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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_9 병렬회로(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 병렬회로 병렬회로란 전류가 흐르는 통로가 둘 이상인 회로이다. 즉, 평행한 두 선 사이에 하나의 전압 원과 여러 개의 회로 소자들이 연결된 회로이다. 병렬회로에서 전압은 각 회로 소자에 같게 인가된다. 이때 전류가 흐르는 길은 가지(branch)라고 부르는데, 이 가지에 흐르는 전류는 그 가지의 저항과 전압 원에 의해서만 결정된다. 병렬회로에서는 많은 가지들이 병렬회로에 연결되면 합성 저항값은 작아진다. 병렬 가지가 늘어가면서 전류가 흐르도록 새로운 통로가 생긴다. 따라서 컨덕턴스는 증가하게 되고, 회로에 흐르는 총 전류가 더...2025.05.13
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일반물리실험 Ohm의 법칙 실험 결과 보고서2025.01.271. Ohm의 법칙 이번 실험을 통해 Ohm의 법칙을 이해하고, 직렬 또는 병렬 회로에서의 저항과 전압이 흐르는 규칙에 대해 알아보았다. 전압(V)를 2~10V까지 2V 간격으로 전류를 측정하고, 이를 그래프로 그려 전압-전류 그래프의 기울기와 등가 저항 관계가 역수 관계임을 알 수 있었다. 또한 직렬 회로의 전압 분배 법칙과, 병렬회로일 때 병렬로 연결된 모든 저항이 걸리는 전압이 서로 동일하다는 것을 실험을 통해 확인할 수 있었다. 2. 직렬 회로 직렬 회로에서는 전압 분배 법칙에 의해, 각 저항에 걸리는 전압의 합은 전체 전압...2025.01.27
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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울산대학교 전기전자실험 19. 선형 연산 증폭기 회로2025.01.121. 반전 증폭기 반전 증폭기의 경우 R_i값을 변경하며 측정 함으로써 R_i/R_f의 비율로 위상이 반전되어 증폭되는 것을 확인할 수 있었다. 이론값은 전압이득이 -5, 측정값은 -5.2로 조금의 오차가 발생했는데, 이는 오차가 가지고 있는 오차라고 생각할 수 있다. 2. 비반전 증폭기 비반전 증폭기의 경우에는 반전증폭기와 같은 비율로 증폭이 되고 위상도 입력과 동일하게 나오는 것을 확인했다. 이론값은 전압이득이 6, 측정값은 6.3으로 조금의 오차가 발생했는데, 이는 오차가 가지고 있는 오차라고 생각할 수 있다. 3. 가산 증폭...2025.01.12
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R-CNN 영상 이미지 인식을 이용한 차량간 거리 추정 및 충돌방지2025.05.091. 객체 인식 (Object detection) 이미지에서 객체를 찾고 분류하는 프로세스. MATLAB 딥러닝 기법 중 'R-CNN Object Detector'를 이용하여 영상 이미지 인식 방법을 사용한다. 2. R-CNN: Regions with Convolutional Neural Networks R-CNN 프로세스는 Windows 10, MATLAB 2018b, NVIDIA CUDA Tool kit v10.0, NVIDIA GeForce GTX 750 Ti 개발환경에서 진행되었다. 3. 딥러닝 학습 과정 imageDatas...2025.05.09
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울산대학교 전기전자실험 18. 발진기2025.01.121. 발진기 이번 실험은 주기를 갖는 정현파나 구형파를 스스로 발생시키는 발진회로의 동작원리를 이해하는 것이 목적입니다. 555 타이머와 2kΩ 저항과 22uF 커패시터를 이용해 단안정회로를 만들었을 때는 50.8ms로 t = ln(3) * RC와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음으로 비안정 회로에서는 R을 1kΩ으로 설정하고 C를 22uF으로 했을 때 상승시간은 30.864ms, 하강시간은 17ms으로 ln(2)*C*(R1+R2), ln(2)*c*(R2)가 되는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음으로 위상천이 발진기에...2025.01.12
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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[A+보고서]전자회로실험-연산증폭기(op amp)2025.01.171. 연산 증폭기 연산 증폭기(operation amplifier)는 처음에는 이름대로 증폭과 가산, 감산, 미분, 적분 등의 연산을 수행하기 위해 만들어져 아날로그 컴퓨터에 이용되던 소자이다. 연산 증폭기가 하는 일은 두 입력 V_in1, V_in2의 '차이'를 '증폭'시켜 출력으로 내보내는 것이다. 이를 식으로 나타내면 V_out=A_o(V_in1-V_in2)이다. 여기서 A_0는 전압이득, 즉 전압 증폭도이며 이 연산 증폭기가 몇 배로 증폭을 하는지 나타낸 값이다. 기본적인 연산증폭기에 출력 신호의 일부를 다시 입력으로 넣어주...2025.01.17
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[A+] RC, RL 미분회로 레포트2025.05.131. RC 미분 회로 및 적분 회로 RC 회로에서 커패시터 C 에 충전 시간에 관계되는 시정수 tau는 tau =RC[s] 이다. RC 회로의 커패시터 C에 충전되는 전압을 v_c(t)라 하면 시간 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 회로 방정식은 Ri(t)+ {1} over {C} int_{} ^{} {i(t)dt=E}이므로, 충전 전압 v_c(t)는 v_c(t)=E(1-e^{- {1} over {RC} t})이며, 회로에 흐르는 전류 i(t)는 i(t)= {E} over {R} e^{- {1} over {RC} t}이다. 2. RL...2025.05.13
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전자공학실험 24장 연산 증폭기 응용 회로 2 A+ 결과보고서2025.01.151. 적분기 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 적분기 회로를 구성하고, 입력 주파수에 따른 출력 전압을 측정하여 보드 선도를 그렸습니다. 실험 결과, 입력 주파수가 증가함에 따라 출력 전압이 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이는 커패시터가 충전되는 양이 증가하여 출력 전압이 낮아지기 때문입니다. 또한 단위 이득 주파수는 약 1kHz 부근으로 나타났습니다. 2. 미분기 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 미분기 회로를 구성하고, 입력 주파수에 따른 출력 전압을 측정하여 보드 선도를 그렸습니다. 실험 결과, 입력 주파...2025.01.15
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