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교류 회로 소자의 임피던스2024.12.311. RLC 직렬 회로 RLC 직렬 회로에서 교류 전원의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 임피던스(impedance)에 대해 설명하고 있습니다. 임피던스는 저항과 리액턴스의 합성 저항값을 의미하며, 교류 회로에서 전류와 전압의 관계를 옴의 법칙으로 나타낼 수 있습니다. 리액턴스는 커패시터에 의한 용량성 리액턴스와 인덕터에 의한 유도성 리액턴스로 구분됩니다. 임피던스와 저항, 리액턴스의 관계는 페이저도로 표현할 수 있습니다. 2. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로에서는 각 소자에 흐르는 전류가 공급된 전체 전류로부터 나뉘어지게 됩니...2024.12.31
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교류 회로 소자의 임피던스_결과레포트2024.12.311. 교류 회로 소자의 임피던스 이번 실험은 임피던스의 개념에 대해 이해할 수 있는 실험이었습니다. 임피던스는 직류 회로에서처럼 저항과 비슷한 개념이며, 임피던스를 구하는 방식도 저항과 유사한 방법으로 구할 수 있습니다. 저항과 다른 점은 위상이 더 있는 것입니다. 위상 차이가 있을 경우 저항과 리액턴스 값을 구하여 두 값을 제곱하여 더하여서 제곱근(√(R^2 + X^2))을 구하면 됩니다. 용량성 리액턴스와 유도성 리액턴스의 합성은 크기의 차를 구해야 하는데, 그 이유는 위상이 180° 차이 나므로 서로 반대 방향이라고 판단하면 ...2024.12.31
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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전기변색소자 실험 실험 및 고찰2025.01.101. 전기변색 현상 전기변색이란 전기화학적 반응에 의해 물질의 색이나 투명도가 가역적으로 변하는 현상을 말한다. 이 반응에는 산화, 환원 반응이 있는데 일반적인 화학반응과 달리 전자의 이동이 개입된다. 또한 일반적인 결합이 아닌 터널링이라는 현상에 의해 전자의 전달이 일어나므로 반응의 범위가 전자의 출입이 가능한 전극의 근처 범위로 제한된다. 2. Viologen 화합물 Viologen(C5H4NR)2n+의 형태를 갖는 유기화합물로 낮은 전압에서 라디칼 이온으로 쉽게 환원되고 환원된 라디칼 이온은 청색 또는 보라색을 나타낸다. 또한...2025.01.10
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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반도체 물성과 소자 8-9장 정리2025.11.131. PN 접합 다이오드 PN 접합은 P형과 N형 반도체가 만나는 영역으로, 정공과 전자의 확산으로 인해 전기장이 형성됩니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고, 역방향 바이어스 시 역포화 전류가 흐릅니다. I-V 특성은 로그 스케일에서 선형이며, 온도 계수는 약 60mV/dec입니다. 접합의 내장 전위는 밴드갭 에너지와 도핑 농도에 의존합니다. 2. 반도체 접합 특성 균일하게 도핑된 반도체 영역에서 전기장은 공핍층 내에만 존재합니다. 순방향 바이어스에서는 정공과 전자의 확산 전류가 주요 메커니즘이고, 역방향 바이어스에서는 역포화 ...2025.11.13
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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[2024 자료] 시립대 전전설I 2주차(1. 계측기) / 결과 레포트(post-report)2025.01.221. 계측기 사용법 이번 실험에서는 기본 실험 장비인 DC 전원 공급기와 디지털 멀티미터의 사용 방법을 익히고, 수동 소자인 저항, 콘덴서, 코일의 특성을 이해하는 것이 목적이었다. 실험을 통해 옴의 법칙, KVL, KCL 등의 이론이 실제로도 적용된다는 것을 확인할 수 있었고, 회로 구성 및 계측기 사용 시 발생할 수 있는 오차 요인들을 파악하여 향후 실험에서 이를 개선할 수 있는 방안을 모색하였다. 2. 수동 소자 특성 실험에서는 저항, 콘덴서, 코일 등의 수동 소자 특성을 이해하고 이를 측정하는 방법을 익혔다. 저항의 경우 색...2025.01.22
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서2025.05.121. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 등가회로를 이해하며, 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실습에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있습니다. 2. RC 직렬 회로의 고주파 특성 RC 직렬 회로에서 3cm 전선 4개가 사용되면 기생 인덕터의 영향으로 고주파에서 커패시터가 인덕터로 작동하게 됩니다. 이 경계 주파수를 계산하여 제시하였습니다. 또한 입력 전압과 저항 전압의 ...2025.05.12
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1-3 AMOLED Full Device - Small Molecule report (A+)2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정 실험 AMOLED 소자 제작 및 특성 평가를 위한 실험을 수행했습니다. 저분자 기반 OLED 소자를 제작하고 전기적, 광학적 특성을 분석했습니다. 실험에 사용된 주요 재료로는 PEDOT:PSS, NPBTCTA, CBP, Ir(ppy)3, TPBI 등이 있습니다. 실험 방법으로는 ITO 전극 패터닝, 기판 세척, 유기물 증착, 금속 증착 등의 공정을 거쳤습니다. 실험 결과를 통해 전류-전압, 휘도-전압, 효율 특성 등을 확인했으며, 저분자 OLED와 고분자 OLED의 성능을 비교 분석했습니다. 2. 유...2025.05.12
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