위상배열구조 위성단말용 X대역 GaAs 기반 FEM MMIC 국산화 개발 (FEM MMIC Development based on X-Band GaAs for Satellite Terminals of Phase Array Structure)

서지정보

· 발행기관 : 한국인터넷방송통신학회
· 수록지 정보 : 한국인터넷방송통신학회 논문지 / 24권 / 4호 / 121 ~ 127페이지
· 저자명 : 김영훈, 이상훈, 박병철, 문성진

초록

본 논문에서는 다중 위상배열 구조의 위성통신단말 송수신모듈 적용을 위한 핵심부품인 FEM(Front-End Module) MMIC를 구성품인 전력증폭기 (PA: Power Amplifier)와 저잡음증폭기 (LNA: Low Noise Amplifier)를 단일칩으로 설계하여 제작, 검증하였다. Win-semiconductors사의 화합물반도체 공정인 GaAs PP10 (100nm) 공정을사용하여 제작하였으며, 전용 시험보드를 이용하여 운용 주파수 대역 7.2-10.5GHz 동작, 출력 1W, 잡음지수 1.5dB 이하의 특성을 확보하였다. 개발된 FEM MMIC는 단일칩으로도 활용이 가능하며, 구성품인 PA, LNA도 각각의 소자로도 활용이 가능하다. 개발된 소자는 해외 부품의 국산화 대체와 X대역을 사용하는 민수/군수의 다양한 응용분야에서사용될 것이다.

영어초록

In this paper, FEM (Front-End Module) MMIC, a key component for the application of the satellite communication terminal transmission and reception module of the multi-phase array structure, was designed and verified as a single chip by designing the Power Amplifier (PA) and the Low Noise Amplifier (LNA). It was manufactured using the GaAs PP10 (100nm) process, a compound semiconductor process from Win-semiconductors, and the operating frequency band of 7.2-10.5GHz operation, output 1W, and noise index of 1.5dB or less were secured using a dedicated test board. The developed FEM MMIC can be used as a single chip, and the components PA and LNA can also be used as each device.
The developed device will be used in various applications of Minsu/Gunsu using the X band and the localization of overseas parts.

참고자료

· 없음