"전자공학과실험"의 검색결과 입니다.

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전자회로실험 전자공학과 mosfet 특성 충북대 기초전자공학 멀티바이브레이터 기초전자공학실험 자동제어 실험5 고급전자회로 디지털시스템실험

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"전자공학과실험" 검색결과 201-220 / 3,233건

서강대학교 전자공학과 4학기(2학년 2학기)의 디지털논리회로실험 레포트입니다

1. 제목Lab 2. Digital Logic Gates2. 실험 목적(1) TTL 및 CMOS logic gates의 동작 원리를 확인한다. Logic level과 noise ... 과 활용 방법을 익힌다.(4) FPGA를 이용해 간단한 논리 회로를 구현하고 동작을 확인한다.1. 제목Lab 3. Decoders and Encoders2. 실험 목적(1) 일반적인 ... (display devices)의 동작원리를 이해한다. 5. 토의1학기 때 이론으로 배운 gate 와 소자들에 대해 직접 실험을 해보았다. 디지털 오실로스코프의 사용이 서툴러

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.27 | 수정일 2021.09.20

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[전자공학과] VCVS필터 실험

3. VCVS 필터{(Voltage Controlled Voltage Source Filters)실 험1. VCVS 저역 필터{그림 1. VCVS 2차 저역필터1-1. 그림1의 회로에서 R, C가 표1과 같은 조건으로 주어질 때 각 주파수에대한 출력전압 {v_o를 측정..

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.23

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연세대학교 편입학 전기전자공학부 학업계획서

1. 해당 모집단위에 지원한 동기와 이를 위한 학업적 노력을 기술하시오.제가 연세대학교 전기전자공학부에 편입을 지원한 동기는 학부를 졸업하고 다시 전기전자공학에 대해 공부하고 싶 ... 습니다. 전기 OO 업무를 맡다보니 회사 내 전자 쪽 업무에도 관심이 많았고 전기전자공학에 대해 공부하고 싶다는 생각을 하게 되어서 연세대학교 전기전자공학부에 편입학을 지원하게 되 ... 었습니다.저는 OO대학교 전기공학부에서 회로이론1,2, 전자회로1,2, 전력기기실험, 아날로그시스템설계, 전력시스템공학1,2, 컴퓨터통신과계측, 전력전자시스템설계, 신호처리및시스템1,2

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.12.27

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실험10_전자회로실험_예비보고서_MOSFET 바이어스 회로

학과:전자공학과학번: 2017013094이름: 문정훈[실험10. MOSFET 바이어스 회로]1. 제목- MOSFET 바이어스 회로2. 실험 절차실험회로 1에서 값이 4V, 는 4 ... kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 를 구하고 기록하라.실험회로 2에서 드레인 전류가 1mA 가 되도록 를 구하고, 표에 기록하라.붙임실험회로 1 ... 실험회로 23. 실험에 대한 이론- 예비보고사항실험회로 1에서 Pspice를 이용하여 =12V, =4V, =8V, =1mA 가 되는 값을 결정하시오.Pspice 시뮬레이션 결과 회로

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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실험 1_전자회로실험_PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드_예비보고서

학과:전자공학과학번: 2017013094이름: 문정훈[실험01.PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드]1. 제목- PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드2. 실험 절차실험 회로 1 ... 에 기록하고, PN 접합 다이오드의 내부 저항은 전류 – 전압 특성 곡선의 기울기를 이용하여 구하라.실험 회로 2 에서 전압을 -10~10까지 1 간격으로 바꾸면서, 제너 다이오드 ... 간격으로 측정하고, 이 값은 실험에 사용한 제너 다이오드의 종류에 따라서 다를 수 있으니 데이터 시트를 참고하라. )표 로부터 제너 다이오드의 전류-전압 사이의 관계식을 유도해보

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.08 | 수정일 2024.01.15

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충북대 전자회로실험 실험 4 다이오드 응용 회로 2 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 4. 다이오드 응용 회로 Ⅱ -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.4.81. 실험 결과1.1 배전압기(Voltage Doubler ... 의 일정한 전압 강하를 가지는 특성을 알고 전압 강하 특성을 이용하여 한계회로를 구현할 수 있어야한다. 실험 1에서의 결과는 Vout은 Vin의 2배인 10V가 되어야했지만 조금 부족 ... 한 9V로 측정되었다. 이는 시뮬레이션과 크게 다르지 않았다. 실험 2에서의 Vout은 Vin보다 더 큰 결과값을 나타냈는데 이는 각각 9V,5V로 측정되었다. 시뮬레이션

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.01.11

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전자응용실험 4장 결과 [BJT 전류이득 및 포화 전류 측정]

전자응용실험1실험?. BJT 전류이득 및 포화 전류 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. 실험 결과(1) Gummel plot ... 118 TIMES 10 ^{-9}}=141 TIMES 10 ^{6}비고 및 고찰이번 실험은 콜렉터 및 베이스 전류 vs 베이스-에미터 전압 그래프(Gummel plot)를 이용 ... 하여 순방향 Gummel 변수들(BF, IS, NF, ISE, NE, IKF)의 값을 구하는 실험이였다. 이 그래프는 바이폴라 트랜지스터가 순방향 활성 영역에서 동작할 때 콜렉터 및

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 8장 예비 [MOSFET Subthreshold 특성 측정]

전자응용실험1실험?. MOSFET Subthreshold 특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 8MOSFET ... Subthreshold 특성 측정1. 실험 목적MOSFET의 subthreshold slope을 측정한다.2. 기초 이론선형 및 포화 영역은 MOSFET 채널이 strong inversion

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 9장 결과 [MOSFET 기판 전류 측정]

전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 9MOSFET 기판 전류 측정5. 실험 방법 ... over {V_ds - V_dsat }를 측정한다.6. 실험 결과(1) Ib - Vgs 특성 곡선을 그려라.[ 그래프를 유도하기 위해 적절히 VARB의 STEP을 3으로 하 ... 였다 ][ 지그재그의 모양이지만 ?부호인 것을 제외하면 책의 게이트 전압과 기판전류의 그래프와 비슷하다 ]비고 및 고찰이번 실험은 드레인 전압과 게이트 전압에 따라 기판전류가 어떻게

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 10장 결과 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]

전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정5. 실험 방법(1) 그림 10.3처럼 OP-AMP가 바이어스되게 소자분석기를 구성하고, 각 단자들은 다음 조건들을 만족하도록 한다. OP-AMP의 (-) 입력 ... 을 반복한다.그림 10.3 실험 구성도6. 실험 결과(1) Vin - Vout 특성곡선을 그려라.(2) VOL, VIL, VOH, VOL, VOS를 구하여라.VOL = ( -13

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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기초전자공학실험1-RLC소자 예비보고서

3.1. 저항의 값은 보통 색 코드로 표기한다. 을 보고 색 코드 를 암기하여 저항 값을 읽는 방법을 익힌다.저항에는 보통 4 개의 띠가 있는데, 첫 번째 띠와 두 번째 띠는 숫자를 나타내고 세 번째 숫자는 10 의 지수를 의미한다.네 번째 띠는 오차를 표현하며 없을 ..

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.08

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충북대 전자회로실험 실험 7 BJT 다단 증폭기 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 7. BJT 다단 증폭기 -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.5.61. 실험 결과1.1 공통 이미터 증폭기(1) 과 같이 인 공통 ... .4} over {240 TIMES 10 ^{-3}} =-143(3) 실험(1)에서 저항 을 교체하고 전압 이득을 구하시오.v _{"in"} =196mVv _{out} =-18V ... }} over {v _{"in"}} = {-30.4} over {208 TIMES 10 ^{-3}} =-146(3) 실험(4)에서 저항 을 교체하고 전압 이득을 구하시오.v _{out} =

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.12 | 수정일 2022.02.15

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전자응용실험 10장 예비 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]

전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정1. 실험 목적OP-AMP의 특징을 이해하고, 이를 이용한 인버터 입출력 특성을 측정한다.2. 기초 이론1) OP AMPOP-AMP(operational

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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충북대 전자회로실험 실험 11 BJT 차동 증폭기 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 11. BJT 차동 증폭기 -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.6.31. 실험 결과1.1 전류 거울(1) 의 전류 거울 회로 ... _{out1} -v _{out2}} over {v _{"in"1} -v _{"in"2}} = {0.3739V} over {-3.019mV} =-123.8(3) 예비 실험 (4)의 결과 ... } RIGHT | =2772. 비고 및 고찰이번 실험은 증폭기의 부하로서 사용하는 전류 거울 기법을 이해하고, BJT 차동 증폭기를 구현한다. 차동 증폭기 회로는 단일 증폭기보다 적

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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전자응용실험 3장 결과 [BJT 출력 특성 측정]

전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. 실험 결과(1) 공통 에미터 특성 곡선 IC vs ... -0.297} =63.50{I _{C}} over {기울기} =VAF=22.29V비고 및 고찰이번 실험은 공통 에미터 특성 (I _{c} `vsV _{CE}) 그래프를 이용 ... 하여 기울기와I _{C}를 측정하여 얼리전압(VAF)를 구하는 실험이였다. 이 Early 현상은 Gummel-Poon 모델에서 normalized 베이스 전하q_b로서 표시된다. 또한 이

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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충북대 전자회로실험 실험 3 다이오드 응용 회로 1 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 3 다이오드 응용 회로 Ⅰ -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.4.11. 실험 결과1.1 반파 정류기(Half-wave ... -506.49-455.6810.032%2. 비고 및 고찰이번 실험에서는 다이오드는 한 쪽 방향으로만 전류를 흐르는 특성, PN 접한 다이오드는 순방향 바이어스에서 다이오드 온-전압 ... 로 구하였다. 이렇게 구한 결과 오차율은 1~20% 정도 차이를 보였고 이는 예비에서 구했던 오차율보다 훨씬 작았다.이번 실험은 다이오드 응용 회로인 반파 정류기와 전압 레귤레이터

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.01.11

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충북대 전자회로실험 실험 3 다이오드 응용 회로 1 예비

전자 회로 실험 Ⅰ예비 보고서- 실험 3 다이오드 응용 회로 Ⅰ-교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.3.251. 실험 목적(1) 반파 정류기의 동작을 이해하고 입출력 ... 전압()을 만들 수 있다. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터의 , 라인 레귤레이션과 로드 레귤레이션은 식(3.7)-식(3.9)와 같다.3. 예비실험3.1 반파 정류기(Half

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.03.08

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충북대 전자회로실험 실험 12 MOSFET 차동 증폭기 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 12. MOSFET 차동 증폭기 -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.6.111. 실험 결과1.1 전류 거울(1) 의 전류 거울 ... +28.4} =-25.9(3) 예비 실험 (4)의 결과를 이용하여 CMRR을 계산하시오.CMRR= LEFT | {A _{DM}} over {A _{CM-DM}} RIGHT ... | = LEFT | {-25.9} over {0.143} RIGHT | =1812. 비고 및 고찰이번실험은 전류 거울 기법을 이해하고, MOSFET 차동 증폭기의 전달 특성, 차동 이득

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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충북대 전자회로실험 실험 2 MOSFET 특성 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 2. MOSFET 특성 -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.3.251. 실험 결과1.1 NMOS 전류-전압 특성 측정(1 ... 10)} =4.15 TIMES 10 ^{-7}2. 비고 및 고찰이 실험은 MOSFET의 동작 모드 및 전류-전압 특성을 이해하고 측정 할 수 있어야 한다. NMOS에서 게이트

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.03.08

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충북대 전자회로실험 실험 5 BJT 공통 이미터 증폭기 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 5. BJT 공통 이미터 증폭기 -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.4.161. 실험 결과1.1 축퇴 저항이 없는 공통 이미터 ... /2로 만드는 을 측정하시오.R _{L} =100k OMEGA 일 때 8.6V4.6V일 때 = 2.6298kΩ(5) 식(5.8)~식(5.10)을 이용하여, 실험 측정값과 비교하시오 ... ) 식(5.11)~식(5.13)을 이용하여, 실험 측정값과 비교하시오.측정값= -900mV/456mV = -1.974= 44.893KΩ= 0.577k||100k=0.574kΩg

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.01.14

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