질소 분극면을 갖는 N형 질화물반도체의 접촉저항 감소를 위한 산소 플라즈마 효과에 관한 연구 (Study of Oxygen Plasma Effects to Reduce the Contact Resistance of n-type GaN with Nitrogen Polarity)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 19권 / 1호 / 10 ~ 13페이지
· 저자명 : 남태양, 김태근, 최연식, 김동호, 이완호, 김수진, 이병규, 조영창

초록

본 논문은 N-face n-type GaN 표면에 산소 플라즈마 처리에 의해서 오믹전극과 접촉 저항을 낮추기 위한 연구를 하였다. 120초 산소 플라즈마 처리후 Ti (50 nm) / Al (35 nm)을 증착한 결과 오믹 전극을 구현하였으며, 1.25×10-3 Ω㎠의 접촉저항을 보였다. 이는 산소 플라즈마 처리가 기존의 플라즈마 처리와 같이 질소결원이 발생하였기 때문이다. 이를 통해 쇼트키 장벽 높이(SBH)이 낮아지게 되었고, 오믹 전극및 플라즈마 처리를 안 한 경우보다 더 낮은 접촉저항의 결과를 획득하였다.

영어초록

We studied the effect of O2 plasma treatments on the electrical property of Ti / Al ohmic contacts to N-face n-type GaN. The surface of N-face, n-type GaN has been treated with O2 plasma for 120 s before the deposition of bilayered electrodes, Ti (50 nm) / Al (35 nm), and its contact resistance was compared with that of the reference sample without O2 plasma. As a result, we found that the ohmic contact was reduced from 4.3 × 10-1 Ω㎠ to 1.25 × 10-3 Ω㎠ by applying O2plasma on the surface of n-type GaN, which was attributed to the reduction in the Schottky barrier height (SBH), caused by nitrogen vacancies formed during the O₂plasma process.

참고자료

· 없음