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Diode의 회로적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 실험 실험을 통해 Diode와 Zener Diode의 회로적 특성을 확인하였다. Diode 회로 실험에서는 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.0%의 오차율이 발생했다. Zener Diode 회로 실험에서도 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.4%의 오차율이 발생했다. 실험 결과를 통해 Diode와 Zener Diode의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 1. Diode의 회로적 특성 실험 Diode는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 하는 반도체 소자입...2025.01.12
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전자회로설계 및 실습9_설계 실습9. 피드백 증폭기_예비보고서2025.01.221. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 시뮬레이션하여 입력 전압과 출력 전압의 관계를 나타내는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력 저항과 부하 저항을 변경하여 두 경우의 curve를 비교 분석하였습니다. 또한 전원 전압을 변경했을 때 출력 전압의 변화를 확인하고 그 이유를 설명하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 시뮬레이션하여 입력 전압과 LED 전류의 관계를 나타...2025.01.22
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.011. 센서의 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하였을 때 200 [mVpp]로 측정되었고, 센서의 부하로 10 [kΩ] 저항을 연결한 후 10 [kΩ] 저항에 걸리는 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 100 [mVpp]로 측정되었다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로의 Vth는 200 [mVpp], Rth는 10 [kΩ]임을 알 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 Thevenin 등가회로를 (-) 입력단자에 연결하고, 출력단자와 (-) 입력단...2025.05.01
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아주대학교 A+전자회로실험 실험6 결과보고서2025.05.091. 삼각파 발생회로 이 실험의 목적은 연산증폭기를 이용한 비교기와 적분기의 동작을 기초로 한 구형파 및 삼각파 발생회로의 동작을 이해하는 것이다. 실험 결과 파형은 예상대로 V_S는 사각파, V_T는 삼각파로 나왔다. 사각파 발생회로와 적분기를 연결하여 삼각파 발생회로를 구현하였다. 이론값과 실험값의 오차는 주로 transition delay에 의해 발생했으며, 저항값이 작을수록 오차가 커졌다. 시뮬레이션 결과와는 거의 일치하였고, 큰 저항에서는 3% 미만의 오차를 보였다. 오차의 주원인인 transition delay를 분석하기...2025.05.09
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병렬 회로에서 전압계와 전류계를 이용한 저항 측정2025.11.131. 전압계와 전류계 전압계는 회로의 두 점 사이의 전위차를 측정하는 기기로 병렬로 연결되며, 전류계는 회로를 통과하는 전류의 크기를 측정하는 기기로 직렬로 연결된다. 두 기기를 함께 사용하여 옴의 법칙(V=IR)을 적용하면 저항값을 계산할 수 있다. 2. 병렬 회로의 저항 측정 병렬 회로에서 여러 저항이 연결될 때, 각 저항 양단의 전압은 동일하고 전류는 분산된다. 전압계로 각 저항의 전압을 측정하고 전류계로 각 분기의 전류를 측정하여 개별 저항값을 구할 수 있으며, 전체 저항은 역수의 합으로 계산된다. 3. 옴의 법칙 적용 옴의...2025.11.13
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다이오드를 이용한 정전압 회로와 리미터 실험2025.11.161. 전압 레귤레이터 다이오드 정류회로의 출력은 리플이 크므로 전압 레귤레이터를 이용하여 DC 전압을 생성한다. PN 다이오드는 VD0=0.7V 수준이므로 높은 전압 획득을 위해 제너 다이오드를 사용한다. 레귤레이터의 중요한 특성은 입력 전압 변동에 대한 출력 변화(Line Regulation)와 출력 부하 변동에 대한 출력 변화(Load Regulation)를 최소화하는 것이다. 제너 다이오드를 이용한 레귤레이터는 역방향 바이어스 영역에서 일정한 전압을 유지하여 안정적인 DC 출력을 제공한다. 2. 클림핑 회로 입력 신호가 다이오...2025.11.16
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RC 회로 실험 결과보고서2025.11.131. RC 회로의 충방전 특성 RC 회로는 저항과 축전기로 구성되며, 충전 시 전류는 처음에 허용되지만 축전기가 충전되면서 0으로 수렴한다. 축전기 전하는 최종값을 향해 시간에 대해 지수적으로 증가하고, 방전 시에는 지수함수적으로 감소한다. 이러한 특성은 그래프상에서 곡선 형태로 나타나며, 저항값이 증가할수록 그래프의 기울기가 완만해진다. 2. 전기용량과 반감기 전기용량은 단위 전압당 전하량으로 정의되며, 단위는 패럿(F)이다. 반감기는 축전기를 반 정도 채우거나 방전하는데 걸리는 시간으로, 전압이 4V에서 2V로 떨어지거나 0V에...2025.11.13
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저항의 직렬회로 실험 결과보고서2025.11.181. 직렬회로의 전체저항 직렬회로에서 전체저항은 각 저항의 합으로 계산된다. 실험에서는 두 가지 경우를 측정했다. STEP 1에서 R1=100kΩ, R2=27kΩ, R3=10kΩ일 때 이론값 137kΩ에 대해 측정값 136.399kΩ을 얻었다. STEP 2에서 R1=10kΩ, R2=3.3kΩ, R3=1kΩ일 때 이론값 14.3kΩ에 대해 측정값 14.302kΩ을 얻었다. 측정값과 이론값의 차이는 저항의 고유 오차율과 멀티미터 내부저항으로 인한 것으로 분석된다. 2. 직렬회로의 전압분배 직렬회로에서 각 저항에 걸리는 전압은 저항값에 ...2025.11.18
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중첩의 원리 실험 - 다중 기전력 회로의 전류 분석2025.11.151. 중첩의 원리(Superposition Principle) 임의의 회로망에서 둘 이상의 기전력이 존재할 때 전류분포를 중첩의 원리에 의해 이해하고 실험적으로 증명하는 방법. 각 전압원을 단락회로로 대체하여 개별적으로 계산한 전류값들을 합산하면 전체 회로의 전류값과 일치함을 확인. 실험 결과 계산값과 측정값이 0.024%~1.593% 범위의 작은 오차로 중첩의 원리가 성립함을 증명. 2. 키르히호프 전류법칙(KCL, Kirchhoff's Current Law) 회로의 각 노드에서 유입 전류와 유출 전류의 합이 0이 되는 법칙. 실...2025.11.15
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