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일반물리학실험 반도체정류회로 결과레포트2025.05.151. 다이오드 다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다. 접합 후 공핍층이 형성되며, 다이오드의 전류-전압 특성은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드의 가장 중요한 기능은 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류작용이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 중간 탭이 있는 변압기와 정류 소자를 조합하여 정류하는 회로 방식이다. 2개의 반도체를 사용하는 방식과 4개의...2025.05.15
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Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
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교류회로 실험 결과 분석 및 오차 검토2025.11.161. 고주파수 통과 여과기(High-pass Filter) 고주파수 통과 여과기 실험에서 주파수에 따른 Vout/Vin 값을 측정했다. 0.02kHz에서 0.02051, 0.2kHz에서 0.5487, 20kHz에서 0.8512, 200kHz에서 1.000의 값을 얻었다. 이론값과 비교하면 0.02~0.2kHz 구간에서 그래프 모양이 다르게 나타났으며, 특히 0.2kHz에서의 결과값이 이론값보다 작게 나왔다. 오차의 원인은 주파수 조정 시 발생한 오차로 예측되며, 다이얼 조정의 부정확성과 로그스케일 기록 과정에서 오차가 발생한 것으로...2025.11.16
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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건국대학교 전자회로1 SPICE12025.01.291. 전자회로1 SPICE 과제 이 프레젠테이션은 전자회로1 SPICE 과제에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 입력 신호(Vin)와 출력 신호(Vdc)의 파형, 커패시터(C)의 값을 찾는 절차, 그리고 리플 전압(Vpp)을 줄이기 위한 인덕터(L)의 값 계산 과정입니다. 초기에는 10uF의 커패시터를 사용했지만, 원하는 리플 전압 0.07V와 차이가 크게 나서 근사 계산을 통해 약 85.5uF의 인덕터 값을 찾아내었고, 이를 통해 목표 리플 전압에 근접한 결과를 얻을 수 있었습니다. 1. 전자회로1 SPICE 과제 전자회...2025.01.29
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반도체의 원리(P-N Junction)2025.11.161. P-N Junction P-N Junction은 반도체 소자의 기본 구조로, P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 부분입니다. P형은 양공(정공)이 주요 캐리어이고 N형은 전자가 주요 캐리어입니다. 접합 부분에서 확산과 드리프트 현상이 발생하여 내부 전기장이 형성되고, 이는 다이오드의 정류 특성을 만듭니다. P-N Junction은 다이오드, 트랜지스터, 태양전지 등 다양한 반도체 소자의 핵심 요소입니다. 2. 반도체 도핑(Doping) 도핑은 순수한 반도체에 불순물을 첨가하여 전기적 성질을 변화시키는 공정입니다. P형 반도체는...2025.11.16
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인천대학교 재료기초실험 레포트 - 다이오드의 정류 특성2025.05.071. 정류 정류는 교류를 직류로 변화하는 과정이다. 정류 방식은 종류나 모양에 따라 반파 정류 회로, 전파 정류 회로로 구분된다. 회로의 구성, 출력 전압에 따라 브리지 정류 회로, 배전압 정류 회로 등으로 나뉜다. 2. 반파 정류 반파 정류 회로는 교류의 (+) 반주기에 순방향으로 바이어스되어 큰 전류가 흘러 부하 전하 양단에 출력 전압이 걸리고, 교류의 (-) 반주기에 역방향으로 바이어스되어 작은 전류가 흘러 부하 저항 양단에 출력 전압이 걸리지 않는다. 직류 출력 전류의 평균값은 V_m/π. 3. 전파 정류 전파 정류 회로는 ...2025.05.07
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전자회로설계실습 3번 예비보고서2025.01.201. 전자회로설계실습 전자회로설계실습 과정에서 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다룹니다. 이를 위해 필요한 실습준비물과 설계실습 계획서를 포함하고 있습니다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 교류전원을 직류전압으로 변환하는 회로입니다. 이 보고서에서는 Bridge 방식 전파정류회로에 커패시터와 부하저항을 병렬로 연결한 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 전압강하, 리플 전압 등의 특성을 계산하고 PSPI...2025.01.20
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다이오드 특성 실험 및 I-V 특성 측정2025.11.161. 다이오드의 기본 동작 원리 다이오드는 p-type과 n-type 반도체의 접합으로 만들어지며, 접합면 근처에서 barrier voltage가 형성된다. Forward bias에서는 p-type에 양의 전압, n-type에 음의 전압을 인가하여 forward current가 흐르고, reverse bias에서는 반대로 인가하여 매우 작은 leakage current만 흐른다. Si 다이오드의 barrier voltage는 약 0.6V이며, 다이오드는 0.7V drop model 또는 piecewise linear model로 등...2025.11.16
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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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