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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서12_수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 (보고서 1등)2025.05.101. 수동소자의 고주파특성 측정 실제 회로에서 사용되는 회로소자의 등가회로를 이해하고 이 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 이해하기 위해 실습을 진행하였다. RC 직렬 회로와 RL 직렬 회로의 주파수 응답을 측정하여 분석한 결과, 일정 주파수 이상에서 커패시터와 인덕터가 각각 인덕터와 커패시터의 성향을 띄기 시작하는 것을 확인하였다. 이를 통해 회로소자의 고주파 특성에 대한 이해를 높일 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파특성 측정 수동소자의 고주파 특성 측정은 전자회로 설계 및 분석에 매우 중요한 부분입니다. 고주파 ...2025.05.10
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. RC 직렬 회로의 고주파 특성 RC 직렬 회로는 약 13 [MHz]부터 파형이 불안정해서 정확한 측정이 이루어지지 않았으므로 그 이상의 데이터는 무의미하다고 판단했다. 약 1 [MHz]까지는 이론값과 비슷한 전달함수의 특성을 보이는데, 그 이상의 고주파에서는 커패시터 소자 내의 인덕터 성분에 의해 전달함수의 특성이 달라지는 것을 그래프를 통해 확인할 수 있다. 약 10 [MHz]에서 전달함수의 크기가 가장 작아져서 이 부분이 커패시터가 확실히 인덕터처럼 행동하는 부분이라고 생각한다. 2. RL 직렬 회로의 고주파 특성 RL 직...2025.04.29
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 수동소자의 고주파 특성 측정 이 실험은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것을 목적으로 한다. 실험 결과, 커패시터는 약 4MHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터처럼 동작하며, 인덕터는 약 150kHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터처럼 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 수동소자의 등가회로와 고주파 특성을 이해할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성...2025.05.03
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서2025.05.121. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 등가회로를 이해하며, 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실습에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있습니다. 2. RC 직렬 회로의 고주파 특성 RC 직렬 회로에서 3cm 전선 4개가 사용되면 기생 인덕터의 영향으로 고주파에서 커패시터가 인덕터로 작동하게 됩니다. 이 경계 주파수를 계산하여 제시하였습니다. 또한 입력 전압과 저항 전압의 ...2025.05.12
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교류 회로 소자의 임피던스2024.12.311. RLC 직렬 회로 RLC 직렬 회로에서 교류 전원의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 임피던스(impedance)에 대해 설명하고 있습니다. 임피던스는 저항과 리액턴스의 합성 저항값을 의미하며, 교류 회로에서 전류와 전압의 관계를 옴의 법칙으로 나타낼 수 있습니다. 리액턴스는 커패시터에 의한 용량성 리액턴스와 인덕터에 의한 유도성 리액턴스로 구분됩니다. 임피던스와 저항, 리액턴스의 관계는 페이저도로 표현할 수 있습니다. 2. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로에서는 각 소자에 흐르는 전류가 공급된 전체 전류로부터 나뉘어지게 됩니...2024.12.31
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교류 회로 소자의 임피던스_결과레포트2024.12.311. 교류 회로 소자의 임피던스 이번 실험은 임피던스의 개념에 대해 이해할 수 있는 실험이었습니다. 임피던스는 직류 회로에서처럼 저항과 비슷한 개념이며, 임피던스를 구하는 방식도 저항과 유사한 방법으로 구할 수 있습니다. 저항과 다른 점은 위상이 더 있는 것입니다. 위상 차이가 있을 경우 저항과 리액턴스 값을 구하여 두 값을 제곱하여 더하여서 제곱근(√(R^2 + X^2))을 구하면 됩니다. 용량성 리액턴스와 유도성 리액턴스의 합성은 크기의 차를 구해야 하는데, 그 이유는 위상이 180° 차이 나므로 서로 반대 방향이라고 판단하면 ...2024.12.31
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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