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tcad cmos mos capacitor 제작 반도체공정 silvaco cmos 반도체 design rule fram
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"cmos공정" 검색결과 361-380 / 485건

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    [반도체 ]반도체
    를 이루게 되었다.한 편 Shockley는 Pearson 과 함께 박막형 반도체에서 반도체 표면의 전하량을 조절하여 전기 전도도를 변화시키는 증폭소자인 MOS트랜지스터의 구조 ... 에 대하술의 수준이 초보적인 단계여서 재현성 있는 소자의 동작을 얻기에는 미흡한 상태였다. 더구나 MOS 트랜지스터의 경우에는 그 구조가 간단하다는 큰 장점에도 불구하고, 절연막 ... 의 주종을 이루어다. 재현성 있는 MOS 기술의 개발은 결국 1960년대에 들어서야 Bell 연구소의 한국인 강대원 박사에 의해 이루어지게 되었고, 그후에야 비로소 MOS 소자
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.27
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    CVD&PVD
    성장 공정으로 현재 공업적으로 확산되어 지금은 여러 박막제조공정에 이용되고 있다. 그러나 일반적으로 이 방법을 이용하여 실용성이 높은 박막을 만들 때 에는 아주 고온을 필요로 하 ... 게 되는데 그렇게 되면 공정상 고온을 생성하는데 공정상 어려움이 많게 되고 플라스틱이나 글라스 등 저융점의 기판을 사용할 수 없게 된다.이러한 단점을 극복하기 위하여 PECVD공정 ... 가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고, 이 분해된 가스원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착시키는 공정이다. 따라서 기존의 CVD가 열에너지를 반응에 필요
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01
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    이산화티타늄(TiO2) 조사와 국내외 시장현황
    방법은 황산법과 염소법이 있다. 황산법은 액상공정에 따르며 에너지 소비가 크고 공정상에서 황산철과 폐산이 발생, 환경처리비용이 높은 것으로 알려져 있다. 또한 백색도 및 내후성 ... 이 염소법에 비해 낮은 것으로 알려져 있다. 염소법은 기체상에서 공정이 행해지므로 염소가스의 재사용이 가능하고 폐기물 발생비율이 황산법에 비해 낮은 것으로 알려져 있다.4. 광촉매 ... 하다는 면에서 보다 편리하다. 또한 광촉매는 값이 싸고 대량생산과 태양광 사용이 가능하여 그 이용면에서 보다 용이하다. 더불어 유독한 산화제를 필요로 하지 않기 때문에 공정이 보다 안전
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.09
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    IT와 경영정보시스템 (1) 컴퓨터 시스템의 기억장치로서의 RAM과 자기디스크 장치의 비교와 (2) 어드레스 라인 개수에 따른 RAM 용량 계산 (3) 컴퓨터 소프트웨어의 종류에 대한 기술
    )은 RAM의 종류와 그 계통을 나타낸 것이다.반도체 RAM은 ROM과 같이 바이폴라나 MOS로 구성되며, RAM은 MOS 플립플롭의 조합으로 구성된 SRAM(Static RAM ... 트랙을 지원한다. 헤드는 디스크 표면과 접촉하지 않는다.대부분의 고속동작의 메커니즘에서, 압축 공기 피스톤(compressed air piston)은 헤드를 디스크쪽으로 혹은 에어 ... 쿠션(air cushion) 안으로 이동시키는 데 사용된다. 하드디스크 메모리는 전형적인 10∼40ms의 액세스 시간을 갖는데, 기본적으로 이것은 읽기/쓰기 헤드(read
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    | 리포트 | 13페이지 | 3,500원 | 등록일 2007.09.22
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    [트랜지스터][전자관][반도체][집적회로]트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호, 트랜지스터의 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법
    트랜지스터2. 전계효과 트랜지스터(FET)1) 접합형 FET(J-FET)2) MOS-FETⅤ. 트랜지스터의 기호와 명칭Ⅵ. 트랜지스터의 장단점1. 장점2. 단점Ⅶ. 트랜지스터의 증폭작용 ... (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드(grid) G, 양극(plate) P와 비슷한 역할을 한다.이로부터 어느 ... : 전기 흐름의 모태가 되는 것)가 양쪽 모두에서 활약하는 것이 바이폴러 트랜지스터이다.+의 캐리어는 정공(hole)이라 하고, _의 캐리어는 전도전자(conduction
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    | 리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.17
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    [전자전기일반]CMOS, Pseudo-NMOS, 통과 트랜지스터, 동적(Dynamic) 논리 회로, Latch, flipflop에 대한내용정리
    한다. 이 기술은 바이폴라 회로에서는 쓸 수 없다.c. MOS 트랜지스터의 크기, 즉 최소로 줄일 수 있는 채널 길이는 지난 몇 년 동안 극적으로 줄어 왔으며, 최근 채널 길이 ... part 1.1. Mos 디지털 회로2. CMOS 논리-게이트 회로3. 의사-NMOS(Pseudo-NMOS) 논리 회로4. 통과 트랜지스터(Pass_Transistor) 논리회로 ... 5. 동적(Dynamic) 논리 회로part 2.1. 래치(latch)2. 플립플롭(flip-flop)part 1.1. Mos 디지털 회로가) 디지털 회로 설계1) 디지털 IC
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    | 리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.16
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    반도체(반도체산업)의 정의, 반도체(반도체산업)의 발전, 반도체(반도체산업)의 제조과정, 반도체(반도체산업)의 이용, 반도체(반도체산업)의 현황, 반도체(반도체산업)의 강화방안, 반도체(반도체산업)의 산업전망
    가지가 있다. 트랜지스터는 각각 베이스(B), 이미터(E), 컬렉터(C)라는 3개의 전극을 가지고 있으며, 스위치작용이나 증폭 작용이 있다. IC(집적 회로)는 여러 개 ... 복잡한 공정을 거쳐 비로소 한 개의 반도체가 탄생한다는 것을 알 수 있다.1. 웨이퍼 제조 및 회로 설계단결정 성장고순도로 정제된 실리콘 (규소) 용액을 주물에 넣어 회전 ... 는 것과 다를 바 없다. 동판화 제작 과정을 보자. 동판 위에 파라핀을 바르고 (반도체의 감광액) 표면을 불로 그을린 뒤 (반도체의 산화 공정) 그 위에 날카로운 송곳 같은 것
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    | 리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.08.29
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    반도체 제조공정 실험
    게 알수 있다.C=ε0εrA/t(여기에서 ε0는 진공유전율, εr는 의 유전상수, t는 산화막의 두께, A는 면적이다.)초기 산화막두께와 공정시간에대한 표를비교해서, 산화물의 두께 ... 반도체 제조공정 실험■ 제목습식산화■ 실험목적산화공정의 진행순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다.■ 이론적 배경보통 실리콘 기판을 800℃이상의 고온 산화 ... )방식의 기본이며, MOS구조에 있어서는 Gate 절연막이 된다.이들 산화막의 형성에는 청정한 분위기의 확산로가 쓰여지며, 철저하게 세정을 실시한 웨이퍼가 사용된 다. 보통, 막
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.01
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    납땜 요령
    나 핀섹 등을 잡고 열을 분산시키는 방법을 사용한다.3) C-MOS IC, MIS FET 등 정전기에 약한 부품의 납땜에는 접지 극이 있는 납땜 인두를 사용한다.4) 납땜인두로 납땜 ... 이 450°C보다 높은지 낮은지를 구별하여, 이것보다 고인이 아니면 녹지 않는 납을 사용하는 것을 경납땜 또는 Brazing이라 하고, 녹는점이 이보다 낮은 납을 사용하는 것을 연납 ... 한다.납 잡는 법은 그림3의 (c)처럼 끝부분에서 3~5cm 떨어진 부분을 엄지와 인지로 잡고 중지를 대어 납의 공급이 원활하도록 한다.밑의 그림은 납의 종류에 대한 표이다.그림
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.18
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    플라스티신을 이용한 압축 모사 실험 및 CAE해석
    공정에서의 마찰계수로 판단되는 0.1의 마찰계수와 가장 유사한 조건을 만족하는 윤활제인 테플론 테입을 감은 후에 이황화 몰리브덴(MoS2)분말을 도포하여 것을 사용할 경우, 0 ... 과 CAE의 재료 거동을 활용한프로그램을 통하여 해석 되어 지는 수치 및 모사 과정을 이해Ⅱ 문 헌 조 사? 플라스티신의 장점단조 공정이 설계를 위하여 실소재를 이용한 실험을 할 경우 ... 에는 단조하중이 크게 걸리고, 경제적인 면에서 비용이 많이 소요되기 때문에 공정을 개발하는 데 많은 문제점들이 있다. 이에 적절한 금형 및 공정설계 그리고 소재형상의 선택을 위해서
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.08
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    [직접회로] CMOS 공정 과정
    PHOTORESISTMASKN-CHANNEL..PAGE:3CMOS공정의 첫 번째 단계로서 산화막 층을 성장시키게 됩니다.이 산화막 층은 앞으로 있을 공정에 대비한 기판 stress를 줄이기 위한 것 ... 입니다.여기서는 습식산화 방식에 의해 성장시켰습니다.N-type SubstrateSio2 [산화막]1) WELL OXIDATION..PAGE:42) WELL PHOTOCMOS공정 중 ... SubstrateSio2 [산화막]Photoresist[감광막]MASK..PAGE:53) OXIDE ETCH건식 식각에 의해 산화막을 식각 공정 합니다...PAGE:64) P/R
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    | 리포트 | 44페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.22
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  • 자료 표지
    [공학]강유전체와 fram
    perovskitematerials(ex. Pb(Zr,Ti)O3)등을 들 수 있다. 전자는 기록/삭제의 반복에 따른 피로(fatigue)가 없는 특성 때문에 많은 연구가 행하여졌으나, 공정온도 ... 가 700℃이상으로 집적회로공정에 적용하기에는 너무 높은 단점이 있다. 후자는 높은 공정온도를 요하지 않는 장점이 있으나, Pt 전극에 집적하였을 경우 피로문제가 발생하게 된다 ... Transistor)형0FET형 FRAM은 기존의 MOS FET에서 Gate oxide를 SiO2 대신에 Ferroelectric Material로 대체한 것이다. 그림 5
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.11
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Physics and  Operation of ESD Protection Circuit Elements
    의 발달로 작아지고 있는 MOS gate-oxide에서의 overstress 및 MOSFET으로 구성된 보호회로에서 발생하는 leakage current 등의 문제로 인해 나노소자기반 ... 적 저항 R은 도체의 길이(l)에 비례하고 단면적(S)에 반비례한다.* 저항률(Resistivity)와 도전률은 역수관계이다.* 저항률 (Resistivity)* 도전률(c ... Physics and Operation4.4 BJT Device Physics이미터 주입효율 (r)이미터에서 Base로의 주입효율The current gain as a
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    | 리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.10 | 수정일 2015.01.28
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  • 자료 표지
    [공학기술]고주파유도로란
    스테인레스스틸성분0.8% C1.0% Si2.0% Mn0.04% P0.03% S9.0% Ni19.0% Cr2.0% MoFe 와 합금의 비율Cr 60%Si 25%Nb 67%V 80 ... 제어는 출력전압, 전류의 위상각 제어에 의해 이루어 지므로 고속응답 제어가 가능하 다. 본고주파가열장치는 첨단기술로 집약된 고효율, 초소형, 경량화를 위한 반도체(MOS-FET ... 유도가열장치는 용해, 열처리 단조가열, 브레징, 용접 등의 다양한 금속 제조공정에 필수 불가결한 장비로서 에너지의 효율화 작업환경의 청정화, 제품품질의 고급화, 생산량의 극대화(다
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.11
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    [공학]SRAM
    로서, 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하며, 동작 속도가 느리기는 하지만 복잡한 재생 클록(refresh clock)이 필요 없기 때문에 소용량의 메모리나 캐시메모리(c ... ache memory)에 주로 사용한다. 정적 램은 동적 램에 비하여 가격이 비싼 편이다. 정적 RAM의 구조는 MOS FET 4∼6개로 된 플립플롭 메모리 셀로 구성되어 있 ... SRAM성능 추구형 수퍼 컴퓨터에서의 메모리와 범용 대형컴퓨터의 캐시메모리에 응용됨. 고속화에 따른 과제 : 잡음 대책, 회로의 고속화, 새로운 공정기술의 계발 등 LOC 구조
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    | 리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.29
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    NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향
    보다 우수한 집적도로 인해 비트 density증가 및 bit cost 감소에 유리하여 대용량 저장매체로서 그 수요가 신장되고 있다.플래시 메모리 기술은 EPROM과 EEPROM 의 장점 ... oxide-nitride-oxide-silicon: 게이트에서 채널 방향으로 본다. 층 구조의 첫 글자를 따서 SONOS라 부름)와 NFGM이 다. 이들의 제작공정은 기존의 플래시 기술 ... 에 의해 다양한 종류의 셀 구조(architechure)가 제안되어 왔다. 이렇게 다양한 셀 구조는 각 회사가 갖고 있는 특허 또는 공정, 설계 및 제품 기술력 그리고 시장 예측 및
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    | 리포트 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24
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  • 자료 표지
    [반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산
    공정 및 레이아웃i. MOS 공정 : nMOS, pMOS*nMOS 공정 순서1. p sub에 초기산화막, 질화막 생성2. Field Oxide 생성3. 초기 산화막, 질화막 제거4 ... . Contact cut 생성9. Metal wire 생성{{{{ii. CMOS 공정*p-well 공정 :- nMOS : n sub + p well- pMOS : n sub*N ... ) Epitaxy 공정뜻: 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 두께 0.5~20um 의 고순도 결정층 형성원인: 저온성장 가능으로 불순물 혼입 감소결정의 완전성이 뛰어남공법 : LPE
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24
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    삼성반도체 기업 발표자료
    을 개발하는 과정에서 기술선택의 문제되어 기술을 과감히 버리고 당시의 추세에 부응하여 C-MOS로 설계를 변형하였다.10/20경쟁과 행운의 결실D 램 위험독자 기술개발 성공삼성 ... /20삼성 반도체의 성공요인08. 기술의 투자이다. 09. 미국의 설계기술과 일본의 공정기술을 적절히 도입함으로써 양국의 장단점을 취할 수 있었다. 10. 정부의 강력한 지원 ... 과 과감한 집중투자를 들 수 있다. 11. 메모리 공급량, 공급시기의 적절한 설정이다. 12. 대량생산체제 구축과 신제품 개발의 속도전 13. 생산비용 절감을 위한 다양한 공정혁신16
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.03
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  • 자료 표지
    현대-LG반도체 M&A 사례(하이닉스 탄생)
    재고/생산비율 추이1) 재고 및 생산은 MOS집적회로(일관공정) 기준임2) 재고는 stock, 생산은 flow개념으로 재고/생산비율은 월말 재고수준이 월 생산에서 차지하는 비율 ... 달러. %)1997(A)1998(B)1999(C)2000(D)증 감 율B/AC/BD/CD/A공급생산(a)19,94017,19521,91427,814△13.827.426.911.7수입 ... (b)12,88812,24616,13020,039△5.031.724.215.9계32,82829,44138,04447,853△10.329.225.813.4수요내수(c)15,40412
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.30
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  • 자료 표지
    반도체 lithography process (노광공정)
    하고 다품종 소량 생산에의 장점이 커서 무리 없이 여러 제조회사에서 제품 생산에 사용을 하였다.80년대 들어서는 MOS형 구조를 갖는 DRAM 소자의 급격한 수요와 빠른 개발 ... 은 Acid ＞ Resin ＞ PAC+Resin compound 순서의 성질을 갖는다. 노광시 resist의 광흡수 특성은 Dill's A, B, C parameter로 나타내고, PAC ... 에 의한 에너지 흡수계수(A), resin 및 기타 첨가제에 의한 흡수계수(B), 및 PAC의 decomposition rate(C)는 resist 두께 변화에 따른 light
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    | 리포트 | 62페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.04
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2025년 11월 27일 목요일
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