"내부연결형 임플란트"의 검색결과 입니다.

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임플란트 반도체 공정 오스템임플란트 임플란트 2차수술 중심정맥관 간호 백내장 gastrectomy

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"내부연결형 임플란트" 검색결과 241-260 / 308건

[공학기술]Virtual Reality

에 걸쳐 최근 기술 동향을 살펴본다.*VR에 사용되는 제품 구체적 사례*Head Mount Display제조사 : 소니사모델명 : PUD-J5A* 플레이스테이션2와 연결이 가능0.44 ... )과 의료용 3D 영상 진단 시스템을 들 수 있다.가상 내시경은 CT, MRI와 같은 단층촬영장치로 인체 내부에 대한 연속된 단면 영상을 얻어낸 후, 인체의 3차원적 구조를 재구성 ... 함으로써 가상의 카메라를 통해 대장, 기관지, 혈관과 같은 인체기관의 내부를 탐험할 수 있도록 하는 기술이다. 가상 내시경을 이용하면 광학 내시경을 이용할 때의 가장 큰 장애요소인

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.19

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[치과] 임플란트의 모든 것

로 Abutment를 연결시키기 위해 임플란트를 구강내에 노출시킨다.(1) 판막절개와 판막거상다음과 같은 두가지 방법이 있으나 술 후 환자의 부종과 불편감에 있어서 비교적 차이는 있으나 골유착 ... 1.임플란트란?상실된 치아를 인공치아를 식립하여 건강한 구강을 가지게 하는 학문의 한 분야로 고대부터 다양한 방법으로 시도되어오다가 1930년대에 현대적인 치과 임플란트의 개념 ... 이 확립되었다. 고정성 또는 가철성 보철물의 유지와 지지를 제공하기 위하여 점막 또는 골막층 하방, 그리고 골조직 내부 등의 구강조직에 매식되는 이물로 된 성형재료의 보철재료를 말

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.05

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반도체 제조,제작 공정 총정리

면 감광액도 황산용액으로 제거. ④ 이러한 패턴형성 과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복.10이온주입 (Ion Implantation)○ 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세 ... 도14. 웨이퍼 자동선별 15. 웨이퍼 절단 16. 칩 접착 17. 금속 연결 18. 성형 19. 최종검사○ 조립 및 검사실리콘 단결정 성장 (Monocrystalline ... 한 Gas 입자 형태로 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 불순물 주입은 고온의 전기로 속에서 불순물 입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 Diffusion 공정에 의해서도 이루어짐

리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.11

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catheter의 종류과 관리 방법

정맥내 삽입장치a. 중심정맥카테터(central catheter): 비터널식/ 터널식b.중심정맥내 이식장치(central implantes device)c. 말초중심 카테터 ... ) :㉠ 케모포트 주사침 세트을 꽂은 후 처방된 수액에 수액주입 set를 꽂아 세트 내에 공기가 없도록 채운 후 조절기로 잠근다.㉡ 수액세트와 케모포트 주입침세트의 연결부위는 베타딘 솜 ... ) 히크만카테터(Hickman catheter)히크만 카테터는 재질이 silicon rubber로 만들어져 부드러우며 한 개의 도관 내부에 작은 구멍이 있다. 피부 밖으로 노출

리포트 | 15페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.09.20 | 수정일 2021.12.06

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반도체 공정에 사용되는 가스들의 특징

시키는 공정화학기상증착(CVD)공정회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온 ... 에 형성된 각 회로에 알루미늄 선을 연결 시키는 공정금속배선(Metallization)반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성 ... (Doping)AsH3, PH3, PF5, BF3, AsF5, BCl3, SiF4, SF6이온주입(Ion implantation)공정NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6클리닝

리포트 | 16페이지 | 10,000원 | 등록일 2008.12.09 | 수정일 2020.11.03

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IC회로 제작공정

이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이다.11) 이온주입(Ion Implantation)공정- 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 ... 는 공정이다.17) 금속연결(Wire Bonding)- 칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.18) 성형(Molding)- 연결 금선 부분을 보호 ... 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.26

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신소재공학 요약(15장)

% 정도 경량화가 가능하다.* 세라믹스의 내마모성, 내부식성, 내산화성이 우수하여 엔진수명이 연장* 열 및 기계적 충격에 의한 취성파괴를 일으키므로 인성의 부여방법이 요구 ... 에서 체외와 연결하는경피단자로 사용* 생체내 치료용 세라믹스 : 생체가 본래 가지고 있는 자기수복 기능을 돕는 역할3-2) 생체화학 관련 세라믹스- 여과, 흡착 또는 촉매등의 작용 ... 된 환부만을 최소한으로 절개 임플랜트에 의한 인공 뼈로 절제부를 보철하는 방법으 로 쓰임- 특히 알루미나 세라믹스를 응용한 인공뼈는 실제 임상으로 많이 사용7-3) 인공치아- Ti

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.20

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노광공정 및 식각공정

isolation) 산화층 트랜지스터 위에 생성되어 내부 적으로 연결되는 층과 트랜지 스터를 절연하기 위해 증착함. 패시베이션(Passivation) 산화층 웨이퍼의 최상단에 증착 ... 되고, 완 성된 웨이퍼의 표면을 보호함.전통적인 리소그래피 - 트랜지스터7. 내부연결-비아스 (Interconnection – Vias) 리소그래피 공정을 이용하여 트랜지스터의 세 ... 영역(드레인/소스/게이트)를 내부 연결할 비아스를 만듬. 비아스를 통해서 트랜지스터는 칩상의 다른 요소와 연결됨.전통적인 리소그래피 - 트랜지스터8. 내부연결-금속화

리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.05.09

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PSM의 원리

이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이다.11. 이온주입(Ion Implantation)공정회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속 ... 프레임 위에 붙이는 공정이다.17. 금속연결(Wire Bonding)칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.18. 성형(Molding)연결 ... 하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.29

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반도체 제조 공정

제작 공정16단계 . 알루미늄, 금선을 이용하여 칩의 전극과 리드프레임의 단자를 연결한다. 17단계 . 칩, 리드프레임으로 된 내부 소자를 프라스틱 성형한다. 18단계 . 완제품{nameOfApplication=Show} ... 을 실리콘 웨이퍼에 복사하고 화학 처리한다. 정밀도 2미크론 (4기가에서는 0.13미크론) : Lithography반도체 제작 공정이온주입(Ion implantation) 화학 기상증착 ... 을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정 (일반 사진현상과 동일)반도체 제작 공정11단계 이온주입(ION IMPLANTAION) 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.31

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SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이러한 패턴형성과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복됨11단계. 이온주입(Ion Implantation)회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세 ... 한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 줌이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입 ... 하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정13단계. 금속배선(Metallization)웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정14단계. 웨이퍼 자동선별(EDS

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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반도체공정 (Photolithography)

implant, LDD implant 그리고 contact부분을 etching 하는데 쓰이고 clear field mask는 gate나 metal interconnect 부분 ... 의 molecular water를 묶어두는 역할을 하여 silicon과 resist 사이에서 좋은 연결자 역할을 한다.wafer priming에서 가장 중요한 점은 습기문제를 최소화하기 ... . P spin process 동안 발생된 resist film 내부의 stress를 완화시키기 위해? 장비의 청결을 유지하기 위해- soft bake를 하지 않았을 때 발생되는 문제

리포트 | 31페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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수술실 케이스스터디 (유방암)

▶ 내부 구조① 유관(젖샘관 ; lactiferous duct)한층의 세포로 이루어진 관(管)모양의 구조물로, 유선에서 만들어지는 모유를 유두로 운반한다. 유방암은 대개 유관 ... 에서부터 발생한다.② 유선관(젖샘 ; mammory duct)한쪽 유방에 15~20개씩 있으며, 유방 전체에 퍼져 있다. 임신이나 수유 중 모유를 생산하며, 유관을 통해 유두로 연결 ... 보형물(implant)이나 환자 자신의 조직(대개 등쪽, 배쪽의 근육)을 이용한다. 보형물 일부가 안전성에 문제가 있다는 보고도 있었으나, 현재 사용하는 보형물은 안전하다고 한다

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.04.26

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바이오 세라믹

바이오세라믹스 내에 서로 연결된 기공을 만들어 주어 생체조직이 이 기공 속으로 자라 들어가게 하는 시도가 성공리에 수행되었다. 이렇게 하면 계면이 면적이 증가하여 이식재료가 움직이 ... 결정 알루미나- 인공안구 수산화아파타이트 소결체- 체내에 매립된 튜브나 리드선을 피부에서 체외와 연결하는 단자(경피단자)로서 실용화라. 생체내 치료용 세라믹스 세라믹스는 손상된 조직 ... 온도는 1120-1130oC이다. -상은 수분과 쉽게 반응하기 때문에 implant용 생체 재료로는 주로 -TCP가 쓰인다. TCP합성법에는 원료 분말을 고온에서 고상 반응

리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.09.23

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구강-치아우식증

한 수산화인회석 구조의 층이 있고, 그 밑에 상아질이라는 층이 있어 치아의 대부분을 구성하고 있으며 그 아래에는 백악질층으로 치아 내부를 덮고 있다. 또한 잇몸 밖으로 보이는 치아부분 ... 을 왕관모양과 같다고 해서 치관이라고 하며 잇몸 속에 파묻혀 있는 뿌리 부분을 치근이라고 하고 치아의 내부에는 작은 공간이 있는데 이를 치수라고 한다. 치수에는 혈관과 신경이 있 ... 한다.3료를 사용한다. 임플란트의 과정을 살펴보면 먼저 치아의 뿌리역할을 하는 티타늄나사를 치조골에 심는다. 후에 임플란트의 상부를 입안에 노출되도록 수술을 하고 인공치아를 만들어 나사

리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.09.29

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반도체 제조공정

을 선택적으로 제거시키는 공정이다.식각공정11) 이온주입(Ion Implantation)공정회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투 ... 시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.05

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[의용재료]의용재료-인공혈관

리듐?철?코발트 합금 등으로 제작한 금속 임플란트가 개발되었다. 1940년대 이후 골막하 임플란트와 티타늄 블레이드 임플란트가 개바로디며 대중화되었으나 수명이 짧고 성공률이 낮 ... 았다. 이후 1982년 골유착 임플란트가 개발되어 현재 사용중이다.인공혈관-인공혈관의 배경지금 사용되고있는 생체재료에는 인공신장 및 인공심폐장치가 그 대표적인 것으로서, 일반 ... 도 있다. 여기에는 소형 펌프와 그 동련구언, 자동제아장치, 생체와의 연결부분 등이 연구대상이 된다.ex>→인공심장: 기능이 떨어졌거나 악화된 심장 대신 생체 내에 기계적으로 장치

리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.03.20

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[언어치료]CI아동의 재활(cochlear implant)/ 와우

: 모든 와우 이식 시스템은 보통 외부적으로 어음처리기에 연결된 착용하 는 수신기, 전지, 외과적으로 전극배열에 부착된 이식되는 내부 수신기 자극으로 구성.2) 와우 이식 수술 ... Ⅲ. Cochlear Implants and Other Rehavilitative Areas와우 이식은 고도에서 최고도 청력손실을 가진 환자들의 청신경에 전기적으로 음과 구어정보 ... 으로 회복시키지는 않는다. 와우 이식을 받은 사람들은 장치로부터 받는 이익에 있어 다양하다.1. How does a cochlear implant work ?1) 와우 시스템

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.16

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나노섬유의정의, 나노기술및 응용분야

화되며, 작은 섬유들이 상호연결된 웹과 같은 형대로 모아진다. 즉, 전자기장의 세기가 고분자 용액의 표면 장력과 같을 경우 전하를 띤 고분자 용액은 팁 부분에 맺히게 되며, 고분자 ... 를 형성하게 된다. 이를 통해 15nm 이하의 나노섬유 및 입자의 제조가 가능해진다.지금까지 대부분의 나노섬유는 여과, 조직의 기질, 임플란트 고팅 필름, 그리고 상처치료용 드레싱 ... 용으로 사용되는 상처 치료형 붕대를 나노화 하면, 작아진 섬유의 직경으로 인해 피와 같은 체액은 붕대를 투과하지 못하여 혈류는 붕대 내부에 머물게 되고 응고된다. 붕대의 표면에 혈액응고

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.22

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반도체공정

착체로 붙이는 공정Division of Semiconductor Electronic Engineering17. 금속 연결(WIRE BONDING)칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임 ... . 이온주입(ION IMPLANTATION) 12. 화학기상증착(CVD) 13. 금속배선(METALLIZATION)웨이퍼 가공 순서Division of Semiconductor ... 시키는 공정Division of Semiconductor Electronic Engineering11. 이온주입(ION IMPLANTATION)p형 또는 n형 반도체를 만들기 위해

리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.26

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