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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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실험 03_정전압 회로와 리미터 예비 보고서2025.04.271. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 부하 저항과 병렬로 PN 접합 다이오드를 연결하여 입력 전압의 변화나 출력 부하의 변화가 생기더라도 출력 전압은 작게 변화하도록 하는 회로이다. 입력 전압 V_in의 변화에 따른 출력 전압 V_out의 변화는 라인 레귤레이션 특성으로 나타낼 수 있으며, 부하 전류 I_L의 변화에 따른 출력 전압 V_out의 변화는 부하 레귤레이션 특성으로 나타낼 수 있다. PSpice 모의실험을 통해 입력 전압 변화와 부하 전류 변화에 따른 출력 전압의...2025.04.27
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전자공학실험 3장 정전압 회로와 리미터 A+ 예비보고서2025.01.131. 전압 레귤레이터 전압 레귤레이터는 입력 전압이나 부하 전류의 변화에도 출력 전압의 변화가 최소가 되도록 하는 회로이다. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 다이오드의 특성을 이용하여 교류 입력 전압이 레귤레이터를 통과하였을 때 출력 전압이 거의 DC와 같이 일정하도록 한다. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 제너 다이오드의 특성을 이용하여 교류 입력 전압이 레귤레이터를 통과하였을 때 출력 전압이 거의 DC와 같이 일정하도록 한다. 이 때 제너 다이오드가 켜졌을 때 양단 사이의 전압 강하가 PN 접합에 비해 크...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 부하 저항과 병렬로 다이오드를 연결하여, 입력 전압이나 부하 전류의 변화에도 출력 전압이 크게 변화하지 않도록 설계된 회로입니다. 입력 전압이 변하더라도 다이오드의 특성에 의해 출력 전압의 변화가 제한되기 때문입니다. PSpice를 이용하여 입력 전압의 변화와 부하 전류의 변화에 따른 출력의 변화를 모의실험하였습니다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 PN 접합 다이오드와 유사한 동작 ...2025.01.29
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전자회로실험 예비 1주차2025.05.161. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만든다. P형 반도체는 acceptor doping으로, N형 반도체는 donor doping으로 만들어진다. P형에서는 정공(hole)이 majority carrier이고, N형에서는 전자(electron)가 majority carrier이다. 정공과 전자가 접합을 가로질러 확산하면서 diffusion current를 형성하고, 이에 따라 depletion region과 E-field가 생성된다. P형 영역은 anode, N형 영역은 cathode...2025.05.16
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 직렬로 연결하여 일정한 전압을 출력하는 전압 레귤레이터 회로. 다이오드의 내부 저항과 저항 R의 비율에 따라 라인 레귤레이션 특성이 결정되며, 부하 레귤레이션 성능도 다이오드의 내부 저항에 따라 달라진다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로로, 제너 다이오드가 역방향으로 동작하여 일정한 제너 전압에서 전압을 유지한다. 제너 다이오드는 높은 전압에서도 안정적인 전압 레귤레이션이 가능하며, 부품의 수를...2025.01.29
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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정전압 회로와 리미터 실험 결과 보고서2025.01.021. 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로는 출력 전압이 높을 때 다이오드의 여러 단을 직렬로 연결해야 하므로, 소자의 개수가 많아지는 문제가 생깁니다. 반면 제너다이오드를 이용한 전압 레귤레이터의 경우 제너다이오드가 켜졌을 때 양단 사이의 전압 강하가 상대적으로 PN접합에 비해 크기 때문에 소자의 개수를 줄일 수 있습니다. 2. 전압 레귤레이터의 특성 전압 레귤레이터의 라인 레귤레이션 특성을 개선하려면 저항값을 높이거나 다이오드의 개수를 줄여야 합니다. 부하 레귤레이션 특성을 개선하려면 내부 저항...2025.01.02
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