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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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전자기파의 특성 및 투과·전파 특성 실험2025.11.161. 전자기파의 물질 투과 특성 전자기파는 물질에 따라 투과 특성이 다르게 나타난다. 스마트폰의 전자기파는 종이나 옷을 투과하지만 알루미늄 호일은 투과하지 못한다. 이는 전자기파의 파장이 빛의 파장보다 길어서 회절이 잘 일어나고 투과성이 높아지기 때문이다. 금속 물질은 전자기파를 반사시키고 차단하는 특성을 가지고 있으며, 이러한 특성은 전자기파 차단 및 도파로 용도로 활용된다. 2. 거리에 따른 전자기파 신호 강도 변화 블루투스 통신(2.4 GHz)에서 두 스마트폰 사이의 거리가 증가함에 따라 신호 강도는 감소한다. 휴대폰 케이스 ...2025.11.16
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AMOLED Bottom Emission OLED report (A0)2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정실험 AMOLED 소자 제작을 위한 실험으로, Spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 관찰을 목표로 하였다. 실험에서는 ITO 표면 처리, 저분자 물질과 고분자 물질의 비교, Spin coater를 이용한 박막 형성 등의 내용을 다루었다. 2. Surface Treatment Work Function ITO의 Work Function을 낮추기 위해 UV 처리를 하였다. UV 처리를 하지 않으면 화학결합이 많아져 전자를 떼어내기 어려워지지만, UV 처리를 하면 약한 화학결합이 ...2025.05.12
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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[실험설계] 스핀코팅의 원리 및 AFM 분석2025.01.241. 스핀코팅 (Spin coating) 용액을 기판 위에 떨어트린 후 기판을 회전시켜 그 원심력으로 박막을 형성하는 것을 말한다. 저분자 물질의 증착법인 진공 증착법과 비교하여 진공 상태를 필요로 하지 않고 일반 대기상태의 상온에서 할 수 있다는 특징을 가지고 있다. 하지만 소자의 효율을 높이기 위해 다층막을 형성할 수 없고 원하는 부위만이 아닌 기판 전 영역에 걸쳐 박막이 형성되기 때문에 전극과의 접촉을 위해 전극 contact 부분을 직접 지워주어야 하는 번거로움이 있다. Spin coating 에 영향을 주는 요인으로는 용액...2025.01.24
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SEM을 이용한 polymer blend film topology2025.05.151. SEM (주사전자현미경) SEM은 주사전자현미경으로, 시료 표면의 형태와 구조를 관찰할 수 있는 장비입니다. 이 실험에서는 SEM을 이용하여 polymer blend film의 표면 형태와 구조를 분석하였습니다. 2. Polymer blend film Polymer blend film은 두 가지 이상의 고분자를 혼합하여 만든 박막 구조입니다. 이 실험에서는 polymer blend film의 상 분리 현상과 표면 형태를 관찰하였습니다. 3. 상 분리 (Phase separation) Polymer blend film에서는 서로...2025.05.15
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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Mechanoluminescence(ML) 실험 결과 보고서2025.01.031. Mechanoluminescence(ML) 실험 목적은 Phosphor film을 제작하여 물리적 자극을 가한 뒤에 빛이 나오는 ML의 발광 원리를 이해하고 발광된 빛의 특성을 평가하는 것입니다. PDMS와 Phosphor를 혼합하여 유리 기판에 스핀 코팅한 후 박막을 분리하여 실험을 진행했습니다. 실험 결과, Red와 Blue Phosphor는 물리적 자극에 반응하지 않았지만 Green과 Cyan Phosphor에서 ML 현상이 관찰되었습니다. 이는 Phosphor의 분자 구조 차이로 인한 것으로 추정됩니다. 비대칭적인 구조...2025.01.03
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
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