SiC 다이오드 전류 전압 모델 (Verilog A 시뮬레이션) 제안

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본문내용

.초록
본 논문은 DOE-NETL 실험 데이터를 기반으로 SiC 다이오드의 전류-전압 특성을 2구간 다항식 및 저전압 로그 보정식으로 근사화한 향상된 모델을 제시한다. 제안된 모델은 전온도 범위(17°C–600°C)에서 5% 이하의 상대 오차를 달성하며 Verilog-A 시뮬레이션에 통합이 용이하다.

SiC Diode I–V Modeling — All Temperatures
실험치, 쇼클리 모델, 2구간 다항식(고정/자동, 5차/6차), 전구간 로그-다항식 모델을 비교했습니다.
.17°C 결과
방법A 분할점≈3.300 V, 방법B 자동 분할점≈2.900 V
.100°C 결과
방법A 분할점≈3.150 V, 방법B 자동 분할점≈2.700 V
.200°C 결과
방법A 분할점≈1.600 V, 방법B 자동 분할점≈2.500 V
.300°C 결과
방법A 분할점≈1.600 V, 방법B 자동 분할점≈2.200 V
.400°C 결과
방법A 분할점≈1.600 V, 방법B 자동 분할점≈2.200 V
.500°C 결과
방법A 분할점≈1.600 V, 방법B 자동 분할점≈2.100 V

참고자료

· 없음