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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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반도체 예비보고서2025.05.101. 반도체 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)하고 애자, 유리 같은 부도체의 중간 정도인 물질이다. 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 의해 전도도가 바뀐다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 넣어서 만든다. 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 만드는 데에 쓰인다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하고 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체처럼 동작할 때와 도체처럼 동작할 때 각각 부도체나 도체와 다른 점이 있다. 2. 반도체의 물리적 기초 반도체란 절대 영도에서 ...2025.05.10
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LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report2025.01.121. PN junction diode (LED) LED는 전자가 많아 음의 성격을 띤 n형 반도체와 전자의 반대 개념인 정공이 많아 양의 성격을 띤 p형 반도체의 이종접합 구조를 가진다. Forward bias를 가하면 전류가 흘러 발광을 하며, 에너지 준위차인 Band gap에 따라 빛의 색상이 정해진다. LED의 I-V 특성에서는 Forward bias 시 Threshold Voltage 이하에서 전류가 거의 흐르지 않다가 Vth 이상이 되면 전류가 급격히 증가하며, Reverse bias 시 Breakdown voltage까지...2025.01.12
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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태양광 예비보고서2025.01.051. 태양전지의 동작원리 태양전지는 실리콘 다이오드의 PN 접합과 유사한 구조를 가지고 있으며, N-type 반도체 표면에 빛이 조사되면 전류를 생산하게 된다. 태양전지의 개방전압은 실리콘 다이오드의 순방향 전압보다 약간 낮은 0.5V~0.6V 사이의 값을 가진다. 태양전지를 직렬로 연결하면 개방전압이 증가하고, 병렬로 연결하면 단락전류가 증가한다. 2. 태양전지의 전기적 특성 태양전지의 전압-전류 특성곡선은 전류원 영역과 전압원 영역으로 구분된다. 전류원 영역에서는 전압이 증가해도 전류가 일정하게 유지되며, 전압원 영역에서는 전압...2025.01.05
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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