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SiO2 절연박막에 의해서 바나듐옥사이드 박막이 전도성이 높아지는 원인분석 (Analysis of Increasing the Conduction of V2O5 Thin Film on SiO2 Thin Film)

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최초등록일 2025.06.13 최종저작일 2018.08
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SiO2 절연박막에 의해서 바나듐옥사이드 박막이 전도성이 높아지는 원인분석
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국산학기술학회
    · 수록지 정보 : 한국산학기술학회논문지 / 19권 / 8호 / 14 ~ 18페이지
    · 저자명 : 오데레사

    초록

    일반적으로 반도체소자의 이동도를 높이기 위하여 반도체소자에서 옴접촉이 중요하게 다루어진다. 반도체 구조의 PN접합은 공핍층을 포함하고 있으며, 공핍층은 전기적인 비선형을 유도하고 쇼키접압을 만들어내는 반도체 고유의 물리적인 특징이다. 본 연구에서는 절연막이 전도성에 미치는 효과를 조사하기 위해서 SiO2 박막과 V2O5/SiO2 박막의 전기적인 특성을 비교하여 조사하였다. 미소전계영역에서 SiO2 절연막의 전기적인 특성으로부터 비선형 쇼키접합을 이루고 있는 것을 확인하였으며, 그 위에 증착된 V2O5 박막은 오믹특성을 갖는 것을 확인하였다. 절연막의 PN 접합에 의한 쇼키접합 특성이 누설전류를 차단하여 V2O5 박막의 전도성을 우수하게 만들었다. 양의 전압에서 SiO2 박막의 커패시턴스 값은 매우 낮았으나 V2O5 박막의 커패시턴스 값은 전압이 증가할수록 증가하였다. 일반적인 전계영역에서 SiO2 박막의 절연 효과에 의해 V2O5 박막의 전도성이 증가하는 것을 확인하였다. 절연박막은 공핍층의 효과를 이용하는 쇼키접합을 갖게 되며, 반도체에서의 쇼키접합은 전도성을 높이는 효과가 있는 것을 확인하였다.

    영어초록

    Generally. the Ohmic’s law is an important factor to increase the conductivity in a micro device. So it is also known that the Ohmic contact in a semiconductor device is import. The PN junction as a structure of semiconductor involves the depletion layer, and this depletion layer induces the non linear electrical properties and also makes the Schottky contact as an intrinsic characteristics of semiconductor. To research the conduction effect of insulators in the semiconductor device, SiO2 thin film and V2O5/SiO2 thin film were researched by using the current-voltage system. In the nano electro-magnetic system, the SiO2 thin film as a insulator had the non linear Schottky contact, and the as deposited V2O5 thin film had the linear Ohmic contact owing to the SiO2 thin film with superior insulator's properties, which decreases the leakage current. In the positive voltage, the capacitance of SiO2 thin film was very low, but that of V2O5 thin film increased with increasing the voltage. In the normal electric field system, it was confirmed that the conductivity of V2O5 thin film was increased by the effect of SiO2 thin film. It was confirmed that the Schottky contact of semiconductors enhanced the performance of electrical properties to increased the conductivity.

    참고자료

    · 없음
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