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Diode의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험 실험을 통해 Diode의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과 Diode의 전압-전류 특성이 시뮬레이션 결과와 유사한 exponential 함수 형태로 나타났으며, Zener Diode의 경우 reverse 전압에서 일정한 전류가 유지되는 특성을 확인할 수 있었다. 실험값과 시뮬레이션 값이 정확히 일치하지 않는 이유는 시뮬레이션에서 실험 소자 내부 저항을 고려하지 않았기 때문으로 분석된다. 2. Diode의 전압-전류 특성 Diode의 전압-전류 특성 실험에서 전압과 전류의 관계가 exponent...2025.01.12
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Diode의 전기적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험을 통해 다이오드의 정방향 Bias 특성, 다양한 회로적 모델링, Avalanche Breakdown과 Zener Breakdown의 차이, Zener Diode의 동작 특성 등을 이해하고 다이오드와 Zener Diode의 전압-전류 특성을 파악하였다. 2. 다이오드의 용도 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 '체크 밸브' 역할을 하며, 정류기로 사용되어 AC를 DC로 변환하는 데 활용된다. 또한 다이오드는 온도 센서나 기준 전압 발생기로도 사용될 수 있다. 3. Zener Diode의 특...2025.01.12
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[A+ 보장] LED의 특성 분석2025.05.111. LED의 전류-전압 특성 LED의 전류-전압 특성 그래프를 통해 소자별 문턱전압을 확인할 수 있으며, 일반적으로 파장이 짧을수록 문턱전압이 높다는 사실을 확인할 수 있다. 전류-전압의 log scale 그래프에서는 쇼클리 방정식을 통해 1차 함수로 근사되지만, 실제 실험 그래프에서는 1차 함수가 아님을 확인할 수 있다. 2. LED의 광출력-전류 특성 인가 전류 대비 출력 전류의 그래프에서는 일반적으로 선형영역에서 인가 전류대비 출력 전류를 확인할 수 있었고, 555nm에서는 선형영역을 넘어 포화영역에 해당하는 부분이 일부 확...2025.05.11
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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