"전기전자컴퓨터"의 검색결과 입니다.

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"전기전자컴퓨터" 검색결과 221-240 / 16,334건

GIST 광주과학기술원 전기전자컴퓨터공학부 대학원 면접 후기, 질문 목록(2019학년도)

☞ 안내사항본 문서의 필자는 실제 GIST 전기전자컴퓨터공학부 2019학년도 봄학기 1차 전형 석박통합 과정 서류전형 합격자입니다.기본소양시험(수학시험)에 대한 것은 문제 유출 ... 많이 수록하도록 노력하였습니다.필자가 지원한 다른 컴퓨터공학 대학원에 대한 후기도 올릴 계획이니 관심이 있다면 봐주세요^^.마지막으로 이 문서가 많은 예비 석박사 컴퓨터공학도 ... time complexity 나오는 이유, 특징(in-place, stable) 등(저의 과가 상당히 특이하기 때문에) 과에 대한 질문(oo과가 뭐에요, 어떤 전공이에요, 컴퓨터공학

자기소개서 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.12.15

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전자전기컴퓨터설계2 TTL gates Lab on Breadboard [예비레포트]

[02주차] PreLab Report- Title: TTL gates Lab on Breadboard -담당교수담당조교실험일2016.09.12(Monday)학번2013440043이름문범우목차1. Introduction (실험에대한소개)‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 2-8가. ..

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.19

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전자전기컴퓨터설계실험2(전전설2) (8) 7-Segment and PIEZO Control

담당 교수전공 학부전자전기컴퓨터공학부학번성명제출 일자목 차Ⅰ. 서론 (03)1. 실험 목적 (03)2. 실험 이론 (03)2.1. 7-Segment (03)2.2 PIEZO (04 ... 7-Segment and PIEZO Controlpost-lab report7-Segment and PIEZO Controlpost-lab report과목명전자전기컴퓨터설계실험2 ... display)는 표시 장치의 일종으로, 7개의 획으로 숫자나 문자를 나타낼 수 있다. 비슷한 역할을 하는 점 행렬에 비해 단순하기 때문에 전자 회로의 내부적인 수치를 보여 주

리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.12 | 수정일 2021.04.29

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전자전기컴퓨터설계실험2(전전설2) (2) HBE COMBO II SE VerilogHDL Lab

자전기컴퓨터설계실험2담당 교수전공 학부전자전기컴퓨터공학부학번성명제출 일자목 차Ⅰ. 서론 (03)1. 실험 목적 (03)2. 실험 이론 (03)2.1. HDL (03)2.2 ... report2.1. HDL전자공학에서 하드웨어 기술 언어(Hardware Description Language)는 전자회로를 정밀하게 기술하는 데 사용하는 컴퓨터 언어이다. 흔히 HDL이

리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.11 | 수정일 2021.04.29

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전자전기컴퓨터설계2 TTL gates Lab on Breadboard [결과레포트]

[02주차] PostLab Report- Title: TTL gates Lab on Breadboard -담당교수담당조교실험일2016.09.12 ( Monday)학번2013440043이름문범우목차‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21. Introduction (실험에대한소..

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.19

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[전자전기컴퓨터설계실험1] [전전설1] 노턴의 정리, 테브난의 정리 결과레포트

노턴의 정리, 테브난의 정리,그리고 최대 전력 전달과 목 명전자전기컴퓨터설계실험 I학 과전자전기컴퓨터공학부학 번이 름실 험 일2016.4.28담 당 교 수담 당 조 교목차 TOC ... 실험의 목적테브닌 정리 이론, 노턴 정리 이론, 최대 전력 전달이론 관련 실험을 수행하고 이론과 비교해본다.이론적 배경1. 테브닌 정리 이론전기회로에서 두 개의 단자를 지닌 전압원 ... , 전류원, 저항의 어떠한 조합이라도 하나의 전압원과 하나의 직렬저항으로 변환하여 전기적 등가를 설명할 수 있다는 이론이다. 이 것은 회로분석에서 단순화기술로 사용되며, 회로

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.16

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전자전기컴퓨터설계실험2(전전설2) (6) Flip-Flop and Register, SIPO

실험2담당 교수전공 학부전자전기컴퓨터공학부학번성명제출 일자목 차Ⅰ. 서론 (03)1. 실험 목적 (03)2. 실험 이론 (03)2.1. Combinational Logic (03)2 ... Flip-Flop and Register, SIPOpost-lab reportFlip-Flop and Register, SIPOpost-lab report과목명전자전기컴퓨터설계 ... (sequential logic)와는 구별된다. 현재 입력만으로 출력이 결정되기 때문에 조합 논리에는 기억 장치가 쓰이지 않는다.조합 논리는 컴퓨터 회로에서 쓰일 때 불 대수로 입력

리포트 | 44페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.12 | 수정일 2021.04.29

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전자전기컴퓨터설계실험1(전전설1) (9) RC, RL, RLC 회로의 시간영역응답

전자전기컴퓨터공학부학번성명제출 일자목 차Ⅰ. 서론 (03)1. 실험 목적 (03)2. 실험 이론 (03)2.1. RC time response 이론 (03)2.2. RL time ... RC, RL, RLC 회로의 시간영역응답post-lab reportRC, RL, RLC 회로의 시간영역응답post-lab report과목명전자전기컴퓨터설계실험1담당 교수전공 학부

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.09.30 | 수정일 2021.04.29

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전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)12주차결과

로 emitter에서 전자가 나오고 base를 거쳐 collector로 전자가 들어가기 때문에 전류의 방향은 반대로 collector에서 emitter쪽으로 가는 방향을 가지며 base ... 전류는 홀을 공급하니까 base 방향으로 전류가 흐르게 된다. 따라서 E-B 사이 Junction에는 forward bias가 걸려 전자가 이동할 수 있게 해주며 C-B 사이

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 결과

voltage 이상으로 가해지면 minority carrier인 전자가 표면에 점점 쌓이게 되고 channel을 형성하게 된다.VD에 따른 Channel 변화I-V 그래프Channel

리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 11주차 예비

PreliminaryReport주 제: Lab#11 BJT Circuit(BJT Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 30일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" \h \z \u Hype..

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 5주차 예비

PreliminaryReport주 제: Lab#05 Operational Amplifier(Active-RC Filter)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 11일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" \h \z \u..

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 7주차 예비

형과 n형 반도체의 특징을 간단히 말해보자면 p형 반도체는 전자를 받아들이기 쉬운 특성을 가지고 있고 n형 반도체는 자유전자가 만들어지기 쉬운 특성을 가지고 있다.anode는 반도체 ... 가 흐른다.이 방향성에 대해서 아래의 그림들로 알아보자Forward bias 전압을 걸어주었을 때P형은 전자를 받아들이기 쉬운 특성을 가지고 있고 N형은 자유전자가 만들어지기 쉬운 ... 특성을 가지고 있다고 하였다. P형에 전자가 들어갈 수 있는 구멍, 즉 hole이라는 것이 있다고 생각하고 N형에서 자유전자가 만들어지면 hole로 들어간다고 생각하면 쉽

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 결과

minority carrier인 전자가 표면에 점점 쌓이게 되고 channel을 형성하게 된다.VD에 따른 Channel 변화I-V 그래프Channel이 형성된 상태에서 VD

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계실험1(전전설1) (6) 노드해석, 메쉬해석, 그리고 중첩의 정리

전자전기컴퓨터공학부학번성명제출 일자목 차Ⅰ. 서론 (03)1. 실험 목적 (03)2. 실험 이론 (03)2.1. Nodal Analysis (03)2.2. Mesh Analysis ... 노드해석, 메쉬해석, 그리고 중첩의 정리post-lab report노드해석, 메쉬해석, 그리고 중첩의 정리post-lab report과목명전자전기컴퓨터설계실험1담당 교수전공 학부

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.09.02 | 수정일 2021.04.29

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 예비

회로를 구현해 함수발생기와 오실로스코프를 통하여 파형을 관측하고 이론값과 실측값을 비교 분석한다.Ⅳ. 사전보고서(Pre)[0-1] 전자전기컴퓨터설계실험 3의 MOSFET 회로 ... 는다. 하지만 gate 전압이 threshold voltage 이상으로 가해지면 minority carrier인 전자가 표면에 점점 쌓이게 되고 channel을 형성하게 된다.VD에 따른

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)1주차결과

PostReport주 제: Lab#01 RC Circuit지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 3월 14일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" \h \z \u Hyperlink \l "_Toc414807352" Ⅰ. 실험목..

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

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전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)5주차결과

PostReport주 제: Lab#05 Operational Amplifier(Active-RC Filter)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 11일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" \h \z \u Hyperl..

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 9주차 결과

는다. 하지만 gate 전압이 threshold voltage 이상으로 가해지면 minority carrier인 전자가 표면에 점점 쌓이게 되고 channel을 형성하게 된다.VD

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 7주차 결과

을 간단히 말해보자면 p형 반도체는 전자를 받아들이기 쉬운 특성을 가지고 있고 n형 반도체는 자유전자가 만들어지기 쉬운 특성을 가지고 있다.anode는 반도체에서 전류가 흘러 들어가 ... 성에 대해서 아래의 그림들로 알아보자Forward bias 전압을 걸어주었을 때P형은 전자를 받아들이기 쉬운 특성을 가지고 있고 N형은 자유전자가 만들어지기 쉬운 특성을 가지고 있 ... 다고 하였다. P형에 전자가 들어갈 수 있는 구멍, 즉 hole이라는 것이 있다고 생각하고 N형에서 자유전자가 만들어지면 hole로 들어간다고 생각하면 쉽다. 그렇다면 forward

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