총 100개
-
반도체에 대해서2025.01.281. 반도체의 개요 반도체는 도체와 절연체의 중간적인 성질을 가지고 있는 물질로, 전자의 이동이 자유롭지 않지만 외부 조건에 따라 전기 전도성이 변화할 수 있다. 반도체 물질에는 실리콘, 게르마늄 등이 있으며, 이들은 전자와 양공이라는 두 종류의 전하 운반자를 가지고 있다. 반도체의 전기적 특성은 이러한 전하 운반자의 움직임에 의해 결정된다. 2. 도체와 반도체의 구분 기준 도체와 반도체를 구분하는 주요 기준은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 간격 크기이다. 에너지 간격이 넓은 물질은 절연체, 중간 정도인 물질은 반도체, 에너지 간...2025.01.28
-
반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
-
[A+] 다이오드1 보고서2025.05.151. 다이오드 이번 실험을 통해 다이오드는 5가 원소를 넣어 만든 N형 반도체와 3가 원소를 넣어 만든 P형 반도체를 붙여 한 쪽으로만 전기가 흐르게 하는 회로 소자라는 것을 알았습니다. 다이오드는 역방향일 때 전류가 흐르지 않고 순방향일 때 전류가 흐르지 않다가 전압이 한 지점을 넘어서면 전류가 흐르는 것을 알았으며 이것은 다이오드의 종류에 따라 문턱전압이 다르기 때문이라는 것도 알 수 있게 되었습니다. 2. 반도체의 전기적 특성 반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기저항을 갖습니다. 순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지...2025.05.15
-
응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
-
전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
-
[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
-
전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 결과보고서2025.01.151. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하면 소자가 켜지면서 저항이 작아지고, 역방향으로 전압을 인가하면 소자가 꺼지면서 저항이 아주 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인하였습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향에서 항복 전압을 낮추어 준 소자로서 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 ...2025.01.15
-
A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
-
P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
-
hydrogen insertion into wo3 예비레포트2025.05.051. WO₃의 구조와 특성 WO₃는 모서리가 맞닿아 이루어진 팔면체 구조를 가지고 있다. 중앙의 빈 공간에 금속 원자가 삽입되면 tungsten bronze라고 불리는 화합물이 형성되며, 이 화합물은 금속과 유사한 광택과 색을 가진다. 삽입되는 금속 원자에 따라 다양한 색상을 나타낼 수 있다. 2. 수소의 intercalation WO₃의 구조에 수소가 intercalation되면 HxWO₃가 형성된다. 이 과정에서 WO₃의 전자 구조가 변화하여 색과 전기전도도가 달라진다. 수소가 삽입되면 sub-band가 형성되어 band gap...2025.05.05
2 / 10
