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다이오드 응용 전자회로실험 결과보고서2025.11.131. 반파 및 전파 정류기(Half-wave and Full-wave Rectifier) 반파 정류기는 다이오드의 방향에 따라 양수 또는 음수 전압만 출력하며, 입력 전압이 VD,on(0.54V)보다 작을 때는 출력이 0이다. 전파 정류기는 양수와 음수 전압을 모두 출력하여 절댓값이 씌워져 양수로 변환된다. 실험 결과 반파 정류기는 사인파 입력 시 VD,on보다 큰 구간만 출력되고, 전파 정류기는 모든 구간이 위쪽으로 출력되는 특성을 확인했다. 2. 리플 전압(Ripple Voltage in Full-wave Rectifier) 캐...2025.11.13
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 실험2025.11.171. 다이오드 특성 및 문턱전압 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 이해하기 위해 DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. Si 다이오드의 순방향 전압은 약 0.7V, Ge 다이오드는 약 0.3V이며, 역방향 바이어스 시 개방회로를 나타낸다. 두 방향에서 모두 1V 이하의 낮은 값이 나오면 접합부가 단락된 상태이고, 모두 OL이 표시되면 개방된 상태이다. 2. 직렬 다이오드 구조 회로 분석 직렬 다이오드 구조에서는 다이오드의 문턱전압과 저항값을 이용하여 이론적인 출력전압(Vo)과 다이오드...2025.11.17
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서강대학교 22년도 전자회로실험 3주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 다이오드 회로 이번 실험은 다이오드를 포함한 회로를 설계해보고, 순방향 및 역방향 바이어스를 적용시켜보며 회로에서의 다이오드의 동작을 확인해보는 실험이었다. 실제 측정값과 이론값, PSpice측정값은 평균 5%내외의 오차를 보였다. 이러한 오차의 원인으로는 전원 공급기의 전압 오차, 저항과 다이오드의 허용오차, 측정장비의 오차 등이 있을 수 있다. 또한 정전압 강하 모델을 이용해 계산한 이론값의 한계로 인한 오차도 발생했다. 정전압 강하 모델은 다이오드의 실제 I-V 특성을 완전히 반영하지 못하지만, 일반적인 다이오드 회로에서...2025.01.12
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Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
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물리학실험: 다이오드를 이용한 정류회로 특성 분석2025.11.141. 정류회로(Rectifier Circuit) 다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 회로. 반파 정류회로는 한 개의 다이오드를 사용하여 교류의 한 방향만 통과시키고, 전파 정류회로는 두 개의 다이오드를 사용하여 양방향 모두를 정류한다. 실험에서 반파 정류회로의 출력전압 폭은 입력신호 사인파의 반주기 폭의 약 86.825%로 측정되었으며, 이는 내부저항에서의 전력 손실 때문이다. 2. 다이오드의 특성과 저항 다이오드는 순방향과 역방향 저항을 가지며, 흐르는 전류에 따라 저항값이 지수함수적으로 변한다. 실험에서 높은 전압이 걸릴...2025.11.14
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비선형 OP앰프를 이용한 능동 반파 정류기 회로 실험2025.11.181. OP앰프 (Operational Amplifier) OP앰프는 비선형 응용회로에서 핵심 소자로 사용되며, 본 실험에서는 KIA4558P를 사용했다. 이 소자의 개루프 이득(open loop gain)은 100dB(100,000V/V)로 매우 크다. 이러한 높은 이득으로 인해 다이오드의 도통 전압을 입력단에서 1/A배로 감소시키는 효과를 얻을 수 있으며, 이를 통해 능동 반파 정류기의 성능을 향상시킨다. 2. 반파 정류 회로 (Half-wave Rectifier Circuit) 반파 정류 회로는 교류 신호의 양의 반주기 또는 음...2025.11.18
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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클리핑과 클램핑 회로 실험 결과 분석2025.11.161. 클리핑 회로(Clipping Circuit) 클리핑 회로는 입력신호의 특정 전압 이상 또는 이하의 신호를 제거하는 회로입니다. 병렬 클리퍼는 입력전압이 양(+)일 때 다이오드가 역방향 바이어스되어 회로가 차단되고, 음(-)일 때 순방향 바이어스되어 도통됩니다. 직렬 클리퍼는 양(+)에서 도통되어 출력전압이 입력전압과 같고, 음(-)에서 차단되어 출력전압이 0이 됩니다. 2중 바이어스 병렬 클리핑 회로는 양과 음의 특성을 모두 가지며, 설정된 전압값 이상/이하의 신호를 제한합니다. 2. 클램핑 회로(Clamping Circuit...2025.11.16
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pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
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A+받은 다이오드 리미터 예비레포트2025.05.101. 직렬 다이오드 리미터 직렬로 접속된 다이오드 리미터는 교류 신호의 양의 반주기 동안 출력을 제거할 수 있다. 다이오드의 도통 및 차단 특성에 따라 교류 신호의 양의 반주기 또는 음의 반주기를 제한할 수 있다. 실제 다이오드는 순방향 저항이 있어 이상적인 스위치와 다르게 동작하며, 출력전압이 입력전압보다 작게 나타난다. 2. 병렬 다이오드 리미터 병렬로 접속된 다이오드 리미터는 교류 신호의 양의 반주기 또는 음의 반주기를 제한할 수 있다. 양의 반주기 동안 다이오드는 역방향 바이어스되어 높은 저항이 되고, 음의 반주기 동안 다이...2025.05.10
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