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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서62025.05.141. DMM 사용법 DMM을 사용하여 실험실 교류전원(220 V) power outlet(소켓) 두 개의 접지 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. DMM의 측정모드를 전압측정모드로 바꾼 뒤 측정단위를 V로 전환하고, DMM의 한 선을 1번 교류전원 power outlet의 접지 단자에, 다른 선을 2번 교류전원 power outlet의 접지 단자에 연결하여 두 접지 단자 사이의 전압을 측정하는 방법입니다. 2. 계측기 입력 저항 Function Generator의 출력저항은 50ohm이며, DMM의 입력 저항은 10M o...2025.05.14
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 4주차2025.05.041. PSpice 프로그램 사용법 PSpice는 ORCAD라고도 불리며 노트북으로 이용할 수 있는 전자설계 자동화 소프트웨어 도구입니다. 전자회로도나 인쇄회로기판 등을 설계하기 위해 전자회로 설계 공학자나 전자공학 기술자들에 의해 사용됩니다. 캡처, 피스파이스, 피시비 에디터 등 세 가지 주요 어플리케이션으로 구성됩니다. 2. 단순 전압/전류 분석 실제 회로 구성 결과 측정된 v1의 전압은 2.71V, v2의 전압은 2.02V, I의 전류는 0.0576mA였습니다. PSpice에서는 v1의 값이 2.667V, v2의 값이 2.000...2025.05.04
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전기회로설계실습 11. 공진회로(Resonant Circuit)와 대역여파기 설계2025.01.211. RLC 공진 회로 RLC 공진 회로를 이용한 Bandpass, Bandstop filter를 설계, 제작, 실험하는 것이 이 실습의 목적입니다. 공진 주파수, 임피던스, Q 값 등의 개념을 이용하여 RLC 직렬 Band-pass Filter 회로를 설계하고 측정하는 내용이 포함되어 있습니다. 2. Band-pass Filter 설계 RLC 직렬 회로에서 임피던스와 공진 주파수 공식을 이용하여 Band-pass Filter 회로를 설계하였습니다. 주파수에 따른 전달 함수의 크기와 위상을 그래프로 나타내었고, 다양한 주파수에서의 ...2025.01.21
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기계계측공학 기말 용어정리2025.11.181. 통계분석 및 가설검정 히스토그램은 측정값의 빈도를 막대그래프로 표시한 것이며, 확률밀도함수는 히스토그램의 극한으로 정의된다. 무한통계는 모집단의 통계이고 유한통계는 표본의 통계이다. 가설검정은 귀무가설과 대립가설을 설정하고, z-test(모집단 편차 알려진 경우)와 t-test(모집단 편차 미지의 경우)를 이용하여 수행한다. 적합도 검정은 표본의 빈도분포가 모집단의 가정된 분포함수(정규분포)를 얼마나 잘 따르는지 카이-스퀘어 검정으로 평가한다. 2. 불확도 분석 및 오차 불확도는 발생 가능한 측정오차를 추정하여 참값을 대신하는...2025.11.18
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] [김ㅇㅇ 교수님] 2022 HW042025.05.031. Si pn 접합 다이오드 상온에서 동작하는 실제의 Si pn 접합 다이오드에서는 접합 면에서의 도핑 분포가 완전한 계단형이 아니다. 따라서 금속학적 접합 근처에서는 전자와 정공 사이에 보상효과가 일어날 수 있다. 이러한 보상효과에 의하여 평형 상태의 공핍층 내에서의 이온화된 도펀트들의 분포가 근사적으로 선형 함수로 주어진다고 가정한다. 2. 체적 전하밀도 체적 전하밀도 Qv를 구하고 그래프로 나타낸다. 3. 전계 전계 E와 최대 전계 Emax를 구하고 그래프로 나타낸다. 4. 전위 전위 V와 내부 전위 Vi를 구하고 그래프로 ...2025.05.03
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다이오드 실험: 동작원리 및 발광 다이오드 특성 분석2025.11.181. 반도체와 다이오드의 기초 실리콘과 게르마늄은 4족 원소로 대표적인 반도체이다. 진성반도체에 불순물을 첨가하는 도핑 과정을 통해 전도도를 증가시킨다. P형 반도체는 3가 원소를 첨가하여 정공을 캐리어로 사용하고, N형 반도체는 5가 원소를 첨가하여 전자를 캐리어로 사용한다. 다이오드는 P-N 접합으로 이루어지며, 접합 후 공핍층이 형성되고 재결합 과정이 일어난다. 2. 순방향 및 역방향 바이어스 N형 반도체에 음전압, P형 반도체에 양전압을 가하는 것을 순방향 바이어스라고 한다. 순방향 바이어스 시 공핍층의 전위장벽이 감소하여 ...2025.11.18
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설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보곳서2025.05.161. DMM 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 회로에 전압원에 V(V)가 측정될 때, 전압원과 22MΩ, DMM을 직렬로 연결하면 DMM 내부저항 Rin을 구할 수 있다. DMM에 걸리는 전압을 측정하여 V_0라고 두면 KVL을 만족해야 하기 때문에 V_0 = {Rin} over {22M OMEGA +Rin} V (V) 식을 통해 Rin을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 회로에 전압원에 연결된...2025.05.16
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[일반물리실험] 교류회로 측정 실험 보고서2025.04.281. 직류 회로 직류 회로에서 전압과 전류는 시간에 따라 변하지 않고 일정하지만, 교류 회로에서는 전압 v와 전류 i가 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 2. 교류 회로 교류 회로에서 전압 v와 전류 i는 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 또한 직렬 R-C 회로에서 교류 전류와 교류 전압을 측정하여 교류 회로와 직류 회로의 차이점을 확인할 수 있었다. 3. 저항 R R 회로에서 저항이 1k ohm으로 고정...2025.04.28
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MOSFET 특성 실험 및 분석2025.11.161. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 게이트 전압에 따라 채널이 형성되어 전류가 흐르는 반도체 소자입니다. NMOS와 PMOS는 반대의 극성을 가지며, 각각 Turn-OFF, Triode Region, Saturation Region의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 포화 영역에서는 핀치-오프 현상이 발생하고 채널의 유효 길이가 감소합니다. 채널 길이 변조 계수 λ를 고려하면 포화 영역에서도 드레인 전류가 계속 증가하며, 이는 출력 저항 r0로 모델링됩니다. 2. 문턱 전압 및 소자 특성 2N7000 NMOS의 문턱 전압은 2...2025.11.16
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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