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중앙대학교 정류회로 및 정전압 전원회로 결과 보고서2025.01.291. 평활 회로 평활 회로는 인덕터와 커패시터를 사용한 저주파 필터로 구성되어 교류 전압 성분을 제거한다. 인덕터는 교류의 흐름은 차단하고 직류는 그대로 통과시키며, 커패시터는 교류의 흐름은 통과하고 직류는 차단시킨다. 인덕터를 사용하면 평활 성능이 뛰어나 더 안정적인 출력 전압을 얻을 수 있지만 가격이 저항보다 비싸다. 저항으로 교체할 경우 회로의 단순화와 비용 절감의 장점이 있지만, 전압 강하와 리플의 증가로 인해 출력의 질이 떨어진다. 2. 정전압 전원 회로 정전압 안정화 회로에서 부하가 변동하여 부하 전류가 갑자기 증가하게 ...2025.01.29
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PN 접합다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합다이오드의 비선형 특성 Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가할 때 임계전압 이전에는 거의 선형적 관계를 유지하지만 임계전압을 넘으면 전압과 전류의 관계가 지수함수 형태로 변화한다. 이는 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 비선형 관계를 보여주며, Shockley 식으로 수학적으로 표현된다. 임계전압 이전에는 저항값이 매우 커서 다이오드가 거의 꺼진 상태로 간주된다. 2. 다이오드의 DC 및 AC 저항 다이오드의 DC 정저항은 특성곡선의 한 동작점에서 전압과 전류의 비율로 결정되며 RDC = VDQ...2025.11.16
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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다이오드 실험: 동작원리 및 발광 다이오드 특성 분석2025.11.181. 반도체와 다이오드의 기초 실리콘과 게르마늄은 4족 원소로 대표적인 반도체이다. 진성반도체에 불순물을 첨가하는 도핑 과정을 통해 전도도를 증가시킨다. P형 반도체는 3가 원소를 첨가하여 정공을 캐리어로 사용하고, N형 반도체는 5가 원소를 첨가하여 전자를 캐리어로 사용한다. 다이오드는 P-N 접합으로 이루어지며, 접합 후 공핍층이 형성되고 재결합 과정이 일어난다. 2. 순방향 및 역방향 바이어스 N형 반도체에 음전압, P형 반도체에 양전압을 가하는 것을 순방향 바이어스라고 한다. 순방향 바이어스 시 공핍층의 전위장벽이 감소하여 ...2025.11.18
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전류계 및 전압계 사용법 예비보고서2025.11.181. 가동 코일형 계기의 원리 영구 자석이 만드는 자계 내에 가동 코일을 놓고 측정 전류를 흘리면 전자력이 발생한다. 이 전자력을 구동 토크로 하는 영구 자석 가동 코일형 계기에서 구동 토크는 Td=abBIN이고, 환상 스프링의 제어 토크 Tc=kcθ와 평형을 이루어 회전각 θ는 피측정 전류 I에 비례한다. 따라서 가동 코일의 회전각은 균등눈금으로 나타낼 수 있다. 2. 직류 전류계의 구조와 측정 가동 코일형 계기는 직류 전류계로 사용되며, 가동 코일에 직접 흘릴 수 있는 전류는 약 50mA이다. 더 큰 전류 측정을 위해 분류기(S...2025.11.18
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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[기초전자회로실험]직렬 및 병렬 다이오드 회로2025.04.281. 직렬 다이오드 회로 직렬 다이오드 회로에서는 각각 다이오드의 오프셋 전압 만큼의 전압 강하만 이루어진다. Si 다이오드 2개가 직렬회로에 있다면 1.4V의 전압강하만 이루어진다. 이때 연결된 저항값이 너무 작으면 다이오드가 Short 되어 버린다. 2. 병렬 다이오드 회로 병렬에서는 Si 다이오드가 2개가 병렬 연결 되었다면 그 절반의 전압 강하만 이루어진다. 만약 다이오드의 방향이 서로 반대로 되어있을 경우 순방향 바이어스 전압을 받는 다이오드에 대해서는 오프셋 전압만큼의 전압 강하가 이루어지며, 역방향 바이어스 전압을 받는...2025.04.28
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전자회로 다이오드 응용회로 실험보고서2025.05.091. 다이오드 다이오드란, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 이러한 성질을 이용하여 input으로 들어간 교류를 직류로 변환하는 등의 정류회로를 구성하는 데 사용한다. 2. 반파정류회로 반파정류회로란, 양과 음 중 한 쪽 Vin만 출력시키는 회로이다. 그림1의 회로에서 Vout은 Vin이 VD,ON 을 초과할 때까지 0을 유지하는데, 이 점에서 D1은 켜지고 VOUT = Vin – VD,ON...2025.05.09
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반파 및 전파 정류 회로 실험2025.11.171. 반파 정류(Half-Wave Rectification) 반파 정류는 하나의 다이오드를 사용하여 정현파 입력 신호로부터 직류값을 얻는 회로이다. 반파 정류 신호의 평균값은 피크 전압의 31.8%이며, 식 Vdc = 0.318Vm을 만족한다. 다이오드의 순방향 바이어스 천이전압(VT)이 입력 신호의 피크값에 비해 크지 않으면 직류값에 현저한 영향을 미친다. 실험에서는 1kHz, 8Vp-p의 정현파 신호를 사용하여 반파 정류 회로의 출력 전압과 파형을 측정하고 이론값과 비교한다. 2. 전파 정류(Full-Wave Rectificat...2025.11.17
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성인간호학 실습 - 심방세동 (A.fib) 케이스2025.05.111. 심방세동의 정의 및 원인 심방 세동(atrial fibrillation)은 부정맥 중 심방에서 발생하는 빈맥(빠른 맥)의 한 형태이다. 이는 심방벽에서 발생되는 이소성 자극에 의해 심방의 여러부위가 아주 빠르고 불규칙적으로 흥분하는 상태로, 심방수축이 효과적이지 않다. 심방세동의 원인은 다양하며 발생 기전은 아직까지 충분히 알려져 있지 않다. 심장질환이 없는 경우에도 나타날 수 있으나, 일반적으로 심장 질환 시 볼 수 있다. 2. 심방세동의 병태생리 심방세동의 기전은 크게 두가지로 설명할 수 있다. 첫째, 심방 재형성으로 고혈...2025.05.11
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