"전계효과트랜지스터"의 검색결과 입니다.

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전자회로 정리 JFET 특성 jfet 트랜지스터 mosfet MOSFET 기본 특성

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"전계효과트랜지스터" 검색결과 21-40 / 759건

P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터 (Investigation of GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistor Using P(VDF-TrFE) Organic/Ferroelectric Material)

한국전기전자학회 한상우, 차호영

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포 변동 효과에 미치는 이온주입 공정의 영향 (Effect of Random Dopant Fluctuation Depending on the Ion Implantation for the Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

한국전기전자학회 박재현, 김민석, 우솔아, 장태식, 김상식

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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강유전체 박막 형성방법에 따른 용액 공정 기반 강유전체 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 의존성 (Dependence of Ferroelectric Film Formation Method on Electrical Characteristics in Solution-processed Ferroelectric Field Effect Transistor)

대한전자공학회 김 우 영, 배진혁

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.10 | 수정일 2025.02.15

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스트레스 감도 향상을 위한 턴 온 직후의 조름 효과를 이용한 얇은 질화막 폴리실리콘 전계 효과 트랜지스터 압력센서 (A Polysilicon Field Effect Transistor Pressure Sensor of Thin Nitride Membrane Choking Effect of Right After Turn-on for Stress Sensitivity Improvement)

한국센서학회 정한영, 이정훈

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.25 | 수정일 2025.05.14

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금속-산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 우주방사선에 의한 총이온화선량 시험을 위한 테스트 베드 (Test-bed of Total Ionizing Dose (TID) Test by Cosmic Rays for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET))

한국항공우주학회 신구환, 유광선, 강경인, 김형명, 정성인

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화 (The Change of I-V Characteristics by Gate Voltage Stress on Few Atomic Layered MoS2 Field Effect Transistors)

Atomically thin MoS2 single crystals have a two-dimensional structure and exhibit semiconductor properties,and have therefore recently been utilized i..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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화학기상증착법을 통해 합성된 그래핀 및 MoSe2를 이용한 반데르발스 수직이종접합 전계효과 트랜지스터 (Field-effect Transistors Based on A van der Waals Vertical Heterostructure Using CVD-grown Graphene and MoSe2)

한국접착및계면학회 최선연, 고은비, 권성균, 김민희, 김설아, 이가은, 최민철, 김현호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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이온성 첨가제 도입을 통한 고이동도 고분자 반도체 특성 구현과 유기전계효과트랜지스터 및 유연전자회로 응용 연구 (High-Mobility Ambipolar Polymer Semiconductors by Incorporation of Ionic Additives for Organic Field-Effect Transistors and Printed Electronic Circuits)

한국전기전자재료학회 이동현, 문지훈, 박준구, 정지윤, 조일영, 김동은, 백강준

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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전계효과트랜지스터 기반 반도체 소자 응용을 위한 스프레이 공정을 이용한 nc-ZnO/ZnO 박막 제작 및 특성 분석 (Morphological and Electrical Characteristics of nc-ZnO/ZnO Thin Films fabricated by spray-pyrolysis for field-effect transistor application)

한국반도체디스플레이기술학회 조준희

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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N형 고분자 반도체의 전하주입 특성 향상을 통한 저전압 유기전계효과트랜지스터 특성 연구 (Low-Voltage Operating N-Type Organic Field-Effect Transistors by Charge Injection Engineering of Polymer Semiconductors and Bi-Layered Gate Dielectrics)

한국전기전자재료학회 문지훈, 백강준

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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TIPS-pentacene:ph-BTBT-10 혼합 유기반도체가 유기전계효과트랜지스터 광반응 특성에 미치는 영향 (Effects of Blended TIPS-pentacene:ph-BTBT-10 Organic Semiconductors on the Photoresponse Characteristics of Organic Field-effect Transistors)

한국청정기술학회 박채민, 이은광

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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Technology Computer-Aided Design과 결합된 SPICE를 통한 금속-강유전체-반도체 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 해석 (Electrical analysis of Metal-Ferroelectric-Semiconductor Field-Effect Transistor with SPICE combined with Technology Computer-Aided Design)

한국마이크로전자및패키징학회 김용태, 심선일

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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강유전체게이트 전계효과 트랜지스터의 정보저장특성 향상을 위한 SrBi2Nb2O9박막의 급속 결정성장방법 (Rapid grain growth of SrBi2Nb2O9 thin films for improving programming characteristics of ferroelectric gate field effect transistor)

한국마이크로전자및패키징학회 이창우

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게이트 절연막에 의한 다이아몬드 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 계면의 전기적 특성 개선과 전계효과 트랜지스터에의 응용 (improvement of electrical properties of diamond mis(metal-insulator-semiconductor) interface by gate insulator and application to metal-insulator-semiconductor field effect transistors)

화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04

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유연한 폴리이미드 기판 위에 구현된 확장형 게이트를 갖는 Silicon-on-Insulator 기반 고성능 이중게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 (High-Performance Silicon-on-Insulator Based Dual-Gate Ion-Sensitive Field Effect Transistor with Flexible Polyimide Substrate-based Extended Gate)

한국전기전자재료학회 임철민, 조원주

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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포토리소그래피 공정만을 이용한 단일벽 탄소 나노튜브의 자가 조립 공정에 대한 연구와 단일벽 탄소나노튜브 다중채널 전계효과 트랜지스터 제작 (Study on the Self-assembled Process of Single-walled Carbon Nanotubes (SWNTs) Fabricated Using Only Photolithography and the Fabrication of SWNT-based Multi-channel Field-emission Transistors)

한국물리학회 김경헌, 김태근, 김선호, 변영태

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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전계효과 트랜지스터(FET) 피피티발표자료

전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor)목차 전계효과 트랜지스터란 ? MOSFET 구조 증가형 MOSFET 동작원리트랜지스터는 3 개의 반도체가 접합 ... Transistor 의 줄임말 .) 전계 효과 트랜지스터 (FET) 란 ?FET 의 종류 FET 는 접합형과 절연 게이트형 ( MOS 형 ) 이 있고 , 다시 각각 n 채널형과 P ... 채널형 으로 나눈다 . 전계 효과 트랜지스터 (FET) 란 ?MOSFET 의 구조 드레인 : 소스에서 공급된 캐리어가 채널영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자 . 게이트

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.01.21

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제10장 전계효과 트랜지스터의 특성 결과보고서

- 5 -제10장 전계효과 트랜지스터의 특성전자공학부 전자공학실험2제10장 전계효과 트랜지스터의 특성(결과보고서)교수님실험실 :실험일자 :제출일자 :1. 실험 목적전계 효과 ... 트랜지스터의 전기적 특성을 측정하여 MOS 전계 효과 트랜지스터의 동작 원리를 이해하고 직류 등가 모델의 파라미터를 구한다.2. 실험 내용1) MOS 트랜지스터는 정전기 방전(ESD ... {1 - root {I_D1 over I_D2}} = 1.25V9) MOS 전계 효과 트랜지스터의 직류 출력 특성을 얻기 위하여 그림 10.11의 회로에서V_Gs = 1.5V로 일정

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.07 | 수정일 2020.02.09

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제12장 전계효과 트랜지스터 증폭기 결과보고서

- 6 -제12장 전계효과 트랜지스터 증폭기전자공학부 전자공학실험2제12장 전계효과 트랜지스터 증폭기(결과보고서)교수님실험실 :실험일자 :제출일자 :1. 실험 목적전계 효과 ... 트랜지스터의 소신호 동작과 등가 회로를 이해하고 대표적인 MOSFET 증폭기들을 해석한다. 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭 현상을 관측하고 증폭기의 특성을 측정 ... 하여 입력과 출력 신호 파형을 관측하여 그림 12.9에 기록하라. 부하 효과로 인한 동작점의 이동을 방지하기 위하여 입력 신호를 관측하는 채널의 프로브는 게이트 결합 커패시터의 왼쪽

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.07 | 수정일 2020.02.09

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제11장 전계효과 트랜지스터의 바이어스 결과보고서

- 6 -제11장 전계효과 트랜지스터의 바이어스전자공학부 전자공학실험2제11장 전계효과 트랜지스터의 바이어스(결과보고서)교수님실험실 :실험일자 :제출일자 :1. 실험 목적 ... _{G}를 측정하라. 분산값은 트래지스터만 다른 트랜지스터로 대체하고 측정하여 구한 값이다. 오차는 설계값에 대한 분산값의 상대 오차이다. (측정한V _{G}=2.12V)동작점V ... 으로 11.13의 회로를 구성하라. 스위치 실험의 안테나와 발광 다이오드는 그대로 사용한다. 가변 저항기를 조절하여 LED가 빛을 내지 않다가 빛을 내기 시작하는 상태로 트랜지스터를 바

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.07 | 수정일 2020.02.09

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