총 799개
-
[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
-
6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
-
저항의 직렬 및 병렬 연결의 공식, 옴의 법칙, 키르히호프의 전압의 법칙, 키르히호프의 전류의 법칙 실험보고서2025.01.151. 옴의 법칙 옴의 법칙은 흐르는 전류는 회로 소자인 저항 양단의 인가된 전압에 비례하고 저항의 크기에 반비례한다는 것을 설명하는 법칙이다. 실험 데이터를 확인하면 저항이 일정할 때 인가된 전압의 크기가 증가함에 따라 전류도 함께 증가함을 확인할 수 있으며 저항의 값과 전류의 값을 곱하면 전압의 크기와 일치하는 것을 확인할 수 있다. 2. 저항의 직렬 연결 직렬 연결된 저항의 전체 저항의 값은 각각의 저항의 값을 더한 결과와 같다. 실험을 통해 멀티미터로 측정한 각각의 저항을 모두 더한 값과 전류와 전압을 통해 계산한 회로의 저항...2025.01.15
-
전자회로설계실습 9번 예비보고서2025.01.201. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 전원 전압원을 12V로 고정하고 입력저항 및 부하저항을 1kΩ, 피드백 저항을 계산하여 설정하였다. 입력 전압을 0V에서 +6V까지 변화시키며 부하저항 양단의 출력전압 변화를 관찰하였다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 변경하여 동일한 실험을 반복하였다. 두 경우의 transfer characteristic curve를 비교 분석한 결과, 입력저항과 부하저항은 feedback amplifier gain에 영향을 주지 않아 동일한 결과가 나타났다. 또한 전원 전압원을 0V에...2025.01.20
-
전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
-
망 해석법과 마디 해석법 회로 해석 실험2025.11.161. 망 해석법(Mesh Analysis) 망 해석법은 각 망에 흐르는 전류를 기준으로 회로를 해석하는 방법이다. 각 망의 흐르는 전류로부터 전압값(IR 또는 V)을 구하여 비교함으로써 각 망의 전류를 모두 찾아낸다. 저항값을 알고 있으면 흐르는 전류도 파악할 수 있어 회로를 완벽하게 해석할 수 있는 해석법이다. 실험을 통해 계산값과 측정값이 수용 가능한 오차범위 내에서 일치함을 확인했다. 2. 마디 해석법(Nodal Analysis) 마디 해석법은 각 마디에 걸리는 전압을 이용하여 전류값을 비교하는 회로 해석 방법이다. 마디에 걸...2025.11.16
-
기초회로실험 KVL 실험 결과보고서2025.04.291. Kirchhoff's Voltage Law (KVL) Kirchhoff's Voltage Law (KVL)은 폐회로 내의 기전력의 합과 전압 강하의 대수합이 같다는 법칙입니다. 이 실험에서는 단일 전압원과 다중 전압원 회로에서 KVL을 확인하였습니다. 단일 전압원 회로에서는 온라인 시뮬레이션을 통해 KVL을 확인하였고, 다중 전압원 회로에서는 각 저항과 전압원의 전압을 측정하여 KVL 식을 세우고 확인하였습니다. 온라인 실험으로 진행되어 오차가 거의 없었지만, 실제 실험에서는 환경적 요인과 기기적 오차가 발생할 수 있음을 확인...2025.04.29
-
Thevenin 등가회로 설계 및 실험2025.11.141. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로는 복잡한 선형 회로를 간단한 등가회로로 변환하는 기법입니다. 이 실험에서는 RL을 부하로 하는 브리지회로의 Thevenin 등가회로를 구하기 위해 개방회로 전압(VTh)과 등가저항(RTh)을 이론적으로 계산하고 실험적으로 측정합니다. VTh는 부하를 제거했을 때 양단의 전압이며, RTh는 전압원을 단락시켰을 때의 등가저항입니다. 2. 메시 전류법(Mesh Current Analysis) 메시 전류법은 회로의 각 루프에 흐르는 전류를 미지수로 설정하여 KVL(Kirchhoff의 ...2025.11.14
-
[A+] 건국대 전기전자기초실험1 9주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 선형 레귤레이터 선형 레귤레이터는 출력전압을 일정하게 유지하는데 사용되는 소자로 가변저항으로 나타낼 수 있다. 선형 레귤레이터는 입력전압보다 낮은 DC 전압을 얻을 목적으로 저항을 회로 안에 넣어 전압을 저하시켜 원하는 전압을 얻는다. 출력전압이 일정해지도록 가변저항을 조절한다. 이때 저항 R에는 (입력전압 – 출력전압)의 전압이 걸려있으며 출력 전류가 흐르기 때문에 전력 손실이 열로 소비된다. 즉, 원하는 전압을 얻음으로써 전력을 소비하는 것이다. 선형 레귤레이터의 양단 전압이 클수록 더 많은 에너지가 소비되고 효율이 나빠진...2025.01.15
7 / 80
