"갈륨비소반도체"의 검색결과 입니다.

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"갈륨비소반도체" 검색결과 221-240 / 526건

광전소자 예비 레포트

의 경우에는 파장이 약 900nm인 근적외광이 나온다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 발광파장은 반도체 ... 갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3 ... 여 보자.1) LEDs(발광다이오드)반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 것으로 위의 그림과 같

리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.11

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반도체 종류와 성질

갈륨 비소(GaAs), 갈륨 인(GaP) 등 발광하기 쉬운 성질을 갖고 있는 이들 재료에 의해서, pn 접합을 만든 것으로 순방향 전류를 흘리는 것에 의해 캐리어인 전자와 정공이 다. ... 1. 반도체의 종류와 성질반도체란? 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로 도체처럼 전류가 흐르기 쉽지도 않고 부도체처럼 전류가 흐르기 어려운 것도 아니다. 이와 같이 특유 ... 한 전기적 성질을 가진 물질이 반도체이다.1) 반도체의 성질① 온도 상승에 따라 저항률이 증가하는 금속의 성질과는 반대로 온도의 상승과 더불어 저항률이 감소한다. 즉 부(-)의 온도

리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.08

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epitaxy 공정

epitaxy)갈륨 비소는 고속 반도체 소자나 발광용 반도체 소자로 널리 사용되며, 이를 바탕으로 한 3원소 내지 4원소 화합물 반도체들이 최근에 그 용도를 더욱 다양하게 넓혀 가고 있 ... 와 결합하여 메탄 기체로 방출됨과 동시에 갈륨 비소가 발생한다고 제안되고 있다.3.3 액상 에피택시(LPE)액상 에피택시 기술은 많은 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체의 에피층 성장에 있 ... Section부터 실리콘 에피택시와 갈륨비소 에피택시의 경우를 예로 들어, 위의 에피택시 성장법에 대해 기술 하고자 한다.2. 실리콘 에피택시( Silicon epitaxy): 실리콘

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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광학적 특성 및 LED 특성 평가 실험

갈륨(GaAs),인화갈륨(GaP),갈륨-비소-인(GaAs1-xPx),갈륨-알루미늄-비소 (Ga1-xAlxAs),인화인듐(InP),인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3족 및 5 ... 에서 N 하며, 이러한 반도체에서는 음전하에 의해 전류가 흐르므로 n형 반도체라 한다.이제 바꿔서 실리콘 결정에 칼륨 원자를 넣어 주면, 갈륨원자는 전자 배치가 4s24p이므로 최외각 ... 광학적 특성 및 LED 특성 평가 실험목차Ⅰ. 서론- 실험 목적Ⅱ. 본론- 이론적 배경ㄱ. LED의 정의ㄴ. P-N 접합ㄷ. I-V curveㄹ. GaN(갈륨 나이트 라이드)ㅁ

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.18

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LED 및 LD 특성평가

diode의 약어로, 순방향 반도체 접합을 능동 매질로 사용하여 레이저를 발생시키는 다이오드 이다. 주입형 레이저 다이오드 또는 반도체 레이저라고도 하며, 갈륨비소(GaAs) 등 ... (Sb), 비소(As) 같은 물질은 자유전자 수를 증가시킴으로써 Si의 전도율을 증가시키는데, 이러한 반도체를 'N형 반도체'라 한다(그림1). N형 반도체는 약간의 정공이 존재하지 ... 만 대부분의 경우 자유전자에 의한 전류흐름이 발생한다. 즉, N형 반도체에서 다수 캐리어는 자유전자이고, 소수캐리어는 정공이다.3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)같은 물질은 정공

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.15 | 수정일 2013.11.29

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폐휴대폰의 재활용

, 알루미늄 , 비소 , 금 ( 갈륨은 반도체 재료로 이용 ) 카메라 : 동 , 니켈 , 금 이어폰 , AC 잭 , 버튼 : 금 , 철 , 니켈 , 크롬 칩 : 철 , 은 , 니켈 ... 대당 납 함량 0.26g, 카드뮴 2.5ppm, 코발트 27.4ppm, 비소 20ppm 스피커 : 네오디뮴 ( 부품용 자석을 만드는데 쓰이는 금속 ) 적외선 LED: 갈륨 ... (PCB) 이고 브롬계 , 난연제 , 카드뮴 , 비소 · 수은 등과 같이 인체에 해로운 물질이 포함돼 있다 .국내 여러 폐 휴대폰 재활용의 관심 서울환경영화제와 , 상영작인

리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.24

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(숯전지, 태양광전지)생활화학1결과보고서

:hole)에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗)이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을 취하는 것. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 황화카드뮴이 또는 이것 ... 전지 (太陽電池 : solar cell, solar battery)?O 태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로서 금속과 반도체의접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛 ... 을 조사(照射)하면 광전효과에 의해 광기전력이일어나는 것을 이용한 것O 금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는 셀렌광전지, 아황산구리 광전지가 있고,반도체 pn접합을 사용한 것

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.06

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LED 조명 기초기술 자료

으로발광효율 무지 나쁨 (전기 아까워요~!)LED란?LED (Light Emitting Diode, 발광다이오드)는 쉽게 말해 빛을 내는 반도체로 비소화갈률(GaAs), 인화갈륨 ... 고 만드는 반도체의 원료로서 LED종류에 따라 갈륨비소, 사파이어 등의 소재를 사용 웨이퍼를 증식하는 공정의 사업 에피택시: 웨이퍼위에 화합 반도체를 얇게 층층이 쌓아 에피 웨이퍼 ... (GaP), 갈륨비소인(GaAsP)등을 조합해서 만든다 LED (Light Emitting Diode, 발광다이오드)원리: 양과 음의 전기적 성질을 가진 두 화합물이 접합하여(PN접합

리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.25

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[전자회로실험] 접합, 제너 다이오드 특성 발표자료입니다.

에는 Ge(게르마늄), Si(실리콘)이 있음.◈ 반도체 재료 ◈N형 반도체반도체에 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)의 불순물들을 도핑하면 자유전자(electron) 수를 증가 도핑 ... : 불순물의 종류나 양을 조절해 가하는 것.◈ 반도체 재료 ◈P형 반도체P형반도체에 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 불순물을 도핑하면 정전하 캐리어 (정공) 수 ... 다이오드의 전압-전류특성을 실험적으로 측정하고 그래프를 그려본다. 3. 옴메타로 접합 다이오드를 검사한다.반도체(Semiconductor)반도체의 정의 ► 전기적인 도체와 절연체 사이

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

), 게르마늄(Ge)Ⅵ족셀렌(Se), 테르르(Te)Ⅲ-Ⅳ족화합물반도체갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP),인듐비소(InAs), 인듐인(InP)Ⅱ-Ⅵ족화합물반도체황화아연(ZnS), 셀레화아연 ... 접한다. 낮에는 태양 밤하늘에 보이는 별, 방 안의 형광등, 길거리 네온 싸인 등은 직접 접할 수 있는 플라즈마이며 반도체, LCD 모니터, 핸드폰 등에서처럼 제조 공정중 ... 용운 개념의 플라즈마 소스로 대체하는 기술이다.??◎반도체 및 나노 기술 분야??- 하전 손상(Charge Damage)이 없는 0.1 마 이크론 이하의 선폭 식각 기술? - 50

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13

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HEMT (High Electron Mobility Transistor)

산화막반도체)형의 FET를 제작하는 연구에 착수하고 있었는데 이 경우 전자의 속도가 원리적으로 실리콘의 전자 이동 속도보다 빠르기 때문에 산화막의 갈륨비소 표면에 전자를 유기할 수 ... 의 중요한 거점이 되는 한 논문을 읽게 되는데 그 논문은 서로 다른 종류의 매우 얇은 반도체층을 교대로 겹친 초격자의 연구로 알루미늄 갈륨 비소 박막에 끼워진 갈륨 비소 박막에 전자 ... 로 유력하다.02개발 역사● HEMT는 일본의 후지쯔 사에 수석 연구원인 ‘미무라(三村高)’로부터 1979년에 개발 되었다. 개발자는 회사에서 갈륨비소를 재료로 하여 MOS(금속

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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[첨단기술과인간문명] 반도체에 대해서

이 주로 사용되었지만 현재는 실리콘에 13족의 붕소(B)나 15족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소나 인듐인등이 있 ... 형 반도체가 된다.- 불순물반도체 (N형 반도체)N형 반도체는 진성반도체의 상태에서 비소, 인, 안티몬 등 의 5가 원소(최외각전자가 5개)를 넣어 만든다. 그러면 5가 불순물 원자 ... 목 차1. 반도체란?- 반도체2. 반도체의 종류- 순수반도체 (진성 반도체)- 불순물반도체 (N형 반도체)- 불순물반도체 (P형 반도체)3. 다이오드4. 집적회로5. 반도체 관련

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.12

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[태양전지] 태양전지 (필요성, 원리, 특징, 종류, 제조법, 실용화, 앞으로과제) PPT

형실리콘(단결정,다결정) 갈륨비소 (GaAs) 탐뎀형 (GaAs/Si)24~28 25 31(347배 집광)박막형비결정질 Si(a-Si) 탐뎀형 (a-Si/CIS)14 16*태양전지 ... 이 불가능하다 큰 전력에는 큰 면적이 필요하다 발전 비용이 높다 기상조건에 따라 발전량이 변한다 축전기능이 없다*태양전지의 원리반도체에 빛이 입사하면 흡수되어 빛과 반도체간 작용

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

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접합다이오드에 대하여

P-N junction diode (접합다이오드)*반도체도체와 절연체 중간의 전기적 성질을 갖는 고체*P형 반도체인듐(In) 또는 갈륨(Ga) 등 양전하 캐리어수를 많게 하 ... 는 불순물을 도핑한 반도체로 소수의 전자, 다수의 정공(양전하)이 존재한다.*N형 반도체비소(As) 또는 안티몬(Sb) 등 음전하 캐리어수를 많게 하는 불순물을 도핑한 반도체로 다수 ... 의 전자, 소수의 정공(양전하)이 존재한다.*PN접합 다이오드P형 반도체와 N형 반도체를 서로 접합시킨 것이다.p-n접합이 처음 생성되면, N영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 P

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.31

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LED(Light Emitting Diode)와 광효율 개선

반도체 물질인 4족의 실리콘과 게르마늄은 빛을 낼 수 없다. 그 대신 4족 양옆에 있는 3족의 알루미늄, 갈륨, 인듐과 5족의 질소, 인, 비소, 안티몬을 조합해 만든 반도체 물질 ... 은 빛을 낼 수 있다. 대표적인 물질로 비소화갈륨, 인화갈륨, 질화갈륨, 질화인듐, 비소화인듐, 인화인듐 등이 있다. 이같이 두 가지 이상의 원소가 만나 만들어진 반도체 물질을 화합 ... , 녹색, 청색 등으로 여러 가지가 있다. 반도체의 전자가 뛰어내린 높이 즉, 밴드 갭의 크기를 조절하면 발생하는 빛의 파장이 바뀌게 되는데 빛의 파장이 바뀜에 따라 방출되는 빛

리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.21

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[광양자설][광자설][광검출기][광리소그래피][광디스크]광양자설(광자설), 광검출기, 광리소그래피, 광디스크, 광채널, 광탄성, 광자결정, 광전효과, 광로관, 광속, 광도법 분석

한 파장만을 검출할 수 있다. 반도체 광검출 소자로는, 다이오드형 광검출소자와 광전도체형 광검출소자가 있다. 검출기를 만드는 데 주로 사용되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있 ... . 여러 가지 파장영역을 디텍트할 수 있는 반도체 소자3. 디지털카메라Ⅲ. 광리소그래피Ⅳ. 광디스크1. 스캐너2. LCD프로젝터Ⅴ. 광채널1. 광채널이란2. 요구사항3. 광채널 물리 ... )효과를 이용한 검출기●광흡수에 의한 반도체 내에서 반송자 생성을 이용한 반도체 광검출기.반도체를 이용한 광검출기는 특정한 파장이상을 흡수하는 두개 이상의 재료를 이용해 특정

리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.27

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컴퓨터를 이용한 계측실험1

한 색의 발광 다이오드를 만들 수 있다.? 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs) - 적외선, 빨간색? 갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색? 인듐질화 갈륨 ... 제품의 검출에 적합⑫ 거리설정 : 검출 거리 영역을 설정하여 배경에 무관하게 안정적으로 물체 검출⑬ 광택도 : 검출체 표면의 광택 정도 검출⑭ 에리어형 : 전자, 반도체, 산업 ... ) 디지털출력을 이용한 LED 제어(구동)실험○ LED의 구동원리에 대하여 조사하라.발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자 이다.LED

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.24

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파인세라믹스의 분야별 특성 온도 재료에따른 모든것

-비소게르마늄, 실리콘에 이은 제3의 반도체로 불려지고 있으며, 고속 데이터 처리와 광통신에 없어서는 안되는 재료이다. 갈륨과 비소의 화합물은 일렉트로닉스, 옵토 일렉트로닉스 ... , 고속 IC 등에 사용된다.화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체로, 갈륨-비소, 인듐-인, 갈륨-인 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 황화 ... 로서료가 되고 있다. 앞으로도 반도체 소자의 기판으로 그 수요는 연율 105 이상의 페이스로 늘어날 전망이다.(2)고속 집적 회로와 반도체 레이저용 재료로 큰 기대를 모으는 갈륨

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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LED에 대하여...

), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인, 갈륨-알미늄-비소, 인화인듐, 인듐갈륨-인 등 화합물 반도체를 사용한다.이 현상은 1923년에 발견되었지만 60년대 말 실용화가 시작되어 90 ... 개발에 향후 5년간 1천억원 투입2. LED구조) 반도체에 전압을 가할 때 생기는 파장이 가시영역에 속할 때 이를 활용하여 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비소화갈륨(GaAs ... 갤륨비소와 사파이어 등을 이용하여 기존의 세계 최고 휘도제품의 7배 휘도제품을 개발했다고 한다. LED는 모노리식LED 디스플레이와 하이브리드형 LED디스플레이로 분류되며 반도체

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.17

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chapter+9+반도체와+다이오드_10

) : 어떤 물질의 가용 자유 전자수도핑 (doping) : 반도체 내의 전하 운반자 수를조절하는 작업. 반도체의 결정 구조에 불순물을첨가불순물은 주로 5족 원소 (비소 (As ... Chapter 9 반도체와 다이오드반도체 소자의 물리적인 원리 이해다이오드의 대신호 모델전파 정류기 회로제너 다이오드실제 다이오드의 동작태양 전지, 광센서, LED 및 포토 ... 다이오드9.1 반도체 소자와 전기 전도반도체 : 주위 조건 변화에 따라 도체 또는 부도체로 작용하는 물질 또는 소자일반적으로 4족 원소로 구성된 물질주로 실리콘 (Si) 혹은 게르마늄

리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.17

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