EWB multisim

소개

1. 실험목적

- EWB를 사용하여, BJT 트랜지스터 스위치 회로를 시뮬레이션하여 지정된 전압간에 회로가 스위스 하는 것을 입증하자.
2. 이론

(1) BJT(Bipolar Junction Transistor) ?
- 전자와 정공이라는 양 극성의 전하 캐리어들이 모두 바이폴라 트랜지스터의 전류 전도 과정에 관여하기 때문에 이 말이 붙었는데 BJT는 크게 pnp 트랜지스터와 npn 트랜지스터로 구분된다.
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목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 실험장비
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 오차와 원인

본문내용

(1) BJT(Bipolar Junction Transistor) ?
- 전자와 정공이라는 양 극성의 전하 캐리어들이 모두 바이폴라 트랜지스터의 전류 전도 과정에 관여하기 때문에 이 말이 붙었는데 BJT는 크게 pnp 트랜지스터와 npn 트랜지스터로 구분된다.
pnp의 경우, 왼쪽단자와 된 p층에서 정공을 중간층(베이스층)에 방출하는데, 이 방출기능으로 해서 왼쪽 부분의 이름이 이미터이며, 중간층 베이스를 통과하여 가장 오른쪽 p형 부분에서 양공들이 수집되기 때문에 가장 오른쪽 부분을 컬렉터라고 한다. npn형 트랜지스터의 경우는 이미터로부터 컬렉터로 가는 것이 양공이 아니고 전자가 되어 컬렉터에 양전위를 인가하여야 한다(pnp의 경우는 음전위). pnp형 반도체의 조합은 서로 마주보고 있는 다이오드의 조합과 등가(等價)이다. 이 조합에 그림과 같이 전지(電池)를 결선해 주면 이미터-베이스 간에는 순방향, 베이스-이미터 간에는 역방향의 전압이 걸리게 된다.
Active region - 증폭회로 구성에 사용함
다. (물론 PNP면 반대가 되겠다.)
② 순방향 바이어스로 인해, Base의 Hole의 일부는 Emitter쪽으로 이동하고, Emitter쪽의 대량의 캐리어 전자(Carrior)들이 Base쪽으로 이동하게 된다
③ 그런데, Base단은 매우 좁기 때문에 ②의 전자들은 순식간에 Collector - Base의 PN접합면 가까이에 도달하게 된다.
④ Collector - Base의 PN접합면에는 Collector쪽에 더 높은 전압이 되어있으므로, 전류가 거의 흐르지 않는 Reverse Biased(역 바이어스)가 된다. 대신, PN접합면 주변에는 전기장이 형성된다. (역시 PNP면 반대로 Base쪽을 더 높게걸어주어야 한다.)
⑤ ③에서 Collector - Base의 PN접합면 가까이에 도달한 전자들은 ④의 전기장에 끌려 Collector로 끌려가게 된다.
on을 하게 된다.
따라서 NPN트랜지스터에 흐르는 전류는 다음과 같이 3가지라고 할 수 있다.
1. Emitter Current (에미터 전류)
인해 발생한 전류로, Emitter에서 Base쪽으로 이동한 전자들과 Base에서 Emitter쪽으로 이동한 Hole들이 이루는 전류이다. 단, Hole이 이루는 전류는 전자가 이루는 전류에 비해 작으므로 무시할 수 있다.
2. Base Current (베이스 전류)
- Emitter에서 온 전자들이 Base의 Hole과 만나서 이루는 전류. Base부분이 얇을수록 매우 작아진다.
3. Collector Current (콜렉터 전류)

참고자료

· 없음