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"전자공학실험" 검색결과 261-280 / 15,531건

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    [전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험14 캐스코드 증폭기_결과레포트_A+(영어)
    3. Review of result report① Discuss the advantages and disadvantages of cascode amplifiers than common source amplifiers.The cascode amplifier has the..
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.12.22
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    [전자공학응용실험]14주차_10차실험_실험28 아날로그-디지털 변환기_결과레포트_A+
    4. 고찰 사항① 아날로그-디지털 변환기의 DNL 과 INL 이 발생하는 원인을 분석하고, 개선 방법을 설명하시오.아날로그 신호를 디지털로 변환할 때 이상적인 아날로그-디지털 변환기와 달리 양자화 오차가 발생하여 DNL 과 INL 이 발생하게 된다. DNL = 1- (..
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.12.22
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험II 결과보고서 함수 발생기
    가 났는데 그 이유는 op-amp 소자가 타서였는데, op-amp 소자를 바꾸고 다시 실험하였을 때 정현파, 구형파, 삼각파 파형을 얻을 수 있었다.전원 공급기의 전압을 줄 때에 주의
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.30
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험I 결과보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1
    [실험 7. MOSFET 기본 특성 I (결과보고서)]1. 실험결과1) 외부 캐패시터의 캐패시턴스- 100pF 캐패시터의 출력 파형을 기록한다.[출력이 10%-90%로 증가 ... =CPAR을 의미한다.? 그 차이 CWITH-CWITHOUT=Cgs,MOSFET로부터 총 게이트 커패시턴스를 계산한다.2. 비고 및 고찰이번 실험에서는 외부 캐패시터의 캐패시턴스와 역전압 ... 이 인가된 PN 다이오드의 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스에 대해 알아보는 실험을 하였습니다.첫 번째 실험은 외부 캐패시터의 캐패시턴스를 알아보는 실험이었습니다. 간단
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험I 예비보고서 실험 8. MOSFET 기본 특성 2
    [실험 8. MOSFET 기본 특성 Ⅱ (예비보고서)]문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron1. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정 ... 하는 것이다.이 실험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.? MOSFET의 채널은 소오스-드레인 채널의 작은 전압 VDS에 대해 작은 전류 iD가 흐르는 저항으로 이해 ... 다.? 실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서
    예비 보고서실험 08_공통 베이스 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기와 이미터 팔로워를 각각 [실험 06 ... ]과 [실험 07]에서 실험하였다. 이번 실험은 나머지 증폭기 구조인 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이 ... 는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다.2 실험 기자재 및 부품-DC파워
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09
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    전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서
    예비 보고서실험 11_공통 소오스 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성 ... 다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.2 실험 기 ... _{D}} over {V _{OV}} (11.14)즉 W/L이 일정할 때, 트랜스 컨덕턴스는I _{D}에는 비례하고V _{OV}에는 반비례한다.4 실험 회로■ 실험회로 1 : 공통
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.09 | 수정일 2024.11.15
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    전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서
    예비 보고서실험 10_MOSFET 바이어스 회로과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때 ... 의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점 ... 을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다.2 실험 기자재 및 부품-DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.04.09
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    [전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_결과레포트_A+
    3. 고찰 사항① f3dB 의 계산값과 측정값이 다른 이유를 분석하시오.R1 의 값이 계산값은 30Ω 이었지만 실험회로에서는 330 Ω 으로 사용하였다. 또한 Vsin 에 0 ... .005V 를 인가하지 않고 100mV 를 인가하였다. 그리고 계산값과 측정값의 차이는 소자마다 특성이 조금씩 달라지고 저항의 오차값도 존재하므로 달라지게 된다.② 실험회로에서 3dB
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.12.22
  • [전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)
    1. 실험제목: 실험9 MOSFET 기본 특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로2. 목적① MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험 ... 을 통하여 확인한다.② MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다.3. 실험장비① DC ... 파워 서플라이DC 파워 서플라이는 외부에서 들어오는 교류전류를 직류로 변환하여 컴퓨터나 기타 전자제품에 전원을 공급해주는 장비이다.② 디지털 멀티미터디지털 멀티미터는 전압, 전류
    리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.07
  • 부경대 기초전자공학실험 4 직병렬 회로의 저항 결과보고서
    1. 실험목적- 직, 병렬회로를 구성해보고 키프히호프 법칙, 옴의 법칙을 적용해본다. - 직, 병렬회로에서 저항과 전류, 전압의 관계를 이해한다. - 측정값과 이론값을 측정 비교 ... )=Ri(t), R>=0-1Ω= 1V/A저항 R은 전압과 전류의 비율을 나타내는 일종의 비례상수이다.6. 고찰이 실험은 직,병렬 회로에서 전류와 전압, 저항의 관계를 이해하기 ... 위한 실험이었다. 직렬회로의 등가저항은 Req=r1+r2+r3과 같이 나타낼 수 있고, 병렬회로에서의 등가저항은 1/Req=1/r1+1/r2+1/r3과 같이 나타낼 수 있
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2025.03.08
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    [전자공학응용실험] 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과레포트
    imulated results(1)예비레포트에서 Vth의 값이 1.8V로 그 때의 전류가 48uA였는데, 실험 결과에서는 1.2V에서 48uA로 측정되었다.(2)Pspice에서는 in 4V ... , ID = Iref = 820uA 즉, (W1/L1) / (W2/L2) = 1 가 나왔는데 실험 결과에서도 오차범위 안쪽에서 비슷한 결과를 확인할 수 있었다. 단, VDD 에 따른 ... 전류에 관한 실험에서 Pspice는 3V에서 움직이기 시작하였는데 실험에서는 2.5V부터 전류가 흘렀고, 그 외 전류의 양 등은 실험과 비슷한 결과가 나왔다.(3)Pspice
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험II 결과보고서 AM 수신기
    5주. AM 수신기 결과보고서학번이름조날짜1. 결과실험 시 증폭기와 수신기 연결한 사진설계 시 수신기2. 차이점실험 시에 증폭기를 연결하고 수신기를 통해 라디오의 주파수를 잡 ... 았을 때에는 소리가 들렸지만, 설계 시 소리가 잘 들리지 않았다.또한 실험 시 수신기와 증폭기의 그라운드를 따로 주었었지만 설계 시에는 한 번에 그라운드를 주었다.책에서는 송신기 ... 와 수신기를 한 번에 설계하였지만, 우리는 증폭기와 수신기를 이용하여 설계를 하였다.3. 고찰처음 실험을 할 때 수신기를 통해 라디오 주파수를 잡기가 너무 어려웠다. 하지만 수신기
    리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.30
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험II 예비보고서 AM 수신기
    5주. AM 수신기 예비보고서학번이름조날짜1. 목적(1) CC 증폭기의 원리를 이해한다.2. 이론2.1 콜렉터 공통콜렉터 공통 증폭기는 흔히 이미터 플로워라고 부르는 트랜지스터 회로로서, 전압 이득은 거의 1이나, 전류와 전력 이득을 가지며, 또한 높은 입력 임피던스와..
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.30
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    전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스
    기초전자 공학 실험 9주차 예비레포트기초 전자 공학 실험9주차 기초전자 공학 실험 예비 레포트제목BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스목적1. 고정 바이어스와 전압 분배기 바이어 ... 의 거의 중앙에 위치하도록 한다.이 실험에서 고정 바이어스와 전압분배기 바이어스의 두 회로를 살펴본다. 전자의 심각한 단점은 동작점 위치가 트랜지스터의 순방향 전류 전달비(β)과 온도 ... 스 BJT구조의 동작점을 결정한다.2. PSpice를 이용하여 고정 바이어스와 전압분배기 바이어스 회로에서 전류와 전압을 구하기 위해서 바이어스 점 해석을 수행한다.실험 소요 장비
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
  • 충북대학교 전자공학전자회로실험I 결과보고서 실험 9. MOSFET I-V 특성
    [실험 9. MOSFET I-V 특성 (결과보고서)]1. 실험결과[실험 1 : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정]V _{GS} =2.6VR _{on} = TRIANGLE V ... )} / TRIANGLE I _{DS(S)} = {1} over {6.667 TIMES 10 ^{-3}} =1502. 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET I-V 특성을 알아보는 실험이었습니다.N ... Coupling으로 조정해보았더니 이번 실험에서 원하는 그래프를 얻을 수 있었습니다. 트라이오드영역은 결과 사진에서 보이는 그래프처럼 약 2V까지의 급격하게 증가하는 구간이고 포화영역
    리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서
    결과 보고서실험 11_공통 소오스 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성 ... 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.2 실험 절차 및 ... 결과 보고■ 실험회로 1 : 공통 소오스 증폭기 회로■ 실험회로 2 : 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로1실험회로 1([그림 11-4])에서 VDD 값을 6V
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15
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    전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서
    결과 보고서실험 14_MOSFET 다단 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-[실험 11], [실험 12], [실험 13]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 단일단 증폭기 ... 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다.2 실험 절차 및 결과 보고■ 실험회로 1 : 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 ... 회로1실험회로 1([그림 15-8])에서 VDD=12V, vSIG=0V, RD1=10kΩ, RS1=RS2=5kΩ, R1=R3=100kΩ, R2=R4=50kΩ, RL=10kΩ으로 고정
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15
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    전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서
    결과 보고서실험 10_MOSFET 바이어스 회로과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때 ... 의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점 ... 을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다.2 실험 절차 및 결과 보고■ 실험회로 1 : 게이트 바이어스 회로1실험회로 1([그림 10-3
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13
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    전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서
    결과 보고서실험 05_BJT 바이어스 회로과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어 ... 스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어 ... 스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.2 실험 절차 및 결과 보고■ 실험회로 1 :1 실험 회로 1([그림 5-4])에서 VBB 값이 1.5V, RBB
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13
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2025년 08월 17일 일요일
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- 작별인사 독후감