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디지털집적회로설계 실습: 기본 논리게이트 시뮬레이션2025.11.151. INVERTER (인버터) 인버터는 입력 신호를 반전시키는 기본 논리게이트이다. 실습에서 pulse 파형의 입력 신호를 사용하여 시뮬레이션을 수행했으며, 결과 그래프에서 입력과 출력 신호가 정반대의 값을 가지는 것을 확인하여 제대로 구현되었음을 검증했다. 2. NAND 게이트 NAND 게이트는 두 입력 신호가 모두 1일 때만 출력이 0이 되고, 나머지 모든 경우에 출력이 1이 되는 논리게이트이다. 실습에서 INA, INB 입력에 대한 OUT 출력을 분석하여 NAND 게이트의 동작 원리를 파형 그래프로 확인했다. 3. AND 게...2025.11.15
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디지털집적회로설계 XOR 게이트 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.151. Full CMOS XOR GATE 설계 트랜지스터 레벨에서 CMOS XOR 게이트를 직접 구현한 방식으로, 4개의 PMOS와 4개의 NMOS를 중앙 논리 부분에 사용하고 4개의 인버터를 포함하여 총 12개의 트랜지스터로 구현되었다. Mobility 비율 μn/μp = 2를 만족시키기 위해 wp = 2wn으로 설정하여 pull-up 네트워크의 PMOS 폭을 pull-down 네트워크의 NMOS 폭의 두 배로 디자인했다. 가로 11.46 μm, 세로 12.12 μm의 크기로 면적은 138.90 (μm)²이다. 2. Subcell ...2025.11.15
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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디지털집적회로설계 NOR/OR 게이트 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.151. NOR 게이트 레이아웃 설계 NOR 게이트는 트랜지스터 레벨에 따라 설계되었으며, SP 파일을 수정하여 구현되었다. 시뮬레이션 파형 분석을 통해 입력 신호(InA, InB)에 따른 출력(OUTPUT)을 확인하였고, 레이아웃 추출 후 파형이 정상적으로 작동함을 검증했다. 이 과정에서 트랜지스터 배치와 연결 구조의 이해가 중요하며, 정확한 논리 동작을 확인할 수 있었다. 2. OR 게이트 레이아웃 구현 OR 게이트는 NOR 게이트와 인버터(INVERTER)를 조합하여 구현되었다. 두 회로의 레이아웃을 통합하여 설계하였고, 입력 신...2025.11.15
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_26 병렬RC회로(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 병렬 RC 회로 병렬 RC 회로에서 전류 페이저와 위상 각이 주파수의 변화에 따라 어떻게 영향을 받는지 설명합니다. 페이저의 기준, 병렬회로에서의 페이저, 옴의 법칙을 적용하여 각 저항에 흐르는 전류의 실효값을 계산하고, 전류 페이저를 그립니다. 또한 시뮬레이션을 통해 전류 페이저도를 그립니다. 1. 병렬 RC 회로 병렬 RC 회로는 저항기(R)와 축전기(C)가 병렬로 연결된 전기 회로입니다. 이 회로는 전압 분배 및 시정수 특성으로 인해 다양한 응용 분야에서 활용됩니다. 병렬 RC 회로의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째,...2025.05.13
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_18 정현파 측정(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 정현파 생성 정현파는 스프링을 이용하거나 등속도 원운동을 이용하여 생성할 수 있다. 스프링에 추를 매달아 아래로 당겼다가 놓으면 추가 규칙적으로 위아래로 움직이며 정현파를 생성한다. 또한 물체가 일정한 속도로 원운동을 하면 그 물체의 높이 변화가 정현파 형태가 된다. 2. 정현파의 특징 정현파의 특징은 주파수가 다른 정현파를 더하면 새로운 모양의 파형을 만들 수 있다는 것이다. 오실로스코프로 정현파의 주기와 주파수를 측정할 수 있으며, 함수발생기로 정현파의 진폭, 주파수, 직류성분 등을 조정할 수 있다. 3. 오실로스코프 사용...2025.05.13
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경희대 전기전자회로 보고서 HW22025.05.051. DC 전압, 저항 회로 시뮬레이션 문제[1]에서는 DC 전압과 저항으로 구성된 간단한 회로를 시뮬레이션하고 전압, 전류, 소비전력을 계산하는 방법을 학습했습니다. Pspice를 처음 사용해보면서 회로 구성 및 기본적인 사용법을 익혔고, 복잡한 회로 해석에도 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 2. DC Sweep 분석 문제[2]에서는 전원 전압을 변수로 설정하여 DC Sweep 분석을 수행했습니다. 이를 통해 전압, 전류, 소비전력이 전원 전압 변화에 따라 어떻게 변화하는지 확인할 수 있었습니다. 또한 Point...2025.05.05
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디지털집적회로설계 - 1bit Full Adder 구현 실습2025.11.151. Full Adder 회로 설계 1bit Full Adder를 Subcircuit 방식으로 구현한 실습 과제입니다. Half Adder와 OR 게이트를 조합하여 Full Adder를 설계했으며, 입력 신호로 Pulse를 사용하여 시뮬레이션을 수행했습니다. 진리표와 비교하여 Sum 출력값이 정확하게 나왔음을 확인했습니다. 이 설계는 향후 다중 비트 Full Adder 구현 시 재사용 가능하도록 모듈화되었습니다. 2. CMOS 기본 게이트 설계 Inverter, NAND, AND, OR, XOR 등의 기본 논리 게이트를 트랜지스터 ...2025.11.15
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