DRAM, Flash memory의 구조와 기본원리

소개

DRAM, Flash memory의 구조와 기본적인 동작원리 에 대한 보고서

목차

D R A M(Dynamic Random Access Memory)
◎ 구조
◎ 동작순서
◎ 참고문헌

F L A S H
◎ 구조
◎ 동작원리
◎ 참고문헌

본문내용

D R A M(Dynamic Random Access Memory)
◎ 구조
DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 1개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 구조의
Transistor 와 1 Capacitor 로 1 bit 의 정보를 저장하는 cell을 구성하고 있다. CVD와 PVD를 포함하는
thin film은 이러한 DRAM에 있어서 층간 절연막과 금속 배선등의 막성 구조를 조성하는 공정을
담당하고 있으며 Implantation은 Tr구조의 성능과 작동을 가능하게 하는 VT, source, drain, gate 조성
공정을 담당하고 있다. DRAM의 기본적인 구조는 아래 그림과 같다.
DRAM은 digital 신호를 sample 하여 capacitor에 저장하면서 digital 신호를 기억하는 것이다. 그런데 capacitor는 charge를 오래 가지고 있을 수 없다. capacitor에 연결된 MOS transistor 때문이다. MOS transistor가 "OFF"라고 하여도 아주 작은 전류가 흐르기 때문에 capacitor에 저장되어 있는 charge가 시간에 따라서 점점 감소한다. 이런 이유로 DRAM은 digital 신호를 오래 저장하지 못하고 수십 [msec] 정도만 신호(또는 charge)를 저장할 수 있다. 그래서 데이터가 손실되기 전에 현재의 상태를 유지하기 위한 refresh(재충전) 작업을 하게 된다. 컴퓨터를 끄면 RAM이 이런 Refresh를 할 수 없기 때문에 휘발성을 가지는 것이다. DRAM은 원리가 단순하고 제조가 쉬워서 오래 전부터 컴퓨터의 주기억 장치용 소자로 사용되어 왔으나 리플래시로 인한 대기시간의 증가로 현재는 새로운 형태로 개량되고 있다.

참고자료

· http://cc.kaist.ac.kr/2006spring/gct561/lectures/22-lecture-memory.doc
· http://palc.postech.ac.kr/lecture/2006spring.htm
· 네이버 백과사전, “Flash Memory
· 김기일, 홍성화, 류상욱 “차세대메모리(비휘발성 메모리 동향 및 가능성)”, 한국과학기술정보연구원
· 김제성, “JTAG Port를 이용한 On-Board Flash Fusing(2)