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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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A+ 물리화학실험-Benzene의 전자-진동 스펙트럼 실험 보고서2025.01.101. 전자전이 선택률 흡수 스펙트럼에서 흡광계수의 크기는 스핀 선택률 및 궤도함수 선택률에 의하여 결정되어진다. 스핀 선택률과 궤도함수 선택률에 의하여 모두 허용되는 흡수 전이의 경우 약 103 ~ 104 범위의 흡광도 계수를 갖는다. 궤도함수 선택률에 의해 허용되지만 스핀 선택률에 의해 금지될 경우 흡수 전이는 약 10 이하의 흡광도 계수를 갖는다. 2. 스핀선택규칙 스핀-금지 전이는 스핀 다중도의 변화와 관련이 있다. 스핀 다중도는 (2S+1)로 주어지는데, 여기서 S는 계의 스핀 양자수를 나타낸다. 전이 과정에서 스핀 다중도가...2025.01.10
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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[A+]건국대 전기전자기초실험1 3주차 결과보고서2025.01.151. 온도에 따른 전기저항의 변화 본 실험에서는 온도에 따라 전기저항의 크기가 변화하는 것을 실험적으로 확인하고자 한다. 입력 전압이 증가하면 전류도 증가할 것이며 이에 따라 저항이 변화한다. 이러한 현상은 온도와 관련이 있다. 대부분의 물질은 온도가 상승함에 전기 저항이 증가한다. 따라서 주어진 전압 또는 전류에서 저항이 온도에 따라 변화한다. 2. 등가저항을 이용한 등가회로 본 실험에서는 여러 개의 저항으로 이루어진 회로의 등가저항을 이론적으로 계산하고 실제 회로의 간략화된 등가회로를 구성하여 그 차이점을 실험적으로 알아보고 원...2025.01.15
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[기초전자실험 with pspice] 04 옴의법칙 결과보고서 <학점 A+ 받음>2025.04.281. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 확인하고 전압과 전류의 관계, 저항에 따른 전류의 변화를 이해하였다. 실험 과정에서 전류 측정 방법에 대한 주의가 필요하다는 것을 깨달았다. 2. 전압-전류 관계 실험 결과에 따르면 전압이 증가할수록 전류가 증가하는 비례 관계를 확인할 수 있었다. 특히 3V에서 4.2193 mA, 9V에서 14.910 mA로 전압 3배 증가 시 전류도 약 3배 증가하는 것을 확인하였다. 3. 저항에 따른 전류 변화 저항값이 작을수록 전압 증가에 따른 전류 증가 폭이 크고, 저항값이 클수록 전류 증가 폭이 작...2025.04.28
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전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 결과보고서2025.01.151. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다. 실험 절차에 따라 RREF 값을 조정하면서 Vpbias 전압과 IREF 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 고찰 사항에서는 전류 거울의 전류 오차 발생 원인, 전류원의 출력 저항과 전류 정확도 관계, MOSFET 소자 선택...2025.01.15
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[알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 02. 테스터기 사용법 결과보고서2025.01.121. 테스터기 사용법 이번 실험은 테스터기의 원리를 이해하고 이를 사용하여 저항, 전압 및 전류 등을 측정함으로써 이 계기의 사용법을 익히는 것이 목적이었다. 실험 과정에서는 단자봉 연결, 영점 조정, 저항 측정 등의 방법을 익혔으며, 저항 측정 시 발생할 수 있는 오차에 대해서도 고찰해 보았다. 이번 실험을 통해 테스터기 사용법을 더 잘 익히고 정확하고 빠르게 사용할 수 있게 되었다. 2. 저항 측정 이번 실험에서는 회로에 다양한 저항값을 연결하고 테스터기로 이를 측정하는 실험을 진행했다. 저항값이 큰 경우에는 선택 스위치를 R ...2025.01.12
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