, Ti SILICIDE ANNEALING시 PHASE TRANSFORMATION이 잘 되도록 하는 것이다. 2.4.2 LDD (Lightly Doped Drain IMPLANT ... ION IMPLANTATION RAPID THERMAL PROCESS1. IMPLANT PROCESS의 이해 2. RAPID THERMAL PROCESS의 이해1/32교 육 목 ... 표1. IMPLANT 공정 개요 --------------------------- 02 2. IMPLANT 공정 분류 및 이해 --------------------- 03 3
을 high doping 해준다.? Surface electric field effect를 이용한 소자의 특성 조절을 위해 표면을 low doping 해 준다. (ex) LDD ... 으로 X-Y electrode의 set를 조정.Figure 2.13 Mechanical scanning of implanted wafersIon beam은 고정되어 있고 wafer가 기.