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전기전자공학개론 ) 회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자.2025.01.141. 저항 저항은 전기 회로의 기본적인 구성 요소 중 하나로, 그 기능과 중요성은 전기와 전자 분야에서 광범위하게 쓰이고 있다. 이 소자의 주된 역할은 회로 내에서 전류의 흐름을 제한하고, 이 과정에서 전력을 소비하는 것이다. 전기 저항의 작동 원리는 옴의 법칙에 의해 설명될 수 있으며, 이 법칙은 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 정의한다. 저항은 또한 회로 내에서 필요 이상의 전류가 흐르는 것을 방지함으로써, 과도한 전류로 인해 발생할 수 있는 손상으로부터 회로를 보호하는 데 중요한 역할을 한다. 2. 인덕터 인...2025.01.14
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전기전자공학개론 ) 회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자.2025.04.261. 수동소자 수동소자는 단순하게 수동적으로 작동한다는 의미로 에너지를 소비하는 형태의 소자로 수동적인 작동으로 단독으로 특별한 기능이 구현되지 않는다. 따라서 생산된 후 입력 조건에 의해 소자 특성 변화가 불가능하며, 소자 특성이 주변 상황에 따라 맞게 적용되어야 한다. 대표적인 수동소자로는 저항, 인덕터, 캐피시터가 있다. 2. 저항 저항은 전류에 대해 흐름을 방해하며 전위차를 만들어 낸다. 저항은 사전적으로 정의하면 물체에 전류가 흐르고 있을 때 전류의 흐름을 방해할 수 있는 요소가 된다. 저항이 전류의 흐름을 방해하게 되면서...2025.04.26
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인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로의 과도응답 RL 회로에서 time constant τ는 L/R로 나타나며, 10mH 인덕터와 1kΩ 저항을 사용하면 time constant가 10μs가 된다. Function generator의 출력을 1V 사각파(high=1V, low=0V, duty cycle=50%)로 하고 주파수를 5kHz로 설정하면 저항 전압과 인덕터 전압의 예상 파형을 그래프로 확인할 수 있다. 오실로스코프의 Time/DIV는 25μs, Volts/DIV는 200mV로 설정하면 적절할 것이다. 2. RC 회로의 과도응답 RC 회로에서 t...2025.04.25
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인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로 10mH 인덕터와 1kΩ의 저항을 사용하여 RL회로를 구성하고 오실로스코프를 이용하여 RL time constant를 측정하였다. 입력전압은 FG를 사용하여 1V 사각파(high = 1V, low = 0V, duty cycle = 50%)로 인가하였다. 또한 인덕터가 충분한 자기에너지를 충전, 방전할 수 있도록 이 사각파의 주기를 10τ,즉,100μs로 설정하였다. 실험을 통한 시정수는 9.50μs였고 오차는 5%였다. 2. 입력전압 변화 입력전압을 ±0.5 V의 사각파(high = 0.5 V, low = - 0.5...2025.04.25
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중앙대학교 전기회로설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)(예비) A+2025.01.271. RL 회로의 과도응답 RL 회로에서 time constant가 10 ㎲인 경우, 인덕터 10mH와 저항 1kΩ을 사용하여 회로를 구성할 수 있다. 함수발생기를 이용하여 1V의 사각파를 인가하고, 오실로스코프로 전압파형을 관측할 수 있다. 저항전압과 인덕터전압의 예상파형을 그래프로 나타내었다. 또한 회로와 오실로스코프의 연결 상태, Volts/DIV와 Time/DIV 설정 등을 제시하였다. 2. RC 회로의 과도응답 RL 회로와 유사하게, RC 회로에 1V의 사각파를 인가하면 저항전압과 커패시터전압의 과도응답 파형을 예상할 수 ...2025.01.27
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[중앙대전전][전기회로설계실습][예비보고서]-8.인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)2025.05.151. RL 회로의 과도응답 이 실습에서는 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계합니다. 시정수 τ가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하고, 함수발생기의 사각파 입력에 대한 저항 전압과 인덕터 전압의 예상 파형을 그래프로 그립니다. 또한 오실로스코프의 설정 방법과 회로 연결 상태를 제시합니다. 마지막으로 RL 회로에 사각파를 인가했을 때 예상되는 저항과 인덕터의 전압 파형을 설명합니다. 1. RL 회로의 과도응답 RL 회로의 과도응답은 전기 회로 이론에서 중요한 개념입니다. RL 회로는 저항(R)과 인덕...2025.05.15
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전기회로설계실습 예비보고서122025.05.151. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 이들 소자의 등가회로와 동작 원리를 이해하는 것입니다. 회로에 저항만 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 전압이 감소하는데, 이는 기생 커패시터에 의한 전류 흐름 때문입니다. 인덕터와 저항을 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 저항 전압이 감소하다가 다시 증가하는데, 이는 인덕터의 기생 커패시터 때문입니다. 커패시터와 저항을 연결하면 주파수가 증가하면서 저항 전압이 증가하다가 감소하는데, 이는 ...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서8 (보고서 1등)2025.05.101. RL 회로의 과도응답 설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)을 다루고 있습니다. 주요 내용은 time constant가 10μs인 RL 직렬회로 설계, 사각파 입력 시 time constant 측정, 저항 전압과 인덕터 전압의 예상 파형 그리기, 회로 연결 상태 및 오실로스코프 설정 등입니다. 2. 인덕터 전압과 전류 인덕터에 저장되는 자기장 에너지는 L*I^2/2로 전류의 함수입니다. 이는 전류가 급격히 변화할 수 없음을 의미합니다. 따라서 time constant가 주기인 사각파를 ...2025.05.10
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RC, RL 미적분 회로 예비 보고서2024.12.311. 커패시터의 전류-전압 특성 커패시터는 두 도체판 사이에 유전체를 두어 전하를 축적할 수 있는 소자입니다. 커패시터에 전압이 가해지면 전하가 축적되어 지수 함수적으로 전압이 증가하며, 방전 시에는 지수 함수적으로 전압이 감소합니다. 커패시터의 전류는 전압의 미분값에 비례합니다. 2. 인덕터의 전류-전압 특성 인덕터는 철심에 절연된 도체를 나선형으로 감은 소자로, 전압과 전류의 관계가 커패시터와 반대입니다. 인덕터에 전압이 가해지면 전류가 지수 함수적으로 증가하며, 전압이 제거되면 전류가 지수 함수적으로 감소합니다. 인덕터의 전압...2024.12.31
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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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