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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.131. 건전지 내부저항 측정 건전지의 전압 측정값은 6.479V가 나왔고 10Ω 저항값은 11.086Ω, 저항 10Ω에 걸리는 전압은 6.422V가 나왔다. 건전지의 내부저항이 1Ω을 넘지 않을것이라고 생각했는데 R_a = {RV} over {V_0} -R을 이용하여 건전지의 내부저항이 1.184Ω임을 알 수 있었다. 건전지의 경우 사용할수록 전압은 낮아지고 내부저항은 높아지는 특성을 갖고 있고, 온도에 따라 저항값의 영향을 끼치기 때문이다. 이에 이번 내부저항의 실험값은 실제보다 커졌을 가능성이 높다고 판단된다. 2. DC Powe...2025.05.13
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[물리화학실험A+] Input & Output Impedence(입력저항,출력저항 구하기) 결과보고서2025.01.171. 전압 측정 이번 실험은 물리량의 측정의 기본이 되는 전압 측정에 대해 알아보고 oscilloscope, DVM 이라는 전압 측정기를 이용하여 입력 저항 및 출력 저항을 구해보는 것이다. 전원은 E0의 전압을 발생시키는 전원에 저항이 직렬로 연결되어 2개의 단자가 연결된 형태이다. 전원 내부에 있는 저항을 출력저항이라고 하며 출력저항이 크면 전압측정의 정확성이 떨어진다. 전압계는 전원의 두 단자에 접촉되는 두 단자를 가진 장치이다. 전압계 내부에 있는 저항을 입력저항이라하며 입력저항에 발생한 전압을 측정하는 부분이 병렬로 연결되...2025.01.17
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 / 전기회로설계실습 예비보고서 중앙대 22025.05.021. 건전지의 내부 저항 측정 실험 목적은 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익히는 것입니다. 부하효과(Loading Effect)를 이해하기 위해 건전지의 내부 저항 R1과 외부 부하 저항 R2를 이용한 회로를 구성하여 측정합니다. 이상적인 측정을 위해서는 R1이 0에 가까워야 하며, 좋은 건전지일수록 내부 저항이 0에 가깝게 측정될 것입니다. 2. DMM의 입력 저항 측정 DMM의 측정 단위를 V에 맞추고 저항 양단에 DMM을 연결하여 전압과 전...2025.05.02
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.04.291. 건전지의 내부 저항 측정 6 [V] 건전지의 전압은 6.37 [V]로 측정되었으며, 이는 건전지 사용에 의해 화학물질이 소비되어 출력 저항이 증가하기 때문에 이를 대비해서 높은 전압으로 설계된 것으로 보인다. 건전지의 내부 저항은 0.848 [Ω]으로 매우 작은 값이 측정되었으며, 실제 회로에서는 이와 유사한 값의 저항을 사용하지 않는 이상 건전지 내부 저항을 고려하지 않아도 된다. 2. Pushbutton switch를 이용한 저항 보호 Pushbutton switch를 통해 짧은 시간만 전력을 공급할 경우 저항이 타는 것을...2025.04.29
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중앙대학교 전기회로설계실습 결과보고서 - 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.151. 6 V 건전지의 출력저항 측정 6 V 건전지의 출력저항을 측정하기 위해 6 V 건전지와 10 Ω 저항을 이용하여 회로를 구성하고 측정한 결과, 건전지의 내부저항은 1.41 Ω으로 나타났다. 작은 저항값을 가진 회로에서는 건전지의 내부저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. Pushbutton switch 사용 이유 Pushbutton switch를 사용하는 이유는 작은 저항값을 가진 회로에서 많은 전류가 흘러 열이 발생하여 소자가 탈 수 있기 때문이다. Pushbutton switch를 사용하면 회로를 간헐적으로 연결...2025.05.15
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Input&Output impedence(voltage) A+ 물리화학실험결과보고서2025.01.281. 전압계의 입력저항 측정 실험에서는 전압계의 입력저항을 측정하기 위해 건전지와 전압계를 직렬로 연결하고, 추가로 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 입력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 사용하여 DVM과 Oscilloscope의 입력저항을 각각 구했다. 입력저항이 클수록 측정값이 실제 값에 가까워지는 것을 확인할 수 있었다. 2. 전원의 출력저항 측정 전원의 출력저항을 측정하기 위해 전압계의 양단에 저항을 연결하여 전압을 측정하였다. 이를 통해 출력저항을 계산할 수 있었다. 새 건전지와 폐 건전지를 ...2025.01.28
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실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 특성 실험을 통해 MOSFET의 각 단자들의...2025.04.28
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.211. 전원의 출력저항 측정 건전지의 출력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 2. DMM의 입력저항 측정 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loadign effect)를 이해한다. 3. 옴의 법칙 옴의 법칙을 이용하여 전원의 내부저항과 전력 소비를 계산한다. 4. 전압 분배 법칙 직렬 연결된 저항에 걸리는 전압을 전압 분배 법칙을 이용하여 계산한...2025.01.21
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기2025.01.071. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자회로에서 널리 사용되는 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기를 구현하고 분석합니다. 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, 전압 이득, 입력 저항 및 출력 저항 등을 측정하고 계산합니다. 또한 10kHz 정현파 입력에 대한 증폭기 성능을 확인합니다. 1. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 두 개의 트랜지스터를 공통 소오스 구조로 연결하여 신호를 증폭하는 방식을 사용합니다. 이를 통...2025.01.07
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