전자공학실험1 - Transistor의 기본소자 실험 2

소개

Transistor 소자의 특징에 대한 실험 (예비,결과) 레포트입니다.
- Transistor의 바이어스 및 DC 특성 해석
- MOSFET 회로 실험

목차

1. 트랜지스터(BJT, FET)를 회로적으로 해석하기 위한 등가모델에 대하여 조사하시오.
2. 실험 1, 2, 3
3. MOSFET 회로 실험

본문내용

1. 트랜지스터(BJT, FET)를 회로적으로 해석하기 위한 등가모델에 대하여 조사하시오.
(1) BJT
(1)-1 고정바이어스 회로
위의 그림 고정바이어스 회로는 트랜지스터의 직류바이어스 해석에서 비교적 직접적이고 간단한 소개를 제공한다. 이 회로의 해석은 npn 트랜지스터를 사용한 것이지만 식과 계산은 단지 모든 전류방향과 전압극성을 바꿈으로써 pnp 트랜지스터회로에도 똑같이 적용된다. 위의 그름의 전류방향은 실제 전류방향이며, 전압은 표준 2중첨자 표시법에 의해 정의된다. 직류해석을 위해 회로는 커패시터를 개방회로로 대치함으로써 직류레벨로부터 분리될 수 있다. 더욱이 직류공급전원 는 입력과 출력회로를 분리하기위해 다음 그림과 같이 2개의 공급전원으로 분리될 수 있다.(단지 해석의 목적으로)

위의 그림이 직류등가회로 그림이다. 또한 베이스전류 로 흐르는 두 전류 사이의 연결도 감소시킨다. 위 그림에서 는 단지 고정바이어스회로 그림에서처럼 와 에 직접적으로 연결되어 있다는 것을 아는 것처럼 분리는 분명히 유효하다.

베이스-이미터의 순방향 바이어스
먼저 위 그림의 베이스 - 이미터 회로의 루프를 생각한다. 루프에서 키르히호프의 전압법칙을 시계방향으로 적용하면 다음과 같이 된다.

표시된 의 방향에 의하여 나타낸 것처럼 에 걸리는 전압강하의 극성에 유의해야 한다. 윗식을 전류 에 대하여 풀면 다음과 같이 된다.

위의 식에서 단지 베이스 전류 는 에 흐르는 전류이며 옴의 법칙에 의해 에 걸리는 전압을 저항 로 나눈 것이라는 것만 기억한다면 기억하기가 그렇게 어렵지는 않다. 에 걸리는 전압은 인가된 전압 에서 베이스-이미터 접합에서의 전압강하를 뺀 것이다. 더욱이 공급전압 와 베이스-이미터 전압 는 일정하므로 베이스저항 가 동작점에 대한 베이스전류의 레벨을 조정한다.
컬렉터-이미터 루프
위의 그림은 회로의 컬렉터-이미터 부분을 나타낸 것이로 전류 의 방향과 저항 에 걸리는 전압의 극성이 표시되어 있다.

참고자료

· Microelecronic Circuits 5th Edition.(Sedra/Smith)
· 전자회로 제5판 (김봉열, 임제탁, 이명호 공역)
· www.wikipedia.org