"전자실험결과레포트"의 검색결과 입니다.

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시립대멀티미터 전자회로실험6장 전전설3 RLC 전자회로 전전설3 비동기 카운터 레포트 기초회로실험 32장 공통소오스증폭기 BJT 기본 특성

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"전자실험결과레포트" 검색결과 361-380 / 5,413건

기초전자회로실험 예비, 결과 레포트(증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱)

째 실험은 VGS값이 2V, 4V, 6V, 8V, 10V로 각각 고정시켰을 때 VDS값의 증가에 따른 ID값이 변화를 보는 실험이었는데 그 결과 고정된 VGS값에 대해서 증가하는 VDS ... 이번 실험은 증가형 MOSFET을 사용하여 VGS와 VDS의 변화에 따른 ID의 측정과 증가형 MOSFET의 마디전압값을 측정하는 실험이었다. 먼저 VDS값을 고정시키고 VGS ... 에 따라 ID가 급격히 증가하다가 어느 지점부터 기울기가 급격히 줄어들다가 거의 일정해졌다. 실험에서 값이 소폭 작아적다가 커졌다 하는 변화가 있었는데, 만약 이상적인 MOSFET

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.23 | 수정일 2015.09.20

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(완전 세세한 정리, 끝판왕) 시립대 전전설2 8주차 Lab08 결과 레포트 7-segment and Piezo Control, 전자전기컴퓨터설계실험2,

전자전기컴퓨터공학부 설계 및 실험2Post Lab-08Peripherals(7-segment and Piezo Control)실 험 날 짜학 번이 름목차1. 실험 결과 ... ··········································241. 실험 결과(1) 실습1설계 조건4-bit up counter의 출력 값을 single FND에 표시1. up counter 설계2. static 7 s ... egment를 모듈화해서 사용codeCombo box실험결과(2) 실습2설계 조건Design counter with Piezo 동작 검사1.TOP module 설정2. 첫 번째 모듈

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.28 | 수정일 2020.09.24

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전자 회로 실험 결과 레포트 - 광전자 소자

전자 회로 실험 6주차 결과 Report 실험 6 – 다이오드 리미터와 클램퍼1. 직렬 다이오드 리미터(1)과정 4 : V p-p = 8.91V[Discussion] :직렬 ... 듯 함.3. 바이어스 2중 다이오드 리미터(4)과정 11 : V p-p = 11.72V[Discussion] :완전한 바이어스 2중 다이오드 리미터 회로의 결과. Vaa=10V ... 로서 이론적인 Peak 값은 18-10=8V 가 되는걸로 예 상 했으나, 결과는 11.72V라는 큰 PKPK를 확인할 수 있었음. S2다이오드가 불안정한 모습을 보여 오차가 커진 듯

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.26

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전자공학실험 결과레포트-motor

실험2. 회전 속도계 구성(종이 가리기 전)(종이 가리기 후)? 종이 가리기 전보다 후에 그래프 곡선들이 밑으로 내려온것을 확인할 수 있다.-2 V80.165 Hz-4 V204 ... .664 Hz-6 V335.786 Hz-8 V467.732 Hz-10 V596.236 Hz-12 V707.799 Hz실험3. 회전 운동 시스템 구성VPSRPM-2V4845-4V ... 6881-6V8717-8V6135(?)● -2V● -4V● -6V● -8V이번 실험은 DC 모터에 관한 실험이었다.실험 4에서는 회전 운동 시스템을 시험해 보았다. 잡음이 많이 나왔으며

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.12

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연세대학교 일반물리실험2 전자기유도 결과보고서 결과레포트

1. 실험 결과 및 분석1) 유도기전력․◆ 곡선의 면적이 나타내는 물리적인 의미는 무엇일까? 유입플럭스(Incoming flux) 와 유출플럭스(Outgoing flux)를 비교 ... 를 알아보는 실험이었다. 실험결과에서는 이론과는 달리 전압비와 권수비(코일을 감은 횟수의 비)가 일치하지 않았는데, 승압의 경우에는 권수비보다 작은 비율로 승압되었고, 강압시킬 때는 그 ... ) = 1.00:0.380◆[생각해 볼 사항]․ 전압비는 권수비와 같은가? 발생하는 오차에 대해 어떻게 설명할 수 있는가?▷에너지 손실로 인해 같지 않다. 그리고 우리가 실험

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.25

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전자회로실험 결과 레포트 -접합다이오드

실험 1. 접합 다이오드전자회로실험 실험 결과 Report과 목:전자회로실험 1학 과:전자공학과조:7조학번/이름:EPORTR1. 목 적(1) 접합 다이오드의 극성을 판별한다.(2 ... ) 접합 다이오드의 동작특성을 이해한다.(3) 접합 다이오드의 전압-전류특성을 측정한다.2. 실험 결과(1) 다이오드의 극성P형과 N형 실리콘을 서로 결합하면 접합다이오드가 만들 ... 어진다. 순방향 바이어스를 가하는 경우, P형 쪽에 전지의 (+)극을, N형 쪽에 전지의 (-)극을 연결하여야 한다. 반도체 내에서는 전하를 띠고 있는 알갱이(Carrier)가 전자

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.04

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기초전자회로실험 예비, 결과 레포트(가중 가산기와 차등증폭기, 반전적분기)

이번 실험은 가중 가산기와 차동 증폭기, 반전 적분기 회로의 입력 전압과 출력 전압 파형을 측정하는 실험이었다. 예비레포트 시뮬레이션 결과에서 예상했던 것처럼 가중 가산기회로

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.23 | 수정일 2015.05.07

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전자공학실험 결과레포트-다이오드

실험1. diode test 및 극성의 결정1) DMM을 사용한 극성 결정*다이오드(순방향이면 good이라는 표시가 나오고, 역방향이면 open이란 표시가 나옴)순방향- 0.35 ... 턱전압 : 0.6V*LED 노랑문턱전압 : 1.777V알려진 LED의 문턱전압 : 1.8V*LED 빨강문턱전압 : 1.667V알려진 LED의 문턱전압 : 1.8V실험 2. 정류회로 ... 제작1) 반파 정류 회로의 제작2) 전파 정류 회로의 제작첫 번째 실험에서는 DMM로 Diode, LED의 극성을 결정하는 실험이었다. (다이오드: 순방향-Good, 역방향

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.12

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전자공학실험 결과레포트-JFET

실험1. JFET을 이용한 증폭회로 구성(R1-27kΩ, R2-5.1kΩ)=1.013 mA=0.799 mA=0.808 mA이번 실험은 JFET의 동작특성과 증폭기 응용회로에 관한 ... 실험이었다. 증폭 회로는 JFET의 Gate에 순 바이어스를 걸어주어 Channel이 작아지는 효과를 만들어 Drain에서 Source로 흐를 때 저항 값을 작게 만들어 전압

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.12

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[기초 전자공학 실험] JFET 특성 결과 레포트

은 VGS = 0V에서의 전달 컨덕턴스이다.a. 단계 1)의 실험결과를 이용하여 gmo를 결정하라.(계산치) gm = 3.05b. 그림12-2의 전달곡선을 참고하여, 쇼클리방정식의 기울기 ... [1] 실험 목적JFET 트랜지스터의 출력과 전달특성을 구한다.[2] 실험 장비계측장비 : DMM부품 : 저항 ( 100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 5KΩ 전위차계, 1MΩ 전위차계 ... 성 트랜지스터)- 자유전자와 정공 중 하나만이 전도 현상에 참여* JFET의 구조- n-channel : 전류 전도 현상에 자유전자가 참여- p-channel : 전류 전도 현상

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.21

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[기초 전자공학 실험] BJT 특성 결과 레포트

하는 이유는?Si 다이오드의 문턱 전압은 0.7이며, 실험 결과 VBE의 실제 평균값에 가깝기 때문이다.[5] 결론 및 고찰Q) β = α / (1-α), β = IC / IB 인데, 두 ... 었다.실험에 앞서 가장 먼저 해야 할 것은 트랜지스터의 단자 식별이다. 측정 결과, 2번째 단자를 양의 리드에 연결하였을 때 미터 값이 낮게 나왔으므로 중앙단자가 베이스이며, 실험에 사용 ... [1] 실험 목적1. DMM를 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.2. 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.3. 트랜지스터의 α와 β값을 결정

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.21

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[기초 전자공학 실험] 오릴로스코프 결과 레포트

으로 GND를 0으로 맞춘다.(5) 오실로스코프의 VOLTS/DIV와 A TIME/DIV로 수평감도와 수직감도를 조절하여 결과값을 측정한다.5. 실험 결과피크 대 피크 : 8Vp-p ... 6. 결론 및 고찰이번 실험 목적은 전자 장비의 설계 및 보수에 필수적이며, 기본적인 오실로스코프의 기본 사용법을 익히는 것이었다. 오실로스코프의 용도는 전자 분야에만 국한되지 않 ... 하였다. 수평감도 또한 같은 원리로 단위는 ms/Div 을 쓴다.실험 결과, 정확하고 깨끗한 파형을 나타내었지만 함수발생기에서 정확한 주파수를 잡지 못해서 오차 범위가 커졌다. 함수

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.21

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[전자컴퓨터실험결과레포트] 접합다이오드 특성 결과

k QUOTE 역방향 : 5.791 k QUOTE 이 실험은 다이오드에 바이어스를 걸어주었을 때의 전압,전류를 통하여 특징을 알 수 있었던 실험이었다. 다이오드의 Anode에 ( ... 이어스일때 실험에서 알 수 있듯이 전류가 흐르고 저항이 적게 측정되지만, 역방향 바이어스일때는 전류가 거의 흐르지 않으며 위 실험에서 계산된 다이오드 저항값을 봐도 매우 큰 것 ... .835.15-400.4순방향바이어스 걸어줬을 때0V 일 때 전류 -0.003mA0.3V일 때 전류는 -0.003mA 0.7V 일때 전류 7.495mA이 실험은 다이오드의 전압-전류

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.23

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[일반 물리학 실험II] (전자 측정 연습) 결과리포트

ms/(TIME/DIV * 한 주기의 수평칸수)로 구한다. ()2. 실험 결과실험1)직류전압 측정에서는 오실로스코프의 VOLTS/DIV를 [1V]로 하면 화면에서 보이는 수직 ... 값의 로터리 스위치를 바꿀때에는 반드시 전원을 끄고 바꾸어야만함을 유의한다. 그렇게만 주의를 잘 기울인다면 더 좋은 실험결과를 얻어낼 수 있었을 것이다. ... 학과:사회환경시스템공학부 토목공학전공1.측정값실험1) 직류전압 측정직류전원 공급기오실로스코프멀티미터VVOLTS/DIV수직칸수VRANGEV0.50.51칸0.5V4V0.517V1

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.21 | 수정일 2014.08.23

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[기초 전자공학 실험] 정류 회로 결과 레포트

실리콘(si) 다이오드의 천이전압은 약 0.57V로 실험 결과 약 0.5V 정도 전압 강하되어 정방향 역방향 각각 2.36%, 19.97%의 오차률을 가졌다. 또한 저항과 다이오드 ... [1] 실험 목적반파 및 전파 정류회로를 통해서 정류원리를 익힌다.[2] 실험 장비계측 장비 : 오실로스코프, DMM부품 : 저항 2.2kΩ(2개) • 3.3kΩ(1개 ... 게 된다.[4] 실험 과정1) 문턱 전압Si 다이오드 하나를 선택하여 천이전압 VT를 결정하라.VT = 0.568 V2) 반파 정류a. 단계 1)에서 선택된 다이오드를 사용, 다음

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.21

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전기전자 기초실험 공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기 예비, 결과 report

전기전자공학 기초실험chapter12. 공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기?실험목적? 공통 베이스와 이미터 플로우(공통콜렉터) 트랜지스터 증폭기에 있어서 전압증폭 ... 로우 입력저항H. 에미터 폴로우 (EF) 출력저항계산치 (Z _{O} =r _{e})Z _{O}16.56전기전자공학 기초실험chapter12. 공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 ... 증폭기?실험결과※ 공통 베이스 직류 바이어스실험값계산값(시뮬)오차 (%)V _{B}2.24V2.32V3.44V _{E}1.58V1.62V2.46V _{C}5.10V5.12V0.39I

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.24

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기초전기전자실험-레포트 결과1(JFET biasing)

전자회로실험결과보고서(JFET 증폭실험)1.실험 목적Op-amp와 전계효과 트랜지스터 JFET소자를 이용하여 JFET소자의 가변 저항으로써의 역할과 증폭도를 알아본다.2.실험 ... 에 따른 증폭변화 확인5) VGD의 값과 IDS의 값을 측정하여 본다.6) 측정한 VGD의 값과 IDS의 값을 이용하여 RDS의 값을 구해본다.4.실험 결과저항의 값을 변화를 줬을때 ... 는 최소 0.0V까지 입력 파형이 조절되는 것이었다. 이를 통하여 입력 파형 신호가 크면 증폭파형이 찌르러 질 수 있다는 사실을 알게 되었고, 정확한 실험 결과 값을 얻기 위해서는 실험

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.21

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전자회로실험) mosfet 특성 결과레포트

◎ 실험결과직류전원2N7000 (n-MOSFET)멀티미터0.0 V1.0 V2.0 V3.0 V4.0 V5.0 V0.0 V0000000.2 V00.010mA22.2mA30.1mA47 ... 은 MOSFET의 세 단자인 소스(Source:S), 게이트(Gate:G), 드레인(Drain:D)의 특성을 알아보는 실험이었다. PSPICE Simulation 이론값과 실험 결과값의 오차 ... 7000은 Saturation 상태가 되었다.* 결과값과 PSPICE 이론값의 오차1)에서 생각한 오차① 이론값이 0 이기 때문에 오차를 구할 수 없음.② 이론값이 0 이기 때문에 오차

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.26

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전자공학실험 결과레포트-디지털IO

다. DC를 구하는 방법은/T을 하면 되는데, 계산한 결과 0.5가 나왔다. 실험3에서는 555 디지털 클럭을 4비트 디지털 카운터에 신호를 주어 그 신호를 확인 하는 것이었는데 이 ... 번 실험 결과를 이야기하면, Q1이 두 번 깜박일 때 Q2는 두 번 깜박이고, Q2가 두 번 깜빡일 때는 Q3가 두 번 깜박인다. 역시 Q3가 두 번 깜박일때는 Q4가 두 번 ... 실험2. 555디지털 클럭 회로(=0.988MΩ ,=992Ω)T120.20 secondsT60.10 secondsDC0.5F8.351 Hertz(DC=/T)실험1은 Digital

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.12

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전자공학실험 결과레포트-RF통신

결과보고서-AC회로-강남준 조교님 반AC회로(RC회로+RLC회로)실험1. RC회로의 충?방전① ? 커패시터에 걸리는 최대전압=? 커패시터에 걸리는 최대전압의 68%되는 지점 ... 의 시간()=② ? 커패시터에 걸리는 최대전압=? 커패시터에 걸리는 최대전압의 68%되는 지점의 시간()=실험2. RC 통과회로(Pass Filter) 구성가) 저역통과회로입력전압주파수 ... .39mV100Hz119.80mV500Hz505.59mV?저역통과회로와는 반대로 주파수가 커질수록 인덕터의 걸리는 전압 진폭의 값이 커지는것을 알수있다.실험3. RLC 회로의 공진이

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.12

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