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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
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다이오드 기본특성 실험 결과보고서2025.11.161. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 P형과 N형 반도체를 접합한 PN 다이오드에서 순방향 바이어스는 Anode에 양극, Cathode에 음극을 연결하는 상태입니다. 실리콘 다이오드의 장벽전위는 0.7V에서 형성되며, 이 전압을 넘으면 Anode에서 Cathode 방향으로 전류가 흐릅니다. 실험 결과 0.6V~0.7V 부근에서 전류가 선형적으로 증가하기 시작하였으며, 이는 이론적 내용 및 모의실험과 일치합니다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스와 누설전류 역방향 바이어스는 Anode에 음극, Cathode에 양극을 연결...2025.11.16
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반도체 물성과 소자 8-9장 정리2025.11.131. PN 접합 다이오드 PN 접합은 P형과 N형 반도체가 만나는 영역으로, 정공과 전자의 확산으로 인해 전기장이 형성됩니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고, 역방향 바이어스 시 역포화 전류가 흐릅니다. I-V 특성은 로그 스케일에서 선형이며, 온도 계수는 약 60mV/dec입니다. 접합의 내장 전위는 밴드갭 에너지와 도핑 농도에 의존합니다. 2. 반도체 접합 특성 균일하게 도핑된 반도체 영역에서 전기장은 공핍층 내에만 존재합니다. 순방향 바이어스에서는 정공과 전자의 확산 전류가 주요 메커니즘이고, 역방향 바이어스에서는 역포화 ...2025.11.13
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발광 다이오드 및 제너 다이오드 실험2025.11.161. 발광 다이오드(LED) 발광 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흘러 빛이 발생하며, 역방향 바이어스 시 꺼진 상태가 된다. 빛의 밝기는 다이오드를 통과하는 전류량에 따라 결정되며, 과도한 전류는 다이오드를 파괴한다. GaAsP나 GaP 같은 LED 재료는 순방향 바이어스 시 가시광원을 생성하는 광자를 방출하는 전계발광 과정을 거친다. 빛의 종류는 다이오드 제조 물질에 따라 다르며, 임계전압도 물질에 따라 5V, 7V 등 다양하다. 2. 제너 다이오드(Zener Diode) 제너 다이오드는 제너 항복영역을 이용하도록 설계된 ...2025.11.16
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 순방향 바이어스는 P형 반도체에 양의 전위, N형 반도체에 음의 전위를 인가하는 방식으로, 다이오드가 전도 상태가 되어 전류가 흐른다. 역방향 바이어스는 P형에 음의 전위, N형에 양의 전위를 인가하여 다이오드가 차단 상태가 된다. Si 다이오드의 순방향 임계전압은 약 0.63V, Ge 다이오드는 약 0.2~0.3V로 측정되었다. 2. 다이오드 특성곡선 및 비선형 특성 다이오드는 전압과 전류 사이에 옴의 법칙이 성립하지 않는 비선형 소자이다. Si 다이오드는 0.7V 구간에서 전...2025.11.16
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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A+받은 제너다이오드 예비레포트2025.05.101. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 바이어스에서는 일반적인 다이오드와 동일한 동작 특성을 갖지만, 역방향 항복전압을 제조 공정에서 조절하여 일정한 값으로 만든 다이오드입니다. 제너 다이오드는 제너 항복과 눈사태 항복에 의해 역방향 항복전압이 형성되며, 이를 이용하여 전압 레귤레이터 또는 표준전압 발생기로 사용됩니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 특성, 전원전압 변화에 따른 특성, 부하저항 변화에 따른 특성 등을 확인하였습니다. 1. 제너 다이오드 제너 다이오드는 전자 회로에서 중요한 역할을 하는 반도체 소자...2025.05.10
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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