"전자회로실험"의 검색결과 입니다.

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전자회로실험 클램퍼 회로 MOSFET 기본 특성 rlc 직렬공진 회로 공통이미터증폭기 전자공학실험2 트랜지스터

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"전자회로실험" 검색결과 2,681-2,700 / 19,389건

서강대학교 전자회로실험 1주차 결과보고서 - 오실로스코프 등 실험관련 계측기의 사용법 실습 실험

REPORT과 목 명전자회로실험학 과전자공학과성 명20101551 윤주승성 명20101579 정영문1. 제목오실로스코프 등 실험관련 계측기의 사용법 실습 실험2. 도입첫 번 ... 와 같은 질량이 매우 작은 전자의 운동 궤적을 형광면에 나타나게 하는 것이므로 관성의 영향을 거의 받지 않아 높은 주파수의 파형까지도 측정 가능하다. 그림 2는 오실로스코프의 회로구성 ... 째 실험에서는 디지털멀티미터를 이용하여 실효전압을 측정하며 오실로스코프를 이용하여 전압의 파형을 관찰하고 크기를 측정한다. 두 번째 실험에서는 오실로스코프를 이용하여 두 함수발생기

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.30

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[중앙대 기초전자회로실험 A+ 예비보고서] 2. 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계

어 질 수 있으므로 유의합니다.2. 회로에 사용된 부하저항 (10Ω)을 측정합니다.실험에서 사용하는 저항은 일반적인 탄소저항인 색띠저항이라 색띠를 읽어서 그 값을 알아 낼 수 있 ... 전기회로 설계 실습 설계실습 2. 예비보고서담당교수 : 000교수님학 과 : 전자전기공학부조 :학 번 :이 름 : 데 자 와1. 목적건전지의 내부저항을 측정하는 장치와 DMM ... 의 내부저항이 어느 정도일 것 같은가?건전지의 내부저항을 고려하여, 부하저항이 연결된 회로를 그리면 [그림1-1] 과 같이 나타납니다. 직렬 연결된 회로에서는 전류가 같으므로 인가

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.09.17

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서강대학교 고급전자회로실험 10주차 결과보고서

실험9 . 741 OPAMP 회로해석분반학번이름조담당교수제출일자2012.11.141. 실험 결과분석1) 741 OPAMP 회로해석(1) 실험 1. DC analysis시뮬레이션 ... 이상적일 수는 없겠지만 거의 이상적인 특성에 가깝게 만들어진 것을 확인할 수 있었다.(3) 실험 3. Transient Analysis회로도시뮬레이션결과입력전압2Vpp (1kHz)R ... 결과 - DC Voltage시뮬레이션 결과 ? DC CurrentDC bias이론값0.733mA19.0uA10.5uA16.2uA530mV152uA실험값0.735mA19.4uA10

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 7주차 결과보고서

실험7. 발진기와 신호 발생기 (결과)분반학번이름조담당교수제출일자2012.10.311. 실험결과실험1.1. 빈 브리지 발진기 회로R4[]측정된 발진 주파수[kHz]출력의 크기 ... 었으나, 전압이 그 이상으로 증가되지는 않았다.실험1.2. 구형파 발생기 회로R[k]C[nF]측정된 출력 주파수[kHz]출력의 크기[Vp-p]이론적 출력 주파수[kHz]1kΩ200nF4 ... 해 볼 수 있다.[1]실험1.3. 삼각파 및 구형파 발생기 회로R[k]C[uF]측정된 출력 주파수[Hz]출력의 크기[Vp-p]구형파/삼각파이론적 출력 주파수[Hz]10kΩ200uF

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 7주차 예비보고서

실험7. 발진기와 신호 발생기분반학번이름조담당교수제출일자2012.10.241. 시뮬레이션 및 분석실험1.1. 빈 브리지 발진기 회로회로도Vo 파형(위:시간축, 아래:주파수 축 ... 회로의 발진 주파수 =Hz이다.실험1.2. 구형파 발생기 회로회로도Vo 파형 (주파수 : 469Hz)반전 입력단 파형 및 비반전 입력단 파형(구형파 : 비반전, 삼각파 : 반전 ... )구형파 발생기에서는인 주기를 갖는 구형파가 생성된다.∴f=1/T=493Hz이다.실험1.3. 삼각파 및 구형파 발생기 회로회로도삼각파 : v1, 구형파 : v2 / 주파수 : 364Hz삼각파 및 구형파 발생기에서는 OP 앰프 두 개를 이용하여 각각의 출력단에서

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 5주차 예비보고서

실험 5. 증폭기 주파수응답 및 차동증폭기(예비)분반학번이름조(1) 실험 1 : 오디오 증폭기 주파수 응답회로를 보면 BJT들의 에미터에 모두 저항이 달려있고 병렬로 캐패시터 ... 으나, Sensitivity는 감소하는 장점이 있음을 확인할 수 있다.[10]제거 : 처음 회로와 큰 변화가 없음을 확인할 수 있다.(2) 실험 2 : 차동 증폭기[2]①②Gain ... 가 있다. 따라서 낮은 주파수의 신호에서는 캐패시터의 임피던스가 커져 에미터에 저항이 달린 부궤환 회로가 되어 저항이 없는 일반적인 공통 에미터 증폭기보다 이득이 작게 된다

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비보고서

실험 10. A급 음성증폭기 및 푸쉬풀 증폭기 (예비)분반학번이름조1) 실험 10. A급 음성 증폭기회로도시뮬레이션회로도시뮬레이션분석 : A급 음성 증폭기의 스피커 및 출력 변압 ... 전압은 915.6mVP-P가 나왔다.이므로 권선비를 계산하면 권선비는 2.240 : 1이다.2) 실험 10-1 증폭기 실험회로도콜렉터 전압 : 1.96Vpp출력 전압 : 10.16 ... 과 Q2는 모두 saturation 영역에서 동작하는 것을 왼쪽 회로도의 DC 바이어스를 통해 알 수 있다. 이때 출력전압은 10.16mVpp가 나온 것을 확인할 수 있다.3) 실험

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 결과보고서

.031.5표 3-1 실험 회로 1의 VX 변화에 따른 ISS 측정 값ISS(mA)VX(V)그림 3-1 ISS-VX 그래프- ISS-VX 그래프를 살펴보면 Vx가 0.6V 이하인 지점 ... 하라.- 출력 저항 ro = ΔVx/ΔIss = 3V/29mA = 1.67kΩ으로 계산된다.실험1.2[2.1] 회로 구성 후, IREF = 20 mA (± 2mA)가 되는지 확인하라 ... 이 범위 안에서 Vin이 변하면 결국 ID1도 증가하게 된다.실험1.3[3.1] 회로 구성 후 (Vsig를 인가하지 않은 상태), IREF = 20 mA인지 확인하고 각 노드

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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[서울대학교 전자회로 실험보고서] BJT 특성곡선 측정

전자회로 실험보고서BJT 특성곡선 측정1. 실험 목적3단자 소자로서의 BJT 특성을 이해하고 이러한 특성을 실험적으로 측정하고 특성을 추출하는 방법을 이해한다.2. 결과 보 ... 다. 따라서 npn 타입이다. collector와 emitter의 구분은 emitter의 전류가 더 많이 흐르기 때문에 할 수 있다.(2) 공통 베이스 회로 특성 곡선을 도시하고,와 ... 면 전류가 다를 때에가 일정하지 않은 것을 확인할 수 있다.(3) 공통 이미터 회로 특성 곡선을 도시하고,와를 계산하시오=5V일 때=1mA=2mA=3mA0.9960.9940

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.17 | 수정일 2020.07.29

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[서울대학교 전자회로 실험보고서] 전류 거울 (Current Mirror)

전자회로 실험보고서전류 거울 (Current Mirror)1. 실험 목표회로를 설계할 때, 일정한 전류원을 공급해주는 것이 관건이 되는 경우가 있다. 이 경우 수동 부하 저항 ... 을 사용하면 공급하는 전류의 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정되므로, 능동 부하를 회로로 사용하는 것이 비해 신뢰성이 떨어진다. 이 능동 부하 회로 중 하나인 전류 거울을 직접 실험 ... 을 알 수 있다.이 때 r_o=1/(*I_D)로 주어지므로, 이 식을 통해를 구해볼 수 있다. I_D=1.038mA를 대입하면,가 나옴을 확인할 수 있다. 이를 ‘실험8’에서 구한

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.17 | 수정일 2020.07.29

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[전자회로실험] 연산 증폭기를 이용한 발진기

*실험 38. 연산 증폭기를 이용한 발진기*목차실험 목적 선지행 회로망 빈브릿지 발진회로 병렬- T 여파기 병렬- T 발진회로 실험과정실험목적1. 빈브릿지 발진기를 결선하여 특성 ... : 0.1uF 2개, 0.22uF 1개 - op amp : 741C 1개*실험 1. 빈 브릿지 발진회로회로에서 발진주파수를 계산한다. 2. 회로를 결선한다.*실험 1. 빈 브릿지 ... 발진회로3. 클리핑이나 일그러짐 현상이 발생되지 않도록 하고, 큰 출력 전압을 얻도록 가변저항 R2를 조정한다. 4. 출력주파수를 측정한다.*실험 1. 빈 브릿지 발진회로5

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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[전자회로] 전자회로실험1

- 목 차 -1. 실험목적2. 이 론3. 실험부품4. 실험방법5. P-SPICE 시뮬레이션 결과1. 실험목적1) P-N 접합 다이오드의 물리적인 특성을 이해한다.2) 순방향 바 ... 는 p형 물질과 "-"의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있 ... 하여 "-"성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 한다.※ 종류 : pn접합형, 점접촉형(2) 다이오드의 동작1) 전압을 가하지

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.29

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전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 예비보고서

인지를 확인하고, 그 이후 먼저 전원을 'OFF' 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’ 시킨 수 회로를 변경한다.2. 예비 실험1)외부 ... 이 같아야 하고, 실험을 하게 된다면 이상적인 캐패시터가 아니기 때문에 오차가 발생 할 것 같습니다.2) 역전압이 인가된 PN 다이오드의 커패시턴스 측정■ 회로를 과 같이 구성 ... 예비보고서실험7.MOSFET 기본 특성 I20080653212조권태영1. 실험 목적- 역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 커패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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전자회로실험 전압이득이 50인 CE 증폭기 설계

의 소신호 이득 공식은이 된다.이므로위의 공식에 대입하면2. 시뮬레이션 결과- 전압이득이 50인 CE증폭기를 설계하기 위해 R6 저항을 파라메터로 지정하여 회로도를 설계 하 ... 이 아래 그림입니다.- 자세히 보시면 50V가 되는 부분이 바로 전압이득 50인 지점이였고, 그때의 저항값는 약 3.25K이 나온 것을 알 수 있습니다.위 실험을 함에 있어서 다른 ... 변수들을 고정시키고 이미터 저항인을 조절하면가 변하여 이득을 계산하기 힘들어 질 것 이였기 때문에 콜렉터 저항와 함께 고정값을 주고 실험 하였습니다. 이것들은 고정 시키고 출력단의 저항

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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[전자회로 실험] 다이오드 리미터와 클램퍼

전자회로실험 REPORT다 이 오 드바이어스 된 리미터1. 실험 방법가. 다이오드를 이용한 리미터 회로에 DC전압 바이어스를 다이오드와 직렬로 구성(그림 1)나. DC전압 가변 ... )V 1) 부의 반주기 피크 전압 :-0.7V피 크 검 출 기1. 실험 방법가. 다이오드를 이용한 반파정류기 회로에 콘덴서를 병렬로 추가하여 회로를 구성(그림 3)나. 출력 파형 ... 에 따른 출력파형의 변화를 관찰2. 회로 구성가. 구성 소자 : 저항(1K OMEGA , 10K OMEGA , 100K OMEGA , 470OMEGA ) 각각 1개, 다이오드(1N

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.15

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전자회로 실험 프로젝트 금속탐지기 제안서

’ 는 아래의 조건을 모두 만족하였다.1) 전자 회로 및 실험을 통하여 배운 지식을 바탕으로 제작.2) 실제 생활에서 유용하면서, 장래 시장성이 좋은 제품 제작.? 목표실험시간에 배운 ... OP-AMP 성질을 이용하여 작품을 제작한다.3. 전체 회로도4. 동작 원리1) 전원 입력 부분과 스위치-회로를 동작하기 위한 전원은 9V 사각 전지로 구성하기로 하였다. 전원 ... 을 연결하는 스위치는 Vcc를 차단/연결하며 전원인가와 동시에 OP-AMP에 연결된 가변 저항을 포함하고 있어서 볼륨을 조절 가능하도록 되어있다.2) Colpitts 공진회로-두 개

리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.12 | 수정일 2016.11.04

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원광대 전자 회로 실험 생능출판사 김동식 저 객관식 주관식 문제 측정

3. 다이오드 클리퍼 및 클램퍼 실험▶ 객관식 문제측정1. ④2. ②3. ①▶ 주관식 문제측정1. 양의 클램퍼의 경우에 캐패시터 충전구간의 시정수는 다이오드 내부저항과 캐패시터

시험자료 | 3페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.03.23

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전자회로실험10예비-J-FET의 특성

나간다. 이 때 빠져나간 전자를 보충하기 위하여 전원의 (-) 단자에서 전자들이 소스를 통하여 N-채널로 이동하게 되며, 전원이 공급되는 한 회로의 전류(전자의 이동)는 계속될 것이 ... Report 실험 예비10. J-FET의 특성실험목적(1) 드레인 전류 ID에 관한 드레인-소스 사이의 전압 VDS의 영향을 결정한다.(2) ID에 관한 게이트-소스 사이의 역 ... ID가 게이트와 드레인 사이의 전압 VGS에 의해 제어된다.여기서 채널 양단에 VDD 전원이 접속되어 있다면 N-채널에서 전자가 전원의 (+) 단자로 이동하고 드레인 쪽으로 빠져

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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[전자회로실험] 연산 증폭기 특성 예비보고서

전기회로 설계 및 실험 KEEE205_05 전기전자전파 공학부전자회로 설계 및 실험 예비 보고서학부 : 학번 / 이름 :실험조 : 실험일 :실험제목연산 증폭기 특성실험목적① 연산 ... 에서 10V까지 상승하려면 20μs가 소요된다. 일반적인 741의 출력은 이러한 속도보다 더 빨리 변할 수는 없다.모의실험① 연산 증폭기의 이득위는 pspice 회로도이다.왼쪽 ... 증폭기의 이득은 출력단에서 입력단으로의 외부 부귀환 루프에 의해 결정됨을 실험으로 확인한다.② 비반전 증폭기와 번전 가산기를 연산 증폭기를 이용하여 구성한다.③ 입력 바이어

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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전자회로실험11결과-J-FET의 특성

Report 실험 결과11. MOSFET의 DC 특성실험결과VDS[V]ID, mA012345678910VGS[V]0000000000000.5000000000001 ... .84711786510571087115011351052132413561420고 찰(1) 표 11-1의 실험 데이터로부터 드레인 전류가 차단될 때의 VGS의 값을 구하여라.약 2.5V에서 드레인 전류가 차단된다.(2) 표 11-1 ... 의 실험 데이터로부터 드레인 특성 곡선을 그래프 용지(방안지)에 도시하여라.(3) 표 11-1의 실험 데이터로부터 전달 특성 곡선을 그래프 용지(방안지)에 도시하여라.(단,VDS

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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