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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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ALD 공정 기술 및 응용2025.11.161. ALD (Atomic Layer Deposition) 공정 개요 ALD는 다양한 기재 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입하여 자가 제한 표면 반응(Self-limiting surface reaction)에 의해 박막을 층별로 성장시키는 진공기상증착 방법입니다. 복잡한 3차원 구조 기재 위에서도 매우 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있으며, 기체상 반응이 없고 순차적 단계로 진행됩니다. 장점으로는 입자와 핀홀이 없고 정밀한 두께 제어, 저온 공정, 우수한 박막 품질을 제공합니다. 2. ALD의 장단점 및 특성 ALD의...2025.11.16
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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SEM을 이용한 polymer blend film topology2025.05.151. SEM (주사전자현미경) SEM은 주사전자현미경으로, 시료 표면의 형태와 구조를 관찰할 수 있는 장비입니다. 이 실험에서는 SEM을 이용하여 polymer blend film의 표면 형태와 구조를 분석하였습니다. 2. Polymer blend film Polymer blend film은 두 가지 이상의 고분자를 혼합하여 만든 박막 구조입니다. 이 실험에서는 polymer blend film의 상 분리 현상과 표면 형태를 관찰하였습니다. 3. 상 분리 (Phase separation) Polymer blend film에서는 서로...2025.05.15
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나노재료공학 기말레포트2025.11.121. 깁스 함수와 화학반응 깁스 함수(ΔG = ΔH-TΔS)는 일정한 온도와 압력에서 계로부터 얻을 수 있는 일과 자발성을 나타낸다. ΔG가 0보다 작으면 화학반응은 자발적이고, 0보다 크면 자발적이지 않으며, 0이면 평형 상태에 있다. 이는 화학반응의 진행 방향과 가능성을 결정하는 중요한 열역학적 지표이다. 2. 박막 제조 기술 균일한 박막을 제조하는 방법으로는 자기조립(Self-Assembly), LB법, 층별적층법(LBL), 리소그래피, CVD 등이 있다. LB법은 양친매성 분자를 이용하여 매우 얇고 균일한 막을 제작하며, L...2025.11.12
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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비커스 경도2025.04.271. 비커스 경도 측정 비커스 경도 측정은 각종 공업재료의 경도를 측정하고 강도와의 관계를 이해하는 실험입니다. 실험에서는 136°의 대면각을 가진 다이아몬드 압입자에 1~50kg의 하중을 가해 물질의 밀도를 높여 오목부의 대각선을 측정합니다. 이를 통해 비커스 경도 HV를 계산할 수 있습니다. 압입자국의 정확한 측정을 위해 표준 압입자국을 사용하고 측정자의 개인차를 확인해야 합니다. 또한 조명과 측정자의 위치 등을 주의해야 합니다. 2. 비커스 경도 시험 방법 비커스 경도 시험 방법은 다음과 같습니다. 1) 시료대 위에 시험편을 ...2025.04.27
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