나노임프린트 리소그래피 적용을 위한 CHF₃ 플라즈마를 이용한 실리콘 몰드 표면 처리 특성 (A Study of the Silicon Mold Surface Treatment Using CHF₃Plasma for Nano Imprint Lithography)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 10호 / 790 ~ 793페이지
· 저자명 : 김용근, 권광호, 김재현, 유반석, 장지수

초록

본 연구에서는 나노 임프린트 리소그래피 공정중에서 디몰딩 공정에 적용하기 위해 ICP 장비를 이용하여 Si 표면을 CHF₃플라즈마를 이용하여 개질 하였다. Si 표면개질 전과 후의 접촉각은 80o에서 118o 로 증가되었다. 이와 같은 이유를 확인하고자 XPS 분석을 조사하였고, 그 결과 Si 표면에 CFx (x= 1,2,3) 폴리머가 형성되어 높은 접촉각이 조사 되었고, 점착 방지막을 형성할 수 있었다. 그 후 디몰딩 공정을 수행하였고, 디몰딩 공정이 증가됨에 따라 정확한 패턴 전사가 되지 않음을 SEM 사진을 통하여 확인하였다. 이와 같은 이유를 알아보고자 디몰딩 횟수 증가에 따른 접촉각 과 XPS 분석을 조사하였다. 그 결과 디몰딩 횟수의 증가로 인하여 Si 표면에 점착방지막인 CFx 폴리머가 소멸이 중요한 요소이며 디몰딩공정 중 PDMS에 의하여 국부적인 Si 표면이 오염 된 것을 확인할 수 있었다.

영어초록

In this study, the surface modification for a silicon(Si) mold using CHF₃inductively coupled plasma(ICP). The conditions under that plasma was treated a input ICP power 600 W, an operating gas pressure of 10 mTorr and plasma exposure time of 30 sec. The Si mold surface became hydrophobic after plasma treatment in order to CFx(X= 1,2,3) polymer. However, as the de-molding process repeated, it was investigated that the contact angle of Si surface was decreased. So, we attempted to investigate the degradation mechanism of the accurate pattern transfer with increasing the count of the de-molding process using scanning electron microscope (SEM), contact angle, and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis of Si mold surface.

참고자료

· 없음