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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 게이트 단자를 공통으로 하고, 입력 신호가 소스에, 출력 신호가 드레인에 걸리는 회로입니다. 이 회로는 주로 넓은 대역폭에서 동작하며, 전류 이득이 큰 것이 특징입니다. 입력 신호는 소스 단자에 인가되며, 드레인에서 출력 신호가 나타납니다. 게이트는 고정되어 있어, 입력 신호는 소스에서 드레인으로 흐르는 전류를 제어하게 됩니다. 입력 임피던스는 매우 낮고, 출력 임피던스는 상대적으로 높습니다. 전압 이득은 대략적으로 g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 공통 게이트 증폭기는 전류 이득...2025.01.29
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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서강대학교 고급전자회로실험 2주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전력증폭기 이번 실험에서는 전력증폭기 회로를 구성하고 분석하였다. 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였고, 실험회로 2에서는 푸시풀 증폭기를 구현하였다. 실험회로 3에서는 반전증폭기와 푸시풀 증폭기를 연결한 2단 전력증폭기를 구현하였다. 각 회로의 동작 원리와 특성을 분석하고, 시뮬레이션 및 실험 결과를 비교하였다. 또한 설계 과제를 통해 원하는 특성의 전력증폭기를 직접 설계하고 구현하였다. 2. 반전증폭기 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였다. 반전증폭기는 입력 신호의 전압을 ...2025.01.21
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기초회로실험 옴의법칙 실험 예비보고서2025.11.121. 옴의 법칙(Ohm's Law) 1827년 독일의 물리학자 옴이 발견한 법칙으로, 폐회로에서 전압, 전류, 저항의 관계를 나타낸다. 저항에 걸리는 전류(I)는 공급 전압(V)에 비례하고 저항값(R)에는 반비례한다. 기본 식은 V=IR이며, 선형 전기회로에서 기본적으로 적용되는 법칙이다. 옴의 법칙은 3가지 형태로 변형될 수 있으며, R=V/I, I=V/R 등으로 표현된다. 비오옴성(Non-ohmic) 물질은 이 법칙을 만족하지 않는다. 2. 분압기와 분류기(Voltage divider and Current divider) 실험의...2025.11.12
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다이오드 정류회로 실험2025.11.131. 반파 정류회로 반파 정류회로는 입력되는 정현파의 한 반주기만을 통과시키는 회로이다. 시뮬레이션 결과에서 입력전압 첨두값 10V에 대해 출력전압 첨두값은 4.35V이며, 다이오드의 커트-인 전압은 0.65V이다. 양의 반주기는 정류되고 음의 반주기는 차단되어 맥동하는 직류 출력을 생성한다. 진폭이 작은 신호의 경우 다이오드의 순방향 전압강으로 인해 출력이 제한될 수 있다. 2. 전파 정류회로 전파 정류회로는 중앙 탭 변압기와 다이오드를 이용하여 입력 신호의 양쪽 반주기를 모두 정류하는 회로이다. 변압기 2차측 전압 VA, VB가...2025.11.13
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Oscillator 설계 예비보고서2025.04.271. Push-pull 증폭기 동작 이해 R_L=100 ohm, R_bias=1k ohm, V_CC=12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. 2. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone 현상이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 파...2025.04.27
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다이오드 직렬 및 병렬연결 예비리포트2025.11.161. 다이오드 동작 원리 DC 전압이 공급될 경우 다이오드 회로 해석은 다이오드의 켜짐/꺼짐 상태 판정이 중요하다. 다이오드 양단 전압이 임계 전압 이상일 경우 이상적 스위치 소자로 간주하며, 이하일 경우 꺼진 상태로 판정한다. 켜진 상태에서는 임계전압으로 대체하여 해석하고, 역방향 바이어스 인가 시 개방회로로 해석한다. 실제 회로에서는 비선형으로 동작하며 임계전압이 정확히 0.7V가 아니다. 2. 직렬 다이오드 연결 특성이 다른 다이오드를 직렬로 연결한 경우의 동작을 분석한다. 순방향 바이어스 시 측정 데이터에서 VD는 약 4.9...2025.11.16
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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옴의 법칙 실험 결과보고서2025.11.181. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압(V), 전류(I), 저항(R)의 관계를 나타내는 기본 법칙으로 V=IR 또는 I=V/R의 식으로 표현된다. 본 실험에서는 전원과 저항만으로 구성된 직렬회로에서 전압값과 저항값을 변화시키며 회로에 흐르는 전류값을 측정하여 옴의 법칙을 관찰했다. 다양한 저항값(1kΩ, 3.3kΩ, 10kΩ, 1MΩ)에 대해 전압을 2V에서 10V까지 증가시키면서 전류를 측정한 결과, 전압이 증가하면 전류도 비례적으로 증가하고 저항이 증가하면 전류는 감소하는 옴의 법칙의 원리를 확인할 수 있었다. 2. 저항 측정 및 컬...2025.11.18
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