총 77개
-
공정 제어 보고서 Y결선,델타결선,유도전동기2025.05.091. Y결선 Y결선은 각 코일의 한 끝 U2, V2, W2를 한데 묶어 이를 중성점(또는 공통점)으로 하고, 나머지 한 끝 U1, V1, W1로부터 각각 1개씩의 선을 끌어내는 방식입니다. 상전압(UP)과 선간전압(UL) 사이의 관계는 UL = √3 * UP입니다. Y결선의 장점은 중성점 접지가 가능하고 고전압 결선에 적합하며 순환전류가 흐르지 않습니다. 단점은 중성점 접지 시 제3고조파가 대지로 확산되어 통신에 장애를 줄 수 있고 고조파 전류의 통로가 없어 기전력 파형이 왜형될 수 있습니다. 2. 델타결선 델타(Δ)결선은 각 코일...2025.05.09
-
[A+자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리2025.05.111. 반도체 물성 반도체 물질의 기본적인 특성과 구조에 대해 설명합니다. 반도체 내부의 전자와 정공의 움직임, 에너지 밴드 구조, 도핑 등 반도체의 기본적인 물리적 특성을 다룹니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 다이오드, 트랜지스터, MOS 소자 등 다양한 반도체 소자의 구조와 동작 메커니즘을 다룹니다. 각 소자의 전압-전류 특성, 동작 영역, 응용 분야 등을 설명합니다. 3. MOS 트랜지스터 MOS 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 자세히 설명합니다. 문턱전압, 선형 영역, 포화 영역, 항...2025.05.11
-
펠티에 효과와 주울열의 법칙2025.11.131. 펠티에 효과 (Peltier Effect) 1834년 장 펠티에에 의해 발견된 현상으로, 두 개의 서로 다른 금속이 접점을 가지고 있을 때 전위차를 걸어주면 열의 이동이 발생한다. 열전대에 전류를 흐르게 하면 각 접점에서 발열 또는 흡열 작용이 일어난다. 한 쪽은 열이 발생하고 다른 쪽은 열을 빼앗기는 현상을 이용하여 냉각과 가열이 가능하며, 냉동기나 항온조 제작에 사용된다. 간단한 구조, 환경친화성, 높은 신뢰성을 가지고 있어 국부 냉각기 등에 널리 사용되고 있다. 2. 주울열의 법칙 (Joule's Law) 영국의 물리학자...2025.11.13
-
다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
-
나노결정 태양전지의 제작 결과2025.05.091. 나노결정 태양전지 실험을 통해 제작한 나노결정 태양전지의 특성을 분석하였다. 색소를 사용한 태양전지와 실리콘 태양전지의 개로전압, 단락전류, 전류밀도, 파워밀도 등을 측정하고 효율을 계산하였다. 나노결정 태양전지의 구성 요소인 SnO2 전도성 유리판, TiO2 나노결정, 색소, 요오드 전해질, 탄소막 등의 역할을 설명하였다. 나노결정 TiO2와 색소의 적합한 특성에 대해 논의하였다. 태양전지의 효율 향상을 위한 방안을 제시하였다. 1. 나노결정 태양전지 나노결정 태양전지는 기존 실리콘 태양전지에 비해 높은 효율과 낮은 제조 비...2025.05.09
-
A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
-
pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
-
A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
-
[A+ 보장] 레이저 다이오드의 특성2025.05.111. 레이저 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 450nm, 635nm, 852nm, 1550nm 레이저 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였다. 그래프 분석을 통해 각 소자의 문턱전압을 확인할 수 있었으며, 이론적인 I-V 방정식을 통해 전압 인가에 따른 전류 출력을 예측할 수 있었다. 하지만 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들로 인해 정확한 값을 측정하기 어려웠다. 2. 레이저 다이오드의 광출력-전류 특성 레이저 다이오드의 광출력-전류 특성을 실험을 통해 분석하였다. 그래프 분석을 통해 문턱전류를 확인할 수 있었으며,...2025.05.11
-
센서 소자의 이해 및 기초 아날로그 실험2025.11.131. 터치 센서(Touch Sensor) 터치 센서는 접촉 여부에 따라 회로의 저항값이 변하는 소자입니다. 터치가 인식되지 않으면 저항이 매우 커져 전류가 흐르지 않아 LED가 꺼지고, 터치가 인식되면 저항값이 낮아져 전류가 흐르면서 LED가 켜집니다. 본 실험에서는 5V 전압을 인가하여 두 개의 터치 센서 회로를 구성하고, DAQ 장비의 Digital Reader를 통해 센서 작동 여부를 정확하게 관찰했습니다. 터치 센서의 VCC 단자로 전원이 입력되며, 센서 작동 시 회로에 전류가 흐르는 원리를 확인했습니다. 2. 압력 센서(P...2025.11.13
3 / 8
