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RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
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교류및전자회로실험 실험5-2_다이오드 정류회로 결과보고서2025.01.201. 다이오드 정류회로 이번 실험에서는 다이오드와 커패시터를 사용해 정류회로와 배전압회로를 구성하여 다양한 다이오드 응용회로의 기능을 확인해보았다. 실험을 통해 반파정류회로와 전파 정류회로의 작동 원리와 특성을 확인하였고, 이러한 회로의 응용 분야와 이론적 기반을 이해했으며 원하는 신호를 얻기 위해서 다이오드를 이용한 정류 회로를 구성해야 함을 알 수 있었다. 커패시터 필터는 입력 신호의 AC 구성 요소를 허용하고 DC 구성 요소를 차단하여 신호를 정류하는 역할을 하며, 저항값과 커패시턴스 값을 조절함으로써 리플값을 줄일 수 있음을...2025.01.20
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커패시터의 충방전 실험 보고서2025.05.071. RC 회로 실험 목적은 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터에 인가되는 전압의 시간적인 변화를 관측하고 회로의 시간상수를 구하는 것입니다. 관련 이론으로는 키르히호프의 법칙을 적용하여 커패시터의 충전 및 방전 과정을 설명할 수 있습니다. 커패시터가 완전히 충전되었을 때의 전하량의 63%에 해당하는 시간이 회로의 시간상수가 됩니다. 2. 실험 방법 실험 장치와 S-CA 시스템을 준비하고, 커패시터 양단을 전압단자에 연결합니다. i-CA 프로그램을 실행하여 데이터로그 보기 화면에서 충전 및 방전 과정을 관측하고 데이터를 저...2025.05.07
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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전력전자공학 설계된 값을 가지고 PSIM으로 시뮬레이션을 하여 설계 조건을 만족하였는지 확인하고 각부 파형2025.01.221. 승압 컨버터 설계 이번 설계 과제에서는 저항 부하에 일정한 전압을 출력하도록 하는 승압 컨버터를 설계하였다. 공급전압이 일정할 때 원하는 출력전압을 얻기 위해 인덕터와 커패시터를 설계하였으며, 설계된 컨버터의 동작을 PSIM 소프트웨어를 사용하여 시뮬레이션하고 각 부위의 파형을 분석하였다. 이를 통해 전력 변환의 원리를 깊이 이해하고 실제 설계와 시뮬레이션을 경험할 수 있었다. 2. 승압 컨버터의 동작 원리 승압 컨버터(Boost Converter)는 입력 전압보다 높은 전압을 출력하기 위한 DC-DC 변환기로, 스위치가 꺼져...2025.01.22
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (DC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하고 있습니다. 이 헌장은 IEEE 회원들이 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인식하고, 전문직으로서의 의무와 책임을 받아들이는 것을 담고 있습니다. 2. RC 회로 특성 분석 RC 회로에서 저항과 커패시터의 특성을 분석하였습니다. 회로 구성, 전압 측정, 시간 상수 계산 등을 통해 RC 회로의 동작을 이해하고 실험 결과와 이론값을 비교하였습니다. 일부 오차가 발생한 것은 저항에서의 열 손실과 전압 측정 시 사람의 반응 시간 등이 원인으로 분석되었습...2025.05.03
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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