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"전자회로실험1" 검색결과 2,801-2,820 / 15,271건

  • 현대모비스 생산기술 자소서
    모듈 반도체 자기소개서 현대모비스 자소서 생산기술 파워모듈 반도체 자기소개서현대모비스생산기술자기소개서현대모비스 생산기술(파워모듈/반도체)현대모비스생산기술 (파워모듈 / 반도체)1s ... 완벽한 자료를 보시게 될 겁니다.목 차1. 본인의 지원직무를 어떻게 이해하고 있는지 구체적으로 기술하고, 해당 분야에 본인이 적합하다고 판단할 수 있는 근거를 사례 및 경험 ... 을 바탕으로 기재해 주세요. (최소 500자, 최대 1,000자 입력가능)2. 목표를 달성하는 과정에서 힘들고 어려운 문제가 발생하였음에도 포기하지 않고 임무를 완수한 사례를 작성해 주
    자기소개서 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.03.21
  • 디지털 논리회로 실험 6주차 ALU 결과보고서
    디지털 논리회로 설계 및 실험결과보고서주제 : ALU소속: 공과대학 전자전기공학부수업: X X,X XXX 교수님 XXX 조교님제출 일자: 20XX년 X월 XX일 X요일X조 ... 煬禮挻踊狼司司狼煬禮� (OR 가 아닌 실제 덧셈)을 계산하시오.사진 1. 4.1 기본실험 (1) 회로입력값과 출력값이 ACTIVE LOW이고 CN+4는 HIGH이므로 실험시 ... .사진 4. 응용실험 (1) 회로DATASHEET의 ALU기능 중 A-B-1 연산 기능을 사용한다. S3~S0에 LOW, HIGH, HIGH, LOW, M에 LOW를 입력해준다
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.04.22
  • 인덕터의 리액턴스 결과레포트
    23주차 실험 결과보고서이름 : 신직수학과 : 전자공학과 / 학번 : 201533933【 인덕터의 리액턴스 】◆ 실험개요본 실험에서는 인덕터의 유도성 리액턴스를 측정해보고, 직렬 ... 인덕터와 병렬 인덕터의 리액턴스를 비교해본다.◆ 실험데이터표 23-1부품표시값측정값L _{1}4.72 mH4.72 mHL _{2}4.72 mH4.72 mHR _{1}1.0 ㏀0 ... mV131 mV유도성 리액턴스,X _{L}135.92OMEGA 128.43OMEGA인덕턴스,L4.37 mH4.1 mH표 23-3실험순서 7항목직렬 인덕터병렬 인덕터(a)R _{1
    리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18
  • 전자전기컴퓨터설계실험 7주차 연산증폭기 레포트
    전자전기컴퓨터설계실험1실험 7. 연산증폭기의 응용2020.05.02이**목차서론 (Introduction실험의 목적이론적 배경예비보고서참고문헌서론실험 목적 : 연산증폭기를 이용 ... , 나눗셈의 수학적인 연산의 기능을 수행할 수 있도록 만들어진, 고이득 직렬증폭기로, 신호처리, 컴퓨터, 통신, 신호 발생 장치 및 측정장치 등 다양한 종류의 전자 회로에서 중요 ... 전압의 평균값이 출력된다.예비보고서[예비 1] 반전 증폭기아래의 회로를 PSpice를 통해 구현하고 simulation 하여 출력을 구하시오.Vo와 Io를 계산하고 이론치와 s
    리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.16
  • [A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정
    전자회로 설계 및 실습예비보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 출 일담당 교수담당 조교설계 실습 4. MOSFET 소자 특성 측정1. 목적MOS Field-Effect ... PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용, RG=1 MΩ으로 설정)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS 특성곡선 ... 인 condition)R` _{DS} `의 값이1.8` ohm`임을 파악하였고, 회로도에 적용하였다.위 iD-vGS 특성곡선의 시뮬레이션의 Cursor 값을 확인해본 결과 문턱
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16
  • 쿨롱의 법칙 실험레포트(A+, 준비학습,질문사항 및 고찰 포함)
    을.. 2)쿨롱의 법칙에 대해 알아봅시다.>쿨롱의 법칙은 만유인령과 같이 거리제곱에..3)축전기에 대해서 알아봅시다.>주로 전자회로에서 전하를 모으는..질문사항1)두 전극판을 평행 ... 준비학습1) 마이크로미터 사용법에 대해 알아봅시다.>마이크로미터는 대상 물체를 끼워 크기를 측정하는 공구로 아베의 원리(측정정도를높이기 위해서 측정대상물체와 측정기구의 눈금 ... 극판은 반대..3)양전하가 표면밀도 σ로 고르게 대전되어 있는 무한평면에 의한 전기장을 구해보자. >무한평면의 경우 전기장의 방향은 평면의 ..4)엑셀을 사용하여 실험결과 데이터
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.16 | 수정일 2021.11.19
  • 서울시립대 전전설2 Lab-02 결과리포트 (2020 최신)
    전자전기컴퓨터설계실험Ⅱ결과리포트Lab-02 Schematic Design with Logic Gates작성일: 20.09.191. 실험목적Xilinx ISE Design ... Suite를 이용하여 digital logic을 schematic으로 설계하는 실험이다. ISE가 제공하는 다양한 Logic gate symbol을 사용해 회로를 설계하고 최종 ... 에 X서 조사하시오. 또한, 출력 장치로 LED1을 사용할 때에는 몇 번 pin인가?본 실험에서 사용하는 것은 Spartan 3 이므로 오른쪽 열을 참고하면 된다.Combo-2 SE
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.10
  • 설계실습 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 결과보고서
    전자회로 설계 및 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 결과보고서1. 목적이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common ... ) Function generator를 제외한 3.1(a) 회로를 가능한 한 그림 1과 거의같은 배치로 breadboard에 구현한다. 커패시터는 10 uF을 사용하며극성에 주의 ... -029.98E+00(B) CE만 0.1 μF으로 변경된 회로의 주파수특성을 같은 방법으로 측정,기록하고 overall gain의 측정값과 PSPICE값을 Excel을 사용하여 정리
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.14
  • CuO & Co3O4 for Lithium ion battery 레포트
    실험 목적Metal oxide (CuO, Co3O4)를 이용하여 electrode를 만들어보고, 이를 이용하여 half coin cell을 만들어 성능을 측정해본다.● 이론1 ... 화되며 Li 이온은 anode로 이동하고, 그 과정에서 외부 회로전자를 방출한다. 반면, 방전 시에는 anode가 전해질로 Li 이온을 방출하고 화학적 전위의 차이로 인해 c ... athode 쪽으로 확산된다. Cathode의 Li 이온은 환원되며 생성된 전자를 축적하는 리튬 포화 단계를 형성한다. 상용화된 LIB는 일반적으로 LiCoO2 또는 Li[NiCoMn
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.07
  • 전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)
    2021년 2학기전자회로실험 예비보고서제목: 실험-2 다이오드 특성제출일: 2021년 9 월 12 일담당 교수담당 조교조명조원대표연락처1. 실험 개요A. 실험 목적1) 실리콘 ... 기 위해서 충분한 데이터를 이 실험에서 얻고자 한다.a. 전원 E를 0으로 놓고 그림 2-4의 회로를 결선하라. 저항값을 측정하고 기록하라.b. VR이 0.1 V가 되도록 전원 ... 한다. 그리고 온도 해석(Temperature analysis)의 Spice 모의실험을 수행한다.B. 실험을 통해 확인하고자 하는 내용1) 다이오드 DC 저항 / AC 저항2) Si소재
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18
  • 충북대 기초회로실험 오실로스코프 및 함수발생기 사용법 예비
    실험 2. 오실로스코프 및 함수발생기 사용법(예비보고서)실험 목적(1) 함수발생기의 사용법과 파형의 대한 기본적인 용어를 익힌다.(2) 오실로스코프의 사용법을 익힌다.이론(1 ... ) 함수발생기함수 발생기는 정현파, 펄스파, 톱니파, 삼각파 등의 신호 전압을 발생하는 장치로 전기 회로 실험에 널리 쓰이는 장비이다. 함수발생기 전면에 있는 knob 또는 ... } = {V _{PP}} over {2 sqrt {2}} =0.354V _{PP}신호의 주파수와 주기와는 다음의 관계가 성립한다.f= {1} over {T}펄스의 상승 시간 및 하강
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.10 | 수정일 2021.09.14
  • 판매자 표지 자료 표지
    울산대학교 전자실험결과레포트 6장 쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 특성
    전자 6장 쌍극성 접합 트렌지스터(BJT) 특성1. 실험결과.표시값1kOMEGA1kOMEGA330kOMEGA측정값992OMEGA997OMEGA338kOMEGA단계 번호양음단계 1 ... {beta +1} ,` beta = {alpha } over {alpha -1} 인`것을`확인할`수`있었다.또한 실험 값에서도 공통 이미터 전류 이득 베타. 공통 베이스한 알파 ... 저항 측정/단계(2) 임계전압측정112단계(1):0단계(2):0221(1):5.75kOMEGA(2) 638.mV313(1):0(2):0431(1):0(2):0523단계(1):5
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17
  • 판매자 표지 자료 표지
    [첨삭완료][보고서 점수 1등] 2021년 [전기회로설계실습 결과보고서 11] 공진회로(Resonant Circuit)와 대역여파기 설계
    한 결과 값 그대로 사용하여 실험에 대한 오류는 없습니다. 참고하여 작성해주세요!1. 서론전기전자공학을 공부하는 학생이라면 앞으로 측정도구로 DMM과 건전지를 사용 하는 일이2. 설계 ... 실습 결과**실험에 사용된 소자 값 측정**10nF 커패시터 : 10.7nF10mH 인덕터의 저항값 : 27.235Ω미리 설정해둔 가변저항의 크기 : 1.040kΩ4.1 실험계획서 ... 한 transfer function과 실험 4.1의 결과를 같은 그래프에 그려서 제출하라. 비교, 분석하라. 공진주파수, 반전력주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하라
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.11.10
  • 9주차-실험9 예비 - MOSFET I-V 특성 - 전류 미러를 이용한 Id-Vds 특성
    전자회로실험Ⅰ교수님조교님실험 9. MOSFET I-V 특성 - 예비보고서제출일 : 2016. 05. 13. 금요일실험제목 : MOSFET I-V 특성 ? 전류 미러를 이용한I ... 소스는 증폭기를 구성하는 여러 단에 DC 일정 전류를 흘려주는 원천이며 전자회로 설계를 구성하는 중심 블록이다. 이 실험을 통해 MOSFET 전류 소스를 사용하는 방법을 습득 ... 이란, 전자 이동도 μn, 산화막 캐패시턴스 Cox가 모두 같은 경우를 의미한다.이상적인 경우, 출력전류는 부하저항의 값에 의해 변하지 않는다.3. 실험기기 및 부품(1
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    4주차 기초전기실험 결과보고서 실험4
    4주차 기초전기실험결과보고서(실험4)제출일전공전자공학과과목기초전기실험학번담당교수이름실험 4. 옴의 법칙1) 사용기기 및 부품직류전원 공급기디지털 멀티미터저항 : 470Ω, 1kΩ ... 2) 실험 결과 보고서1) 실험과정 (2)의 측정 전압과 전류를 기록하라.표 4-2 R = 470Ω 일 때 전압과 전류 측정인가전압 [V]1V2V3V4V5V6V7V8V9V10V측정 ... .3321.552) 실험과정 (3)의 측정결과를 기록하라.인가전압 [V]1V2V3V4V5V6V7V8V9V10V측정전압 VAB[V]0.991.992.993.994.995.996.997
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.23
  • 반도체공정정비요약
    수율 50%, 생산단계 60~70% 골든 수율 80%반도체 용어 정리웨이퍼 용어칩, 다이 : 반도체 공정에서 가공된 전자회로가 들어간 아주 작고 얇은 네모난 반도체 조각.스크라이브 ... 되면 다이의 DC파라미터와 기능을 검사. 검사는 컴퓨터로 진행. 1초에서 수분 정도의 시간 소요.조립 공정뒷면 처리. 선별. 다이분리. 도선 접착. 밀봉. 환경 및 기계적 실험 ... 에 장이 필요할 때 주로 사용.실리콘 웨이퍼반도체 소자 제조용 재료 광범위하게 사용 다결정 실리콘을 원재료로 만든 단결정 실리콘 박판특징 넓은 에너지 갭 [1.1eV]때문에 고온
    시험자료 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.07.16
  • Verilog HDL을 이용한 로직게이트설계 및 FPGA를 통한 검증 예비레포트 7segment(fnd)
    -실험 제목 [Verilog HDL을 이용한 로직게이트 설계 및 FPGA를 통한 검증(ALU, BCD-to-7segmemt)]-관련 이론1. ALU(Arithmetic Logic ... 다. 산술논리장치는 컴퓨터 중앙처리장치의 기본 설계 블록이다. 많은 종류의 전자 회로는 어떤 형태의 산술연산을 계산하는 데 필요한데, 심지어 디지털 시계에 있는 작은 회로 ... 조차도 현재 시간에 1을 더하고, 언제 알람을 울려야 하는지를 검사하는 작은 산술논리장치를 지녔다.다음 그림은 오른쪽 표에 따라 작동하는 ALU 회로의 구성이다. ALU는 여러 직접회로
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.20
  • 디지털 논리회로 실험 6주차 ALU 예비보고서
    디지털 논리회로 설계 및 실험예비보고서주제 : ALU소속: 공과대학 전자전기공학부수업: X X,X XXX 교수님 XXX 조교님제출 일자: 20XX년 X월 XX일 X요일X조 ... XXXXXXX XXX, XXXXXXX XXX목 차1. 실험 목적2. 실험 이론3. 실험 준비4. 실험 기기 및 부품5. 주의 사항6. 실험 과정 및 예상하는 이론적인 실험 결과7. 참고 ... 문헌1. 실험 목적4-bit 논리연산장치 (ALU: Arithmetic Logic Unit)에 대해 이해한다.2. 실험 이론(1) 연산연산이란 컴퓨터의 외부로부터 입력되는 자료
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.22
  • [신소재공학실험]ZnO 바리스터와 YSZ 나노 분말
    은 현상때문에 병렬회로 구성 시에는 바리스터 전압이 비슷한 제품으로 구성하는 것이 유리하다.2. 실험 기구 및 시약가. 실험 시약1) ZnO물에 녹지 않는 무색의 결정 ZnO ... ZnO 바리스터와 YSZ 나노 분말1. 실험 이론 및 원리가. 바리스터의 정의바리스터(Varistor)는 Variable Resistor의 약어로 인가전압에 따라 저항이 변하 ... . 바리스터 선정 시 고려사항1) 바리스터전압(V1mA) 및 회로전합: 바리스터 전압은 최대 회로전압에 의하여 결정된다2) 제한전압: 최대제한전압은 보호하고자 하는 부품이나 회로
    리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.05.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    MOSFET I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]
    12주차 MOSFET I-V Characteristics결과보고서전자공학과1. 실험 제목MOSFET I-V Characteristics 실습2. 실험 과정 + 실험 결과(예상 ... , 실제)■ Lab 1. MOSFET 특성1) 회로 구현2) = 10V로 고정하고 전압을 0~10V(전류가 급격히 변하는 구간에서 촘촘한 간격으로)로 바꾸면서 를 측정하고 표로 정리 ... 원리 설명, Lab 1의 결과와 비교/논의: Resistive divider biasing 회로는 저항의 전압 분배를 통해 DC Biasing을 수행하는 회로이다.여기
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27
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2025년 08월 24일 일요일
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