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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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디지털공학_9장 멀티플랙서,디코더, 프로그래머블 논리소자_연습문제풀이2025.05.111. 멀티플랙서 멀티플랙서는 여러 개의 입력 신호 중 하나를 선택하여 출력으로 내보내는 디지털 회로 소자입니다. 이를 통해 하나의 출력 선을 공유하여 여러 개의 입력 신호를 전송할 수 있습니다. 멀티플랙서는 데이터 선택, 주소 디코딩, 메모리 액세스 등 다양한 응용 분야에서 사용됩니다. 2. 디코더 디코더는 입력 신호를 해석하여 출력 신호를 생성하는 디지털 회로 소자입니다. 이를 통해 이진 코드를 특정 출력 선에 활성화시킬 수 있습니다. 디코더는 메모리 어드레싱, 7세그먼트 디스플레이 구동, 키보드 스캐닝 등 다양한 응용 분야에서 ...2025.05.11
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PLED 소자 제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학2025.05.091. PLED 소자 제작 PLED 소자 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다. 고분자 발광물질을 이용하여 PLED를 제작하는 실험을 수행하였다. 실험에서는 PEDOT:PSS, 발광층 고분자, 전자주입층 및 전극 증착, 봉지공정 등의 내용을 다루었다. 1. PLED 소자 제작 PLED(Polymer Light-Emitting Diode) 소자 제작은 유기 전자 소자 분야에서 매우 중요한 기술입니다. PLED 소자는 유기 반도체 물질을 이용하여 전기적 신호를 광학적 신호로 변환할 수 ...2025.05.09
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숭실대학교 신소재공학실험2 반도체 소자 전기적 특성 분석 결과보고서2025.01.211. 반도체 소자 전기적 특성 분석 이 보고서는 반도체 소자의 전기적 특성을 분석하기 위해 SEM, AFM, TEM, OM, Alpha step, Four-point probe 등의 분석 기법을 사용한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험을 통해 표면 morphology, 단면 두께, 소자 면적, 상부 전극 두께, 금속 막의 비저항 등을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과 분석에 따르면 불순물, 온도, 금속 막의 구조 등의 요인으로 인해 실험값과 이론값의 차이가 발생하였으며, 금속 막의 두께 감소에 따라 비저항이 증가하는 것을 확인하...2025.01.21
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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수동소자의 고주파특성측정방법 설계실습2025.11.131. RC회로의 고주파 특성 R=10kΩ, C=100nF 직렬 회로에서 0~25MHz 주파수 범위에서 전달함수와 위상차를 측정했다. 1MHz에서 커패시터가 인덕터로 동작하기 시작하며, 임피던스가 최소가 되어 전달함수 크기가 최대이고 위상차가 가장 작다. 기생 인덕턴스 성분으로 인해 이론값과 실험값이 차이를 보였으며, 10MHz 이후 예측 불가능한 오차가 발생했다. 2. RL회로의 고주파 특성 R=10kΩ, L=10mH 직렬 회로에서 100kHz에서 인덕터의 기생 커패시터 성분으로 인해 전달함수가 최대가 되었다. 1MHz에서 위상차가...2025.11.13
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디지털 IC의 기본 특성과 기억소자를 갖는 조합논리회로 및 기본 플립플롭 회로2025.05.081. 집적회로의 정의 집적회로는 반도체의 기판에 다수의 능동소자와 수동수자를 초소형으로 집적, 서로 분리 될 수 없는 구조로 만든 기능소자를 말한다. 개별소자 들은 혼자서는 어떤 역할을 하기 힘들어서 이것들을 수백에서 수백만개를 구성하여 CPU나 RAM처럼 특별한 기능을 갖도록 하나로 집적시킨 것이다. 다시말해 집적회로란 여러가지 부품들을 초소형으로 집적시켜 만들어낸 능력있는 부품이다. 2. 집적회로의 특징 집적회로의 장점은 기기가 작아져 소형화되고, 가격이 저렴해지며, 기능이 확대되고, 신뢰성이 좋고 수리 또는 교환이 간단해진다는...2025.05.08
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 수동소자의 고주파 특성 측정 이 실험은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것을 목적으로 한다. 실험 결과, 커패시터는 약 4MHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터처럼 동작하며, 인덕터는 약 150kHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터처럼 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 수동소자의 등가회로와 고주파 특성을 이해할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성...2025.05.03
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC 회로의 주파수 응답 측정 RC 회로에서 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터의 특성을 보이기 시작하는 것을 확인하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 고주파 영역에서 실제 소자의 기생 성분으로 인해 이론값과 다른 특성을 보임을 알 수 있었다. 2. RL 회로의 주파수 응답 측정 RL 회로에서도 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 25kHz~10...2025.04.25
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