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"포토레지스트" 검색결과 201-220 / 266건

  • 증착기를 이용한 반도체 공정
    한다.5. 리소그래피 (Lithography)리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 이 공정은 모든 ... 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21
  • 6T 산업이 우리 사회에 끼치는 영향과 나아가야할 방안
    시장을 진출하여 시장을 점유.2. 지능형 나노소재- 구현이 어려운 성질을 이론적으로 설계하여 구현 가능하고 소재분야에 있어 변혁을 가져올 것으로 예상.- 반도체 포토레지스트
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.10
  • LCD관련 레포트 - 수준높은 퀄리티
    률은 8.8%에 머물 것으로 예상되며, 포토레지스트는TFT-LCD 시장의 성장률과 비슷한 추세를 보일 것으로 전망된다. 드라이버 IC 경우는 칩당 채널 수가 커지면서 단위 모듈에 소요 ... 199220250285294304포토레지스트10471328151167175184드라이버IC586466947146794383939108-)국내 TFT-LCD 부품산업의 현황LCD 패널용 부품의 국산화율은 다.
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.26
  • LCD color filter
    포토레지스트를 코팅 후, ITO deposition 2. 포토마스크를 통해 포토레지스트가 노출- 발달-전착 되는 과정이 R,G,B 세가지 색에 대하여 반복 3. 최종 ITO가 피복
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.29
  • 반도체공정순서 및 박막 증착법
    하의 노출된 산성의 포토레지스트는 기본 용액으로 제거됩니다. 단지 노출되었던 크롬충의 원하지않는 부분만을 남겨둔다. 이후에 크롬은 암모니아 질산염의 사놔용액으로 에칭된다. 남아있 ... 는 포토레지스트는 사가의 표면과 깨끗한 크롬을 남겨놓고 ' HYPERLINK "http://www.river-run-through-it.com/contents/process_18
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25
  • 신소재 종류
    (wearable computer) 등을 만들 수 있는 전자정보 산업분야의 미래 신소재로 주목받고 있다.3.감광성플라스틱보통 포토레지스트(photoresist)라고 한다. 빛에 의해서
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.21
  • photolithography
    , Iosist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다. 용해억제형 포토레지스트 ... 계로 구성되며 점도조절을 위한 solvent, 색소(dye)가 추가로 첨가된다. 대부분 g-line, i-line resist의 경우가 이에 해당한다. 화학증폭형 포토레지스트 ... 를 형성하는 polymer resin으로 구성된다. 재료의 구성에 따라 2성분계 및 3성분계로 분류되며 DUV, VUV resist가 이 경우에 해당된다. 주쇄절단형 포토레지스트
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.24
  • Lithography 및 PR, etchant
    억제형 포토레지스트(Dissolution Inhibition Resist)는 감광작용을 하는 PAC(Photo Active Compound) 및 physical image를 형성 ... 용 resist가 대표적인 예이다.2.1.용해억제형 포토레지스트Novolac resin(polymer)은 physical image 역할을 하며 organic solvent 또는 ... .그림 1. 용해억제형 포토레지스트의 노광 및 비노광지역의 광화학 반응그림.Base insoluble sensitizer는 노광에너지에 의해서 N2 gas를 방출시키고 Ketene
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.06
  • 포토리소그라피(Photolithography)
    포토리소그라피20001895 박시형목차기판 및 표면처리 PR (Photo Resister) 저온건조(Soft Bake) 노광(Expose Pattern) 현상(Develop) 고온건조(Hard Bake) 부식(Etching) 레지스트 제거(Remove Photoresi..
    리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    신소재를 정의와 재질별 분류
    의 산업화에, 감광수지는 광학용으로, 고기능 분리막은 화학분야에, 도전성·고분자재료는 전송분야에, 유기반도체는 포토레지스트·패키징 재료의 국산화 등에 이용되고 있다.① 엔지니어링
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.29
  • Lithography 공정 실험
    로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.2) 리소그라피의 간단한 공정 순서2-1
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.19
  • 습식에칭(Wet Etching)
    추출법을 이용하여 혼합산폐액에서 조성의 각 산을 개별적으로 분리회수하는 기술 10/203. 기술 개발 추이 3.1. 기술개발 현황 ● 포토리소그래피공정 포토레지스트 ... ( photoresist ) 패턴을 마스크로 하여 포토레지스트로 덮여 있지 않은 부분을 선택적으로 제거 11/203. 기술 개발 추이 3.2 에칭 장비 향후의 에칭 장비들은 저압에서 고밀도
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.22
  • 동우화인켐 합격 자기소개서
    , 컬러레지스트, 포토레지스트 국산화를 실현해 우리나라가 세계 1위의 반도체 선진국으로 성장하는데 크게 공헌한 회사입니다. 여기에 멈추지 않고 2002년부터 정보전자 소재산업에 진출
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.03.05
  • 동우화인켐 합격 자기소개서
    , 포토레지스트 국산화를 실현해 우리나라가 세계 1위의 반도체 선진국으로 성장하는데 크게 공헌한 회사입니다. 여기에 멈추지 않고 2002년부터 정보전자 소재산업에 진출해 컬러필터
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.03.05
  • [공학] photo etching 포토에칭
    PHOTO ETCHING포토에칭이란 포토에칭의 장점 포토레지스트란 에칭이란 포토에칭의 공정 포토에칭 공작물포토에칭이란포토에칭기술은 정밀사진기술과 에칭(부식가공) 접목한 것 ... 는 각종 정밀부품 가공에 용이하다.포토레지스트포토레지스트의 특성 포토레지스트의 분류 포토레지스트의 성분Photo Resist (P/S) : 빛의 에너지에 의해 분해 또는 가교 등 ... 의 반응이 일어나 그 용해 특성이 변화 하는 물질로 Sliicone oxide(실리콘산화물), Ploysilicon, Silicon nitride(질화실리콘)등이 있다.포토레지스트
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19
  • ITO glass cutting, glass 세정 및 건조공정
    다. 마스크 제조업체들은 2진수로 이루어진 2차원 기하학적 패턴을 광 민감성 소재(포토레지스트)상에 노출시키기 위해서 레이저 패턴발생장치를 사용한다. 화학물질에 입사된 광자는 포토레지스트 ... 내에서 변환되어 잠재영상을 만든다. 이 잠재 영상을 현상하여 레지스트 상에 3차원 양각 영상을 생성한다. 포토레지스트가 부분적으로 덮여있는 크롬을 식각하여 크롬 상에 2차원 영상
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.01
  • [반도체공정] Photoresist 및 OF
    nm 포토레지스트3) 해결해야 할 과제4) 157 nm 포토레지스트용 고분자....가) 실록산계 고분자..ㄱ) PDMS (poly dimetyul siloxane )ㄴ) poly ... 의 문제점ㄴ) 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점3-3. 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점4. OTFT 관련 유전 물질5. 기타 ... 에 248 nm 의 KrF 포토레지스트가 사용65 nm 선폭 공정에 193 nm 의 ArF 포토레지스트가 사용60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상나
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19
  • 박막 에칭
    다. 반도체 웨이퍼에 산화박막을 형성해서 포토레지스트 ( photoresist)로 패턴을 형성한 후 에칭으로 불필요한 박막을 제거한다. 에칭의 기법 습식 식각 (wet etching
    리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13
  • 반도체 lithography process (노광공정)
    다.그을 받은 지역은 현상액에 녹고, 빛을 받지 않은 지역에는 용해억제제가 그대로 존재하여 현상액에 녹지 않아 패턴으로 남게 되는 모습을 보여 준다.그림 19. 용해억제형 포토레지스트 ... 적으로 A=0.9(um-1), B=0.08(um-1), C=0.12(mJ/cm2)의 값을 갖는다.4-1-2. 화학증폭형 포토레지스트포지티브 레지스트는 노광에너지에 의하여 PAG
    리포트 | 62페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.04
  • 재료공학기초실험 주사전자현미경(SEM)관찰 실험 A+레포트
    에 산화박막을 형성해서 포토레지스트(photoresist)로 패턴을 형성한 후 에칭으로 불필요한 박막을 제거한다. 에칭의 종류는 불산 액체를 사용하는 습식 식각 (웨트 에칭)과 4불화
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.26
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2025년 08월 15일 금요일
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