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지구과학 대기 안정도 pn junction 포아송 방정식

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"포아송방정식" 검색결과 21-30 / 30건

스켈링이론에 가중치를 적용한 DGMOSFET의 문턱전압이하 특성 분석 (Analysis of Subthreshold Characteristics for Double Gate MOSFET using Impact Factor based on Scaling Theory)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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소자 파라미터에 따른 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing Mechanism by Device Parameter of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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비대칭 DGMOSFET의 도핑분포함수에 따른 전도중심과 문턱전압이하 스윙의 관계 (Relation of Conduction Path and Subthreshold Swing for Doping Profile of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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이중게이트 MOSFET의 채널 크기에 따른 문턱전압이하 전류 변화 분석 (Analysis of Subthreshold Current Deviation for Channel Dimension of Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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CAPE와 CINE 비교를 통한 대기 불안정도 측정

하는 데 있어 가장 많이 이용되는 것이 바로 정적안정도(S _{p} )이다. 정적안정도와 관련된 식은 포아송 방정식(Poison’s equation)으로부터 시작된다.theta

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.24

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산화막두께 및 도핑분포에 대한 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Oxide Thickness and Doping Distribution in DGMOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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스켈링 이론에 따른 DGMOSFET의 문턱전압 및 DIBL 특성 분석 (Analysis of Threshold Voltage and DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Based on Scaling Theory)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화 (Deviation of Threshold Voltages for Conduction Path of Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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가우스의 법칙과 포아송 방정식

◎Gauss Law전하나 질량과 같은 근원물질(source)의 주위에 가우스 곡면(폐곡면)을 가정할 때, 폐곡면 바깥으로 흘러나오는 유량은 폐곡면 내부에 있는 근원물질의 전체량에 비례한다는 법칙이다. 주로 전기장을 둘러싼 폐곡면에 대해 수직으로 통과하는 전기장의 흐름,..

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.10

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[전자공학]PN접합 정전기학

PN접합 정전기학2005.12.07(PN Junction Electrostatics)AgendaPN junction in equilibrium -. Forward Reverse bias -. Status after PN junction 2. Idealized profi..

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.11

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