다. 반도체스위치들은 바이폴라 트랜지스터, 금속산화피막-전계효과 트랜지스터(MOSFET), 다이오드, 사이리스터, 등으로 구현될 수 있다. 밑의 그림은 MOSFET(Q ... .550030010220146714670.8H, 1.5Adc max6001.53006005그림 14-2 MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작을 관측하기 위한 회로도■ 9. Power supply에서 전압조절단자를 0
    리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.02.27
  • 트랜지스터 증폭기 실험 (실험리포트)
    결과 보고서일 자조학 번이름제 목실험2. 트랜지스터 증폭기 실험1. 각 Cap의 역할 1,2,3cap1의 역할 : node3(Base)의 DC전압값과 신호전원 VIN의 DC전압값 ... 으로, Collector와 Emitter 사이 전압 VCE의 DC성분은 출력 파형의 스윙에 영향을 끼친다. VCE는 0~VCC만큼 걸릴수 있는데 해당 트랜지스터의 VCE-IC 특성 그래프 ... 으므로 VCE는 그림 8와 같이 약 7.5V~15V에서 스윙하기 때문에 출력파형의 하단부가 짤리게 된다.그림 7. RC=250Ω 일 때 Q-point그림 8. RC=250Ω 일 때 4V
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.13
  • 컴퓨팅 사고와 코딩 원리/스크래치로 배우는 컴퓨팅 사고/2단원 정리
    하면서 트랜지스터가 적용되었고, 여러 개의 트랜지스터를 하나로 만든 IC(Integrated Circuit)라 불리는 칩이 개발되었다.*컴퓨터가 발전하면서 입력장치로 천공카드 리더, 출력장치 ... (WWW)’이라 부른다.03. 컴퓨터에서의 정보의 표현■ 용량과 속도 단위-용량*비트(bit): 컴퓨터가 사용하는 가장 작은 정보 표시 단위*1바이트=8비트*수조에 물을 채운다고 ... (bit)데이터를 표현하는 최소 단위바이트(byte)8비트를 하나로 묶은 것워드(word)한 번에 처리할 수 있는 데이터 단위 (32비트 CPU의 1워드는 32비트)*정보에서 사용
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.12
  • 홍익대학교 실험2 건전지의 내부 저항 측정 결과보고서
    .71470Ω1.471.456.4834.7㏀1.471.4632.191㏀1.471.4513.795.6㏀1.471.4638.361.5㏀1.471.4520.696.8㏀1.471.4646 ... 시에는 약 1.8V가 된다. 방전을 계속하면 양극이나 음극이 모두 황산납으로 이행하고, 충전하면 원래의 상태로 되돌아간다. 충전·방전의 횟수는 수백 회에서 1,000회 이상 ... V의 전원이 필요한 트랜지스터 라디오에서 대략 건전지 전압이 몇 V 정도가 되면 라디오가 동작하지 않게 되는가?라디오의 설계내용, 출력(소비전력) 등에 따라서 차이가 있다. 하지
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.04
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    경상대학교 반도체설계개론 2차 레포트/과제
    , 컴퓨터, 이동전화기 등 제조업을 맡고 있고, TV부문에서 삼성전자는 8년연속 TV판매량 1위를 지키고 있으며, 세계 LCD패널 시장에서는 9년 연속 시장점유율 1위를 기록하고 있 ... 다.SK하이닉스의 매출액은 31,900,418,061,596원, 본사 소재지는 경기도 이천시 부발읍 경충대로에 위치하고, 종업원 수는 약 2만 9천명정도이다. 다이오드, 트랜지스터
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 3페이지 | 3,300원 | 등록일 2022.03.04 | 수정일 2022.04.14
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    실험 22_연산 증폭기 특성 예비보고서
    에서 공부한 차동 증폭기 입력 트랜지스터 또는 부하의 불일치가 주 원인이다.[그림 22-8] 연산 증폭기의 오프셋 전압[그림 22-9] 연산 증폭기의 입력 오프셋[그림 22-10 ... 의 트랜지스터의 동작 영역이 포화 영역에서 벗어나면서 비선형적인 특성을 보이기 때문이다.[그림 22-6] 소신호 입력에 대한 비반전 증폭기의 응답 특성[그림 22-7] 대신호 입력에 대한 비 ... 스 전류를 필요로 하게 된다.[그림 22-8]은 연산 증폭기의 오프셋 전압의 개념을 보여준다. 연산 증폭기의 입력 쪽에 양의 오프셋V _{os}가 발생하면 [그림 22-9]와 같이
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31
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    A+ 정보통신실험 5주차 결과보고서 - 저주파 통과 필터 회로
    ) * x(위상차) = 360° * ?t? x ={360°TRIANGLE t} over T ={360°(-360us)} over {1/500} = -64.8°※?(2pif) = -64 ... -320us)} over {1/1000} = -115.2°tan(-115.2°)?`tan(64.8°)※?(2pif) = -115.2°2) 크기오실로스코프의 CH1에 측정된 입력신호 ... delay가 생기는 데 이것은 OP-AMP 내부의 트랜지스터의 입력 용량으로 인하여 충전시간과 방전시간 때문에 생기는 것이다. 여기서 차이나는 시간차 ?t를 측정하여 실험값의 위상
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.02.05
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    (A+ 컴퓨터의이해, 행정학과 1-1) 슈퍼컴퓨터, 메타버스가 이용되는 사례, 반도체 기억장치의 발달과정에 대하여 설명하시오.
    129205009 \h 6 Hyperlink \l "_Toc129205010" ③ 메타버스의 발전 과정 PAGEREF _Toc129205010 \h 8 Hyperlink \l "_Toc ... 129205011" ④ 메타버스의 활용 사례 PAGEREF _Toc129205011 \h 8 Hyperlink \l "_Toc129205012" 3. 반도체 기억장치의 발달과정에 대하 ... 에 사용하기에 이상적이었다.플래시 메모리는 도시바에서 처음 개발되었다. 1980년대 초반의 후지오 마스오카. 마스오카의 발명은 플로팅 게이트 트랜지스터를 사용하여 데이터를 별도
    방송통신대 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.03.08
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    전기회로실험 A+ 결과보고서(직류전압의 측정)
    , 그리고 저항 등을 측정할 수 있다. DMM으로 불리는 디지털형 계기는 VOM과 동일한 측정기능을 갖으나 측정범위가 더 넓다. DMM은 트랜지스터와 다이오드의 시험에도 이용될 수 ... 을 기록한다.(8) 스위치 , 를 모두 닫는다. 전원장치의 조정단자를 변경시키지 않고 VOM으로 측정된 전압을 표에 기록한다. 이 과정이 완료되면 전원장치의 전원스위치를 ‘off ... ’로 하고 스위치 , 를 개방한 후, VOM을 분리시킨다.(9) VOM 대신에 DMM을 연결하고 과정 (2)-(8)을 반복한다. 모든 과정이 완료되면 전원장치의 전원스위치를 ‘off
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.01 | 수정일 2023.07.12
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    전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)
    voltage VT = 26mV.8. From the data of IB, calculate the small-signal resistance (rπ) using below ... voltage.3. 실험결과실험(1) 3 & 4 & 5결과:실험(1) 6. 결과:실험(1) 7 & 8 & 9 & 10 결과:실험(2) 2&3&4결과:실험(2) 5. 결과:Vin이 2V일 ... 때 bias point: VCE = 0.28V, IC=25.7mAVin이 4V일 때 bias point: VCE = 0.21V, IC=35.8mAVin이 6V일 때 bias
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
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    일반물리학 옴의 법칙
    은 범위의 전압에 걸쳐 일정한 저항을 갖는 물질- 비옴성(nonohmic) 물질: 전압 혹은 전류값에 따라 저항이 바뀌는 물질예) 다이오드,트랜지스터- 저항기: 전기 회로에서 특정 ... 까지의 실험을 반복한다. (세번째 실험)(7) 100Ω과 330Ω을 병렬로 연결한 다음 (2)번부터 (4)번까지의 실험을 반복한다. (네번째 실험)(8) 다음으로는 330Ω 두개를 병렬
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.07
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    [일반화학][레포트A+]PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비레포트
    은 8대공정으로 나눠지는데 웨이퍼, 산화, 포토, 식각, 박막, 금속 배선 ,EDS, 패키징 순서로 구성되어 있다. 반도체 집적회로를 만드는데 사용 하는 주재료를 만들고 산화과정 ... 은 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을 형 성해 트랜지스터의 기초를 만드는 공정이다. 포토공정은 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 과정이다. 식각공정은 반도체 구조를 형성 ... 글루코스:0.90 g glucose률 10 ml 물에 녹임 0.8 M KOH: 0.45 g KOH를 10 rrL 물에 녹임 0.1 M 질산 은: 0.17 g AgNOa를 10 mL 물
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.08.18
  • 경북대학교 기초전기전자실험 모터제어&로보틱스 실험보고서 [기계공학부]
    의 DC모터 가변속 제어직접 구동전압 그 자체를 변화시키는 것이다. 즉, 트랜지스터로 전압 드롭(dropper)를 구성하고, 컬렉터 이미터간의 드롭 전압을 바꿈으로써 모터에 가해지 ... 과 Off 시간의 비)를 바꿈으로써 실현하고 있다. 이것은 DC 모터가 빠른 주파수의 변화에는 기계 반응을 하지 않는다는 것을 이용하고 있다.회로에서 트랜지스터를 일정시간 간격 ... .8°가 된다. 증분형 엔코더는 각속도 계측에도 이용될 수 있는데, 이 경우에는 단위 시간당 펄스 수를 카운트하여 얻어 낸다.그림14. 증분형 엔코더장점- 광학적 또는 전기적인 처리
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.17 | 수정일 2023.12.14
  • (기초회로실험 레포트)제너다이오드
    : 트랜지스터식 점화장치, 전압조정기 등< 제너 다이오드의 작동 원리 >< 제너 다이오드의 특성 곡선 >※ 절연 파괴 현상○ 역뱡향 바이어스가 증가되면 p-n 접합부의 공핍층이 넓어지 ... }`=`i- { V_Z} over {R_L }1) 순방향 전압에 따른 전류V_{ f}[V]00.10.20.20.40.50.60.70.8I_{ f}[㎃]000000.00080
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.31
  • 판매자 표지 자료 표지
    [담임/생기부] 고등학교 물리 교과 세특 기재 예문입니다. 개성적이고 창의적인 예문이 모두 22개가 탑재되어 있습니다.
    영역에 따른 도선에 흐르는 전류의 변화에 흥미가 있어, 이 도선에 트랜지스터, 혹은 led를 연결하는 실험을 설계하려고 마음먹었다고 함. 실험을 설계하면서 트랜지스터를 연결 ... 았는데,부상높이를 실제로 보게 되어 궁금증을 해소했다고 함.기재 예시 8조별 활동 과제인 물리 실험 설계를 조원들과 역할을 분담하여 효율적으로 수행했다고 주장함. 맡은 실험의 아이디어
    리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.06.17
  • 전자회로2 보고서 - 1. CE Emitter amplifier
    hort, 단락회로대체2) 모든 커패시터 단락회로 등가대체3) 트랜지스터 ⇒ model4) 회로 다시 그림입력임피던스(Zi)⇒ (가 커패시터에의해 바이패스시 )출력임피던스(Zo ... = Vo/Vi = 600uV/10mV = 0.06이론값AV = - (RC || RL) / re = -(2.8k||10) / 10.57옴 = -0.942re = 26mV/IE = 26 ... = 0.6이론값AV = - (RC || RL) / re = = -(2.8k||100) / 10.57옴 = -9.42re = 26mV/IE = 26mV/2.46mA = 10.57옴
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 77페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.09.23
  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 결과보고서6
    의 래치회로는 4개나 8개의 트랜지스터로 구성이 되기 때문에 DRAM보다는 크기가 크지만, 래치회로는 전원이 끊어지지 않는 한 입력된 신호가 지속되어 기술적으로 동작속도를 높일 수 있 ... 를 인정하고 수정하며, 타인의 기여를 적절히 인정한다.8. 차별 안하기: 인종, 종교, 성별, 장애, 연령, 출신국 등의 요인에 관계없이 모든 사람을 공평하게 대한다.9. 도덕성: 허위 ... 적인 DRAM보다 빠르게 동작하며 주변 제어회로를 간단하게 구성할 수 있기 때문이다. 리프래시가 필요하지 않는 이유는 SRAM이 트랜지스터의 집합으로 만들어져 있기 때문이다.1개
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.24
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    전자공학실험 20장 연산 증폭기 심화 실험 A+ 예비보고서
    가 클 때, 즉 대신호의 경우에는 [그림 22-7]과 같이 입력의 크기에 무관하게 출력이 초기에 선형적으로 정착하는 모양을 보인다. 이는 연산 증폭기 내부의 트랜지스터의 동작 영역 ... 는 최소 신호 레벨을 결정한다. 일반저인 연산 증폭기 토폴로지에서, 여러 가지 소자가 잡음과 오프셋에 기여하여 큰 크기 또는 바이어스 전류를 필요로 하게 된다.[그림 22-8]은 연산 ... 가 더해져야 출력 쪽의 전압이 공통 모드 전압이 나오게 됨을 의미한다. 오프셋이 발생하는 이유는 여러 가지가 있지만, 앞에서 공부한 차동 증폭기 입력 트랜지스터 또는 부하의 불일치
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.11 | 수정일 2024.11.15
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    (한국산업의이해) 우리나라의 중화학공업(자본집약적 장치산업)에 해당하는 석유화학산업, 철강산업, 일반기계산업
    적인 성장은 물론 질적인 성장도 이루어졌다. 철강협회에 따르면 철강산업은 전체 국내총생산의 약 1.8%를 차지하며 총 수출에서는 약 4.7%를 차지한다. 철강산업은 1993년 ... 대에는 디지털 있으나, 개발 비용 및 개발 위험 등은 더욱 커지고 있다.5) 반도체산업반도체 산업의 시작은 우리나라에서는 1965년 미국의 소기업이었던 고미가 간단한 구조의 트랜지스터를 생산 ... 시키고자 하는 목적으로 1969년에 전자공업진흥법이 제정되었고 그에 기초하여 전자공업 진흥 8개년 계획이 수립되었다. 이러한 계획에는 수출진흥, 반도체 제품 개발, 소요자금 조성
    방송통신대 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.19 | 수정일 2023.01.20
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    실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서
    고,I _{D} 전류가 일정하게 유지되려는 방향으로 동작한다.[그림 10-2]의 바이어스 회로에서 트랜지스터에 흐르는 전류는 식 (10.2)와 같이 구할 수 있고, 저항에 흐르 ... 하는 회로임을 알 수 있다.[그림 10-7]은 PSpice 모의실험을 위한 다이오드로 연결된 MOSFET과 저항을 이용한 바이어스 회로도이고, [그림 10-8]은 이 바이어스 회로 ... 의 모의실험 결과이다.[그림 10-7] PSpice 모의실험을 위한 다이오드로 연결된 MOSFET과 저항을 이용한 바이어스 회로[그림 10-8] 다이오드로 연결된 MOSFET과 저항
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25
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2025년 11월 29일 토요일
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