"전자회로실험"의 검색결과 입니다.

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전자회로실험 클램퍼 회로 rlc 직렬공진 회로 MOSFET 기본 특성 공통이미터증폭기 전자공학실험2 BJT 기본 특성

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"전자회로실험" 검색결과 2,681-2,700 / 19,324건

서강대학교 고급전자회로실험 7주차 예비보고서

실험7. 발진기와 신호 발생기분반학번이름조담당교수제출일자2012.10.241. 시뮬레이션 및 분석실험1.1. 빈 브리지 발진기 회로회로도Vo 파형(위:시간축, 아래:주파수 축 ... 회로의 발진 주파수 =Hz이다.실험1.2. 구형파 발생기 회로회로도Vo 파형 (주파수 : 469Hz)반전 입력단 파형 및 비반전 입력단 파형(구형파 : 비반전, 삼각파 : 반전 ... )구형파 발생기에서는인 주기를 갖는 구형파가 생성된다.∴f=1/T=493Hz이다.실험1.3. 삼각파 및 구형파 발생기 회로회로도삼각파 : v1, 구형파 : v2 / 주파수 : 364Hz삼각파 및 구형파 발생기에서는 OP 앰프 두 개를 이용하여 각각의 출력단에서

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 5주차 예비보고서

실험 5. 증폭기 주파수응답 및 차동증폭기(예비)분반학번이름조(1) 실험 1 : 오디오 증폭기 주파수 응답회로를 보면 BJT들의 에미터에 모두 저항이 달려있고 병렬로 캐패시터 ... 으나, Sensitivity는 감소하는 장점이 있음을 확인할 수 있다.[10]제거 : 처음 회로와 큰 변화가 없음을 확인할 수 있다.(2) 실험 2 : 차동 증폭기[2]①②Gain ... 가 있다. 따라서 낮은 주파수의 신호에서는 캐패시터의 임피던스가 커져 에미터에 저항이 달린 부궤환 회로가 되어 저항이 없는 일반적인 공통 에미터 증폭기보다 이득이 작게 된다

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비보고서

실험 10. A급 음성증폭기 및 푸쉬풀 증폭기 (예비)분반학번이름조1) 실험 10. A급 음성 증폭기회로도시뮬레이션회로도시뮬레이션분석 : A급 음성 증폭기의 스피커 및 출력 변압 ... 전압은 915.6mVP-P가 나왔다.이므로 권선비를 계산하면 권선비는 2.240 : 1이다.2) 실험 10-1 증폭기 실험회로도콜렉터 전압 : 1.96Vpp출력 전압 : 10.16 ... 과 Q2는 모두 saturation 영역에서 동작하는 것을 왼쪽 회로도의 DC 바이어스를 통해 알 수 있다. 이때 출력전압은 10.16mVpp가 나온 것을 확인할 수 있다.3) 실험

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 결과보고서

.031.5표 3-1 실험 회로 1의 VX 변화에 따른 ISS 측정 값ISS(mA)VX(V)그림 3-1 ISS-VX 그래프- ISS-VX 그래프를 살펴보면 Vx가 0.6V 이하인 지점 ... 하라.- 출력 저항 ro = ΔVx/ΔIss = 3V/29mA = 1.67kΩ으로 계산된다.실험1.2[2.1] 회로 구성 후, IREF = 20 mA (± 2mA)가 되는지 확인하라 ... 이 범위 안에서 Vin이 변하면 결국 ID1도 증가하게 된다.실험1.3[3.1] 회로 구성 후 (Vsig를 인가하지 않은 상태), IREF = 20 mA인지 확인하고 각 노드

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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전자회로 설계 및 실험 5. BJT 동작 대신호 소신호 동작 예비보고서 (시뮬레이션 포함)

전자회로 설계 및 실험1 예비 보고서작성자:학번:실험조:실험일:실험제목BJT 동작: 대신호/소신호 동작실험목표1. BJT 회로에서 대신호/소신호 동작에 대해 공부한다.2. 얼리 ... mV955 mV146 mV0.152500mV708 mV1.07 V1.5111V226 mV1.87 V8.2741.2V71.1 mV1.74 V24.471.5V19.0 mV813 mV42.792V4.37 mV35.6 mV8.146전자회로 설계 및 실험 ... 과 비교한다.배경지식1. BJT 증폭 회로의 대신호/소신호 동작다이오드 회로에서처럼 BJT를 이용한 통신, 신호처리, 멀티미디어 등 대부분의 아날로그 전기/전자회로들은 고정된 상수

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.12 | 수정일 2016.07.31

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[중앙대 기초전자회로실험 A+ 예비보고서] 2. 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계

어 질 수 있으므로 유의합니다.2. 회로에 사용된 부하저항 (10Ω)을 측정합니다.실험에서 사용하는 저항은 일반적인 탄소저항인 색띠저항이라 색띠를 읽어서 그 값을 알아 낼 수 있 ... 전기회로 설계 실습 설계실습 2. 예비보고서담당교수 : 000교수님학 과 : 전자전기공학부조 :학 번 :이 름 : 데 자 와1. 목적건전지의 내부저항을 측정하는 장치와 DMM ... 의 내부저항이 어느 정도일 것 같은가?건전지의 내부저항을 고려하여, 부하저항이 연결된 회로를 그리면 [그림1-1] 과 같이 나타납니다. 직렬 연결된 회로에서는 전류가 같으므로 인가

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.09.17

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전자회로실험06결과-트랜지스터의 소신호 특성

(1) 그림 6-6(a) 회로에서 바이패스 콘덴서 C3를 제거하면 이 증폭기의 입력 임피던스에 어떤 영향을 주는지 실험 결과를 참조하여 설명하여라.- bypass C3를 제거 ... Report 실험 결과6. 트랜지스터의 소신호 특성실험 결과표6-1dc 전압실험순서(1)9.09V5.49V2.01V2.7V3.47V0.69V표6-3실험값실험값을 이용한 계산값 ... 이득실험순서전압전력[dB]()()(2)-(7)88mV80mV2.8V8mV803521.26(8)640mV600mV1V40mV4001.66-10.71표6-3실험순서(9)입력파형출력파형고찰

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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[전자회로] 전자회로실험1

- 목 차 -1. 실험목적2. 이 론3. 실험부품4. 실험방법5. P-SPICE 시뮬레이션 결과1. 실험목적1) P-N 접합 다이오드의 물리적인 특성을 이해한다.2) 순방향 바 ... 는 p형 물질과 "-"의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있 ... 하여 "-"성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 한다.※ 종류 : pn접합형, 점접촉형(2) 다이오드의 동작1) 전압을 가하지

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.29

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전자회로실험06예비-트랜지스터의 소신호 특성

이어스 회로보다 입력 임피던스가 낮지만 회로의 안정을 가져온다.실험시 주의할 점은 입력 신호가 소신호이어야 한다는 것이다. 그래서 회로에 입력이 들어가기 전에 저항을 달아 입력을 작 ... Report 실험 예비6. 트랜지스터의 소신호 특성실험 목적(1) CE 증폭기의 입력 및 출력 임피던스를 측정한다.(2) CE 증폭기의 dB 전력 이득을 결정한다.(3 ... ) 오실로스코프를 사용하여 CE 증폭기의 입력 및 출력 신호 전압의 위상을 관찰한다.기초 이론에미터 공통(CE) 회로는 가장 널리 사용되고 있는 트랜지스터 공통 회로이다. 에미터 공통 회로

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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[전자회로 실험] 다이오드 리미터와 클램퍼

전자회로실험 REPORT다 이 오 드바이어스 된 리미터1. 실험 방법가. 다이오드를 이용한 리미터 회로에 DC전압 바이어스를 다이오드와 직렬로 구성(그림 1)나. DC전압 가변 ... )V 1) 부의 반주기 피크 전압 :-0.7V피 크 검 출 기1. 실험 방법가. 다이오드를 이용한 반파정류기 회로에 콘덴서를 병렬로 추가하여 회로를 구성(그림 3)나. 출력 파형 ... 에 따른 출력파형의 변화를 관찰2. 회로 구성가. 구성 소자 : 저항(1K OMEGA , 10K OMEGA , 100K OMEGA , 470OMEGA ) 각각 1개, 다이오드(1N

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.15

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전자공학실험2 교류전력회로 결과보고서

전자공학실험2 결과 보고서(실험 5 교류 전력 회로)8 -?목적방안의 온도를 조절하거나 백열전구의 밝기를 가변하거나 또는 선풍기의 바람의 세기를 조절하는 등의 전기 응용에서 사용 ... 되는 교류 전력을 제어하는 방법과 제어 소자들의 특성을 이해한다.?실험 내용? 실험 5-1. 슬라이닥을 이용한 교류 전력 제어1) 전구 키트를 이용하여 회로를 구성한 후 교류 전원 ... 가 매우 밝아질 때 까지만 높여보았다.? 실험 5-2 : SCR을 이용한 교류 전력 제어1) SCR을 사용하는 전구의 휘도제어회로를 구성하여 교류 전원 장치 전원은 차단 후 출력

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.09

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[서울대학교 전자회로 실험보고서] BJT 특성곡선 측정

전자회로 실험보고서BJT 특성곡선 측정1. 실험 목적3단자 소자로서의 BJT 특성을 이해하고 이러한 특성을 실험적으로 측정하고 특성을 추출하는 방법을 이해한다.2. 결과 보 ... 다. 따라서 npn 타입이다. collector와 emitter의 구분은 emitter의 전류가 더 많이 흐르기 때문에 할 수 있다.(2) 공통 베이스 회로 특성 곡선을 도시하고,와 ... 면 전류가 다를 때에가 일정하지 않은 것을 확인할 수 있다.(3) 공통 이미터 회로 특성 곡선을 도시하고,와를 계산하시오=5V일 때=1mA=2mA=3mA0.9960.9940

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.17 | 수정일 2020.07.29

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[서울대학교 전자회로 실험보고서] 전류 거울 (Current Mirror)

전자회로 실험보고서전류 거울 (Current Mirror)1. 실험 목표회로를 설계할 때, 일정한 전류원을 공급해주는 것이 관건이 되는 경우가 있다. 이 경우 수동 부하 저항 ... 을 사용하면 공급하는 전류의 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정되므로, 능동 부하를 회로로 사용하는 것이 비해 신뢰성이 떨어진다. 이 능동 부하 회로 중 하나인 전류 거울을 직접 실험 ... 을 알 수 있다.이 때 r_o=1/(*I_D)로 주어지므로, 이 식을 통해를 구해볼 수 있다. I_D=1.038mA를 대입하면,가 나옴을 확인할 수 있다. 이를 ‘실험8’에서 구한

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.17 | 수정일 2020.07.29

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[전자회로] 전자회로실험2

- 목 차 -1. 실험목적2. 이 론3. 실험부품4. 실험방법5. P-SPICE 시뮬레이션 결과1. 실험목적1) 반파, 전파 및 브릿지 정류회로를 구성하고, 정류회로의 동작원리 ... 회로의 경우 출력전압의 평균값은 반파정류회로의 두 배로서로 주어진다.3. 실험부품1) 저항: 2.2KΩ2) 변압기: 2차측 전압(3V,6V,9V,12V)3) 다이오드: 1N4001 ... *44. 실험방법1) 그림 2-4에 보인 반파 정류회로를 구성하여라. 오실로스코프의 채널 1은 변압기의 2차측에 연결하고, 채널 2는 부하저항에 연결하여라.

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.29

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전자공학실험- Diode 응용회로

1. 실험일자 :2. 실험제목 : 실험 #10 Diode 응용회로3. 실험목적 : 클리퍼와 클램퍼, 반파 및 전파정류회로 대해 고찰한다.4. 실험준비물 : 가변 dc 전원 ... 트랜스5. 실험결과A. 클리퍼와 클램퍼DViR+Vo-1. 스위칭용 Si 다이오드(1N4148)와 R=120㏀ 저항을 사용하여 아래의 그림과 같은 회로를 구성한 후, 오실로스코프 ... .20.5DViR+Vo-2. 아래의 회로에 대하여 실험절차 1을 반복한다.1.20.500▲ Vi의 파형(2V, 0.5msec) ▲ Vo의 파형DViR+Vo-001.41.20.7▲ Vi

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.20

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전자회로실험10예비-J-FET의 특성

나간다. 이 때 빠져나간 전자를 보충하기 위하여 전원의 (-) 단자에서 전자들이 소스를 통하여 N-채널로 이동하게 되며, 전원이 공급되는 한 회로의 전류(전자의 이동)는 계속될 것이 ... Report 실험 예비10. J-FET의 특성실험목적(1) 드레인 전류 ID에 관한 드레인-소스 사이의 전압 VDS의 영향을 결정한다.(2) ID에 관한 게이트-소스 사이의 역 ... ID가 게이트와 드레인 사이의 전압 VGS에 의해 제어된다.여기서 채널 양단에 VDD 전원이 접속되어 있다면 N-채널에서 전자가 전원의 (+) 단자로 이동하고 드레인 쪽으로 빠져

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 예비보고서

인지를 확인하고, 그 이후 먼저 전원을 'OFF' 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’ 시킨 수 회로를 변경한다.2. 예비 실험1)외부 ... 이 같아야 하고, 실험을 하게 된다면 이상적인 캐패시터가 아니기 때문에 오차가 발생 할 것 같습니다.2) 역전압이 인가된 PN 다이오드의 커패시턴스 측정■ 회로를 과 같이 구성 ... 예비보고서실험7.MOSFET 기본 특성 I20080653212조권태영1. 실험 목적- 역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 커패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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전자회로실험 전압이득이 50인 CE 증폭기 설계

의 소신호 이득 공식은이 된다.이므로위의 공식에 대입하면2. 시뮬레이션 결과- 전압이득이 50인 CE증폭기를 설계하기 위해 R6 저항을 파라메터로 지정하여 회로도를 설계 하 ... 이 아래 그림입니다.- 자세히 보시면 50V가 되는 부분이 바로 전압이득 50인 지점이였고, 그때의 저항값는 약 3.25K이 나온 것을 알 수 있습니다.위 실험을 함에 있어서 다른 ... 변수들을 고정시키고 이미터 저항인을 조절하면가 변하여 이득을 계산하기 힘들어 질 것 이였기 때문에 콜렉터 저항와 함께 고정값을 주고 실험 하였습니다. 이것들은 고정 시키고 출력단의 저항

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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전자회로실험11결과-J-FET의 특성

Report 실험 결과11. MOSFET의 DC 특성실험결과VDS[V]ID, mA012345678910VGS[V]0000000000000.5000000000001 ... .84711786510571087115011351052132413561420고 찰(1) 표 11-1의 실험 데이터로부터 드레인 전류가 차단될 때의 VGS의 값을 구하여라.약 2.5V에서 드레인 전류가 차단된다.(2) 표 11-1 ... 의 실험 데이터로부터 드레인 특성 곡선을 그래프 용지(방안지)에 도시하여라.(3) 표 11-1의 실험 데이터로부터 전달 특성 곡선을 그래프 용지(방안지)에 도시하여라.(단,VDS

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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전자회로실험 결과 레포트 -접합다이오드

실험 1. 접합 다이오드전자회로실험 실험 결과 Report과 목:전자회로실험 1학 과:전자공학과조:7조학번/이름:EPORTR1. 목 적(1) 접합 다이오드의 극성을 판별한다.(2 ... ) 접합 다이오드의 동작특성을 이해한다.(3) 접합 다이오드의 전압-전류특성을 측정한다.2. 실험 결과(1) 다이오드의 극성P형과 N형 실리콘을 서로 결합하면 접합다이오드가 만들 ... 어진다. 순방향 바이어스를 가하는 경우, P형 쪽에 전지의 (+)극을, N형 쪽에 전지의 (-)극을 연결하여야 한다. 반도체 내에서는 전하를 띠고 있는 알갱이(Carrier)가 전자

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.04

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