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기초전자실험_5,6장_클리퍼, 클램퍼 회로_결과레포트2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼의 주된 기능은 인가되는 교류 신호의 한 부분을 잘라서 버리는 것이다. 이러한 과정은 보통 저항과 다이오드의 조합에 의해서 이루어진다. 구형파 입력에 대한 클리퍼 해석은 입력 전압에 두 가지 레벨만 있기 때문에 가장 쉽다. 정현파와 삼각파 입력에 대해서는 다양한 순간적인 값들을 직류값으로 취급하여 출력 레벨을 결정할 수 있다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼는 입력 파형의 피크 - 피크 값의 특성을 변경하지 않고 교류 입력 신호를 특정한 레벨로 클램프(고정)하도록 설계된 것이다. 클램퍼는 용량성 소자(커패시터)를 포...2025.04.30
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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반파 및 전파 정류 회로 실험2025.11.171. 반파 정류(Half-Wave Rectification) 반파 정류는 하나의 다이오드를 사용하여 정현파 입력 신호로부터 직류값을 얻는 회로이다. 반파 정류 신호의 평균값은 피크 전압의 31.8%이며, 식 Vdc = 0.318Vm을 만족한다. 다이오드의 순방향 바이어스 천이전압(VT)이 입력 신호의 피크값에 비해 크지 않으면 직류값에 현저한 영향을 미친다. 실험에서는 1kHz, 8Vp-p의 정현파 신호를 사용하여 반파 정류 회로의 출력 전압과 파형을 측정하고 이론값과 비교한다. 2. 전파 정류(Full-Wave Rectificat...2025.11.17
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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다이오드 실험: 동작원리 및 발광 다이오드 특성 분석2025.11.181. 반도체와 다이오드의 기초 실리콘과 게르마늄은 4족 원소로 대표적인 반도체이다. 진성반도체에 불순물을 첨가하는 도핑 과정을 통해 전도도를 증가시킨다. P형 반도체는 3가 원소를 첨가하여 정공을 캐리어로 사용하고, N형 반도체는 5가 원소를 첨가하여 전자를 캐리어로 사용한다. 다이오드는 P-N 접합으로 이루어지며, 접합 후 공핍층이 형성되고 재결합 과정이 일어난다. 2. 순방향 및 역방향 바이어스 N형 반도체에 음전압, P형 반도체에 양전압을 가하는 것을 순방향 바이어스라고 한다. 순방향 바이어스 시 공핍층의 전위장벽이 감소하여 ...2025.11.18
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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LED 발광 다이오드의 원리와 실험2025.11.151. LED(발광 다이오드)의 원리 LED는 Light-Emitting Diode의 약자로 발광 다이오드라고 불린다. 다이오드는 한 방향으로만 전류가 흐르게 하는 반도체 소자이며, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 만든다. p형 반도체는 13족 원소를 첨가하여 정공을 만들고, n형 반도체는 15족 원소를 첨가하여 잉여전자를 만든다. 순방향 전압을 걸어주면 자유전자와 정공이 만나 전류가 흐르고, 이 과정에서 빛이 방출되는 발광 특성을 이용하여 LED를 만든다. LED는 기존 백열등에 비해 고효율, 저전력, 긴 수명을 가진 소자이다...2025.11.15
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접합 다이오드 근사해석 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드의 특성 측정 1N4148 다이오드를 이용하여 다양한 전류 조건에서 다이오드의 전압값을 측정하고 분석하는 실험이다. 10mA 흐름 시 실험값 0.745V, 시뮬값 0.754V로 약 1% 차이를 보였고, 50mA 흐름 시 실험값 0.824V, 시뮬값 0.870V로 약 5% 차이를 나타냈다. DMM의 다이오드 모드로 측정한 문턱전압은 0.750V이며, 이 값 이상의 전압이 인가되면 다이오드가 도통되어 전류가 흐르는 특성을 확인했다. 2. 다이오드 근사해석 방법의 비교 제1근사해석(Ideal)은 문턱전압을 무시하고 0V...2025.11.18
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