• AI글쓰기 2.1 업데이트
  • AI글쓰기 2.1 업데이트
  • AI글쓰기 2.1 업데이트
  • AI글쓰기 2.1 업데이트
  • 통합검색(27)
  • 자기소개서(18)
  • 리포트(7)
  • 논문(2)
  • 기간
  • 연관순
  • 영역
  • 페이지 수
  • 확장자
  • 할인자료 보기

연관검색어

TCAD 어플라이드 LG전자 HE 사업부
판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"TCAD시뮬레이션" 검색결과 21-27 / 27건

  • 판매자 표지 자료 표지
    삼성전자 공정기술 합격 자기소개서 (2)
    , TCAD 시뮬레이션 등의 프로젝트로 다양한 툴을 배웠습니다.#협력단과대학생회, 멘토링 등 대내외 활동에서 팀원으로서, 리더로서 배운 소통과 협업 능력은 여러 프로젝트에서 성공
    자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06
    다운로드 장바구니
  • 자료 표지
    TCAD 보고서
    2020 SD Theory mid-term project0. 목차1) TCAD시뮬레이션2) T에 따른 JV curves 비교- Silicon (Si)- Germanium (Ge ... - Germanium (Ge)6) Materials에 따른 JV curves 비교- Si, Ge, GaAs, InP7) Discussion8) Reference1. TCAD 시뮬레이션 ... 에서 'resources' - 'tool' - 'PN junction lab'을 통해 프로그램을 실행하여 PN 접합 다이오드 시뮬레이션을 진행하였습니다. 다음과 같이 기본적으로 설정된 파라미터
    리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.06.17
    다운로드 장바구니
  • 자료 표지
    반도체공정설계 silvaco TCAD NMOS설계 및 변수에 따른 최적화(코딩포함, A+보고서)
    채널길이, 도핑 양, 게이트 산화막 두께 및 확산시간에 따른 최적의 문턱전압과 드레인 전류 및 포화정도를 갖는 MOSFET 설계요약문본 설계에서 TCAD를 이용하여 LDD 구조 ... 61.4-㎂, 1.2-㎛ 일 때 101.6-㎂, 0.8-㎛ 일 때 303.3-㎂ 이다. 측정된 시뮬레이션 값에서 채널길이가 감소할수록 드레인 전류가 증가함을 보였다.그리고 문턱전압 ... doping의 양이 더 감소하므로 전체적인 공핍층의 폭은 증가할 것이고 그로인해 저항이 증가하여 드레인 전류는 감소할 것이다. 시뮬레이션 결과 값은10 ^{13}-㎝?²,10
    리포트 | 16페이지 | 3,900원 | 등록일 2020.05.13 | 수정일 2022.09.26
    다운로드 장바구니
  • 자료 표지
    Implant energy 변화에 따른 nMOSFET의 특성
    실험보고서실 험 제 목Implant energy 변화에 따른 nMOSFET의 특성날짜‘08. 6. 9실 험 자소 속정보통신공학 3A성명신길환조41. 실험 목적- nMOSFET에서 Source와 Drain의 Implant energy의 변화에 따른 electron cur..
    리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.22
    다운로드 장바구니
  • 자료 표지
    TCAD를 이용한 반도체 공정 Simulation
    소 속 : 정보통신공학 3A 학 번 : 20042218 발표자 : 제 4조 신 길 환TCAD를 이용한 반도체 공정 SimulationImplant energy 변화에 따른
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.22
    다운로드 장바구니
  • 자료 표지
    T_CAD NMOS_구조 설계
    에서 학습한 NMOS를 TCAD(Technology Computer Aided Design, TCAD는 반도체 공정·소자 현상에 대한 모델링을 기반으로 제품의 특성을 예측하는 기반 ... 기술 분야. 쉽게 말해 새로운 반도체를 만들 때 생산라인에 적용하기 전에 시뮬레이션을 돌려 미리 확인하는 과정.)로 구현해 보고, NMOS의 paramaters를 변경해 봄 ... At위해서 프로젝트 수행 반도체 공정 Tool인 TCAD에 대하여 선수 학습해야 할 필요성이 있다. 본 설계는 이러한 필요성에 따라 학생들에게 TCAD를 선수 학습할 기회를 주
    리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.05 | 수정일 2018.06.21
    다운로드 장바구니
  • 판매자 표지 자료 표지
    Doping물질의 변화에 따른 I-V 특성 관찰 프로젝트
    Doping 물질의 변화에 따른 I-V 특성 관찰목 차 개 요 설 계 배 경 설 계 목 적 및 주 제 설 계 조 건 예 상 결 과 결과 그래프1) 개요 TCAD 를 이용하여 가상 ... 의 변화를 살펴본다 . 예상 결과를 유추하여 실제 시뮬레이션 결과와 비교 분석 한 다 .FET Field-Effect-Transistor 의 약자로서 전계 효과 트랜지스터를 말
    리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.30
    다운로드 장바구니
  • 프레시홍 - 추석
해캠 AI 챗봇과 대화하기
챗봇으로 간편하게 상담해보세요.
2025년 09월 30일 화요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
2:38 오후
문서 초안을 생성해주는 EasyAI
안녕하세요 해피캠퍼스의 20년의 운영 노하우를 이용하여 당신만의 초안을 만들어주는 EasyAI 입니다.
저는 아래와 같이 작업을 도와드립니다.
- 주제만 입력하면 AI가 방대한 정보를 재가공하여, 최적의 목차와 내용을 자동으로 만들어 드립니다.
- 장문의 콘텐츠를 쉽고 빠르게 작성해 드립니다.
- 스토어에서 무료 이용권를 계정별로 1회 발급 받을 수 있습니다. 지금 바로 체험해 보세요!
이런 주제들을 입력해 보세요.
- 유아에게 적합한 문학작품의 기준과 특성
- 한국인의 가치관 중에서 정신적 가치관을 이루는 것들을 문화적 문법으로 정리하고, 현대한국사회에서 일어나는 사건과 사고를 비교하여 자신의 의견으로 기술하세요
- 작별인사 독후감
“EasyAI 가 작성한 문서 초안은 완벽하지 않을 수 있습니다"
EasyAI 이동하기