Sinχ와 SiO₂의 유전체 덮개층을 이용한 InGaAs/GaAs 자발형성 양자점의 Intermixing

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 44권 / 6호 / 325 ~ 330페이지
· 저자명 : 이정호, 박세기, 현찬경, 박영민, 최원준, 박용주, 김은규, 이종무, 김현우

초록

상압 금속 유기 화학 증착법(APMOCVD: atmospheric metal organic chemical vapor
deposition)을 사용하여 GaAs 기판 위에 자발형성 InGaAs 양자점을 성장한 후,
SiN$_x$와 SiO$_2$의 유전체 덮개층을 이용하여 양자점에 대한 intermixing 효과를 연구하였다.
양자점의 intermixing은 N$_2$ 분위기에서 700 $^\circ$C로 열처리 온도를 고정하고 시간의 변화를 주어
수행하였다. PL(photoluminescence)측정을 통하여 자발형성 InGaAs 양자점을
intermixing 시킨 결과 열처리 시간의 증가에 따라 양자점의 발광 에너지가 190 meV까지
청색편이되고, 반치폭은 76 meV에서 47 meV까지 감소하며 세기는 증가함을 확인하였다.
특히 SiN$_x$-SiO$_2$ 유전체 덮개층을 사용하는 경우 SiO$_2$층을 사용하는 경우에 비해
PL의 세기는 2배 이상 크며 carrier 구속효과는 크게 감소시키지 않는 것으로 나타났다.

참고자료

· 없음