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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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일반물리학실험 시상수 측정 결과레포트2025.05.151. 시상수 시상수는 1차 지연 요소에서 입력 신호가 달라졌을 때 출력 신호가 정상 상태에 도달하기까지의 과도기간에서의 현상의 상태를 아는 가늠이 되는 상수입니다. 예를 들면 전기 회로에서의 일례로서 R과 L의 직렬 회로에 대해서는 직류 전압 V를 가한 직후부터 시간 t의 경과에 의한 전류 i의 변화가 되어 변화하는데, 이 때 전류가 정상값의 63.2%에 이르기까지의 시간 τ＝L/R[s]가 시상수입니다. 일반적으로 시상수가 클수록 정상값에 이르기까지의 시간이 길어지고, 이 값은 제어계 또는 전기 회로의 조건에 따라서 결정됩니다. 2...2025.05.15
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (DC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하고 있습니다. 이 헌장은 IEEE 회원들이 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인식하고, 전문직으로서의 의무와 책임을 받아들이는 것을 담고 있습니다. 2. RC 회로 특성 분석 RC 회로에서 저항과 커패시터의 특성을 분석하였습니다. 회로 구성, 전압 측정, 시간 상수 계산 등을 통해 RC 회로의 동작을 이해하고 실험 결과와 이론값을 비교하였습니다. 일부 오차가 발생한 것은 저항에서의 열 손실과 전압 측정 시 사람의 반응 시간 등이 원인으로 분석되었습...2025.05.03
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수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계2025.05.021. 저항 MHz 대의 주파수 대역에서 저항값이 점점 떨어지는데 이때 기생 커패시터를 통해 흐르는 전류가 더 커지기 때문임. 2. 커패시터 커패시터가 저항과 인덕터 성분을 모두 갖고 있다는 사실에 주목하여 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 아닌 인덕터로 동작하는 것을 확인. FG의 파형과 저항의 파형을 측정하며 주파수의 증가에 따라 저항의 전압이 증가하다가 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 인덕터로 작동함에 따라 저항의 전압이 감소하는 것을 확인. 3. 인덕터 mH 급의 인덕터가 1MHz 부근에서 커패시터처럼 작동함을 확인....2025.05.02
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중앙대 전기회로설계실습 9차 결과보고서2025.04.271. LPF 실습 RC회로를 활용하여 입력전압과 LPF 출력전압의 파형을 비교하고 그래프를 그린 뒤 회로에 인가하는 주파수가 증가함에 따라 출력이 감소하는 그래프의 개형을 확인하였다. 설계한 회로에서 사용하는 저항의 크기는 실습 계획서에서 계산한 결과 1kΩ이었으며, 가변저항으로 1.019kΩ을 맞추어 사용하였다. LPF 전압의 경우, 실습 계획서에서 계산한 LPF 출력전압의 값(Vpp)은 0.847V이고, 입력전압의 값(Vpp) 1V이다. 실습 계획서와 실제 실습 결과 그래프의 파형이 일치함을 확인했다. 2. LPF 주파수 응답 ...2025.04.27
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 고주파 특성 측정 회로 설계 이 프레젠테이션에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. RC 및 RL 회로를 구성하고 오실로스코프의 CH1 단자를 C 또는 L 앞에, CH2 단자를 저항의 양단에 연결하여 입력 전압과 저항 전압, 위상차를 측정합니다. 이를 이상적인 RL 및 RC 회로의 특성과 비교하면 고주파 특성을 알 수 있습니다. 1. 고주파 특성 측정 회로 설계 고주파 특성 측정 회로 설계는 전자 시스템 개발에 있어 매우 중요한 부분입니다. 고주파 신호의 특성을 정확하게...2025.05.03
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신소재프로젝트2 세라믹 A+ 예비레포트2025.01.041. 재료의 임피던스 재료는 고유의 전기전도도(σ)와 유전율(ε)값을 갖고 있으며, 이를 통해 물질의 저항(R)과 커패시턴스(C)를 알 수 있다. 이러한 전기적 특성은 재료의 임피던스 정보에 포함되며, 등가회로를 통해 분석할 수 있다. 2. 임피던스 임피던스는 교류 전압과 교류 전류를 통해 얻어지는 교류저항(Z)을 의미한다. 복소평면에서 실수부(직류 저항 R)와 허수부(리액턴스 X)로 나타낼 수 있으며, 주파수에 따라 그 값이 달라진다. 이러한 주파수 의존성을 분석하는 것이 임피던스 분광법이다. 3. RC병렬회로의 임피던스 R, C...2025.01.04
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[전기회로설계실습] 설계 실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답2025.05.131. RL회로 설계 및 과도응답 분석 본 실험은 주어진 시정수를 갖는 간단한 RL회로를 설계하고 이를 측정하여 과도응답을 확인하는데 의의가 있다. RL회로의 시정수는 인덕턴스값을 저항값으로 나누어 구할 수 있고, 인덕터 전압이 입력 전압의 0.368배가 될 때까지의 걸린 시간을 확인하는 것으로 실험적 측정이 가능하다. Oscilloscope에서는 1.05%의 적은 오차율로 성공적인 실험이 이루어졌고, 마찬가지로 시뮬레이션 결과 또한 0.5%의 적은 오차율로 성공적인 실험이 이루어졌다고 판단된다. 2. RL회로와 RC회로의 차이 분석...2025.05.13
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전기회로설계실습 - 수동소자의 고주파 특성측정방법설계2025.05.151. RC 회로의 고주파 특성 RC 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 1MHz 부근까지는 RC 회로의 특성을 보였지만 주파수가 높아지면서 커패시터가 인덕터 특성을 보이기 시작했다. 8MHz 부터는 인덕터 특성이 뚜렷하게 나타나 전달함수의 크기가 이론값보다 작아지는 현상이 관찰되었다. 이를 통해 커패시터의 고주파 등가회로에서 인덕터 특성이 발현되는 것을 확인할 수 있었다. 2. RL 회로의 고주파 특성 RL 회로의 주파수 응답 측정 결과, 약 500kHz 부터 인덕터에서 커패시터 특성이 발현되기 시작했으며 1MHz 부터 그 특성이 ...2025.05.15
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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